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公开(公告)号：CN114171381A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010954547.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/3213 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供的一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法，硬掩模刻蚀图形的方法一次光刻工艺，两次或者三次刻蚀工艺完成了硬掩模刻蚀图形，同时形成了双台阶的刻蚀图形，减少了下切现象的产生，缓解了刻蚀侧壁的内应力，提高了台阶区域的导电能力，并减少后续在台阶上填充物质时产生的填充缺陷，提高了器件在后续工艺中的良率，以及器件的性能。并通过以图形化的所述光刻胶层为掩模，刻蚀所述第二开口处的硬掩模层，可以形成台阶状的硬掩模层，降低了硬掩模层断裂的现象。
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公开(公告)号：CN106706172B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201510770552.5
申请日：2015-11-12
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明的压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基板；在半导体基板表面形成压力感应层，压力感应层与半导体基板间形成空腔，空腔上的压力感应层中有第一开口；形成牺牲层，牺牲层覆盖压力感应层，填充部分第一开口；刻蚀牺牲层，保留靠近空腔边缘的一环形牺牲层；形成保护层，保护层覆盖压力感应层；刻蚀保护层，去除牺牲层上的保护层，在保护层中形成第二开口，第二开口为压力传感器的压力传感区；去除第二开口中的牺牲层和介质层。本发明中，避免压力感应层受到刻蚀的损伤，防止杂质进入空腔，提高压力传感器性能。
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公开(公告)号：CN107764439B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201610696305.X
申请日：2016-08-19
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底的上表面形成有底部电极；在所述半导体基底的上形成一介电层，在所述介电层中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述底部电极；在所述介电层上键合一晶圆，所述晶圆覆盖所述第一开口，并形成一空腔；减薄所述晶圆至一预定厚度；在减薄后的所述晶圆上形成一钝化层；以及选择性刻蚀所述钝化层，以暴露出所述空腔上的部分所述晶圆。本发明的压力传感器的制备方法中，顶部电极以晶圆方式键合到所述半导体基底上，避免在所述半导体基底上淀积多晶硅，从而避免使用高温。
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公开(公告)号：CN106365115B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201510439014.8
申请日：2015-07-23
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Inventor： 毛剑宏
Abstract: 本发明公开一种MEMS传感器及其制备方法，包括步骤：提供一包含有CMOS电路的第一半导体基底，及包含有MEMS器件的第二半导体基底；键合第一半导体基底和第二半导体基底；在所述第二半导体基底上形成第一互连插塞；在所述第一半导体基底和第二半导体基底上形成贯通第二半导体基底的第二互连插塞；第二半导体基底表面形成导电互连第一互连插塞和第二互连插塞的金属互连层，可以解决CMOS电路和MEMS器件之间的电学连接问题，简化封装方法。
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公开(公告)号：CN106698327B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510770504.6
申请日：2015-11-12
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明揭示一种压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基板，半导体基板包括互连电路和底部接触电极，半导体基板表面具有覆盖互连结构的上层金属层的层间介质层；形成牺牲层，牺牲层覆盖底部接触电极及部分层间介质层；形成压力感应层，压力感应层覆盖牺牲层以及剩余的层间介质层；刻蚀压力感应层以及层间介质层，暴露至少部分上层金属层，且暴露至少部分压力感应层的底壁；形成连接结构，连接结构覆盖暴露的上层金属层以及暴露的压力感应层的底壁。本发明中，通过连接结构实现压力感应层与上层金属层之间的电性连接，并且，压力感应层与连接结构、上层金属层之间均不会形成合金，提高了压力传感器的阻值均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107808876A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610696171.1
申请日：2016-08-19
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: H01L25/04 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L25/04 , H01L23/488 , H01L24/81 , H01L2224/811 , H01L2225/04
Abstract: 本发明揭示了一种芯片封装结构，包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一器件区域以及焊接区域，所述第一器件区域的一面具有第一器件，所述焊接区域的一面具有第一焊垫，所述第一焊垫与第一器件电连接；第二芯片，所述第二芯片具有第二器件区域以及通孔区域，所述第二器件区域的第一面具有第二器件，所述通孔区域内具有导通所述第一面和第二面的通孔结构，所述通孔结构与第二器件电连接；第一导电焊接部，分别连接所述第一焊垫和通孔结构。本发明还提供一种芯片晶圆级封装方法。本发明的芯片封装结构及芯片晶圆级封装方法可以减小器件的横向尺寸，实现了晶圆级封装，提高了器件的性能，降低了成本。
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公开(公告)号：CN104752341B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310754522.6
申请日：2013-12-31
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/04 , H01L31/107
Abstract: 一种红外雪崩二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置，红外雪崩二极管阵列装置的形成方法包括：提供硅衬底；在所述硅衬底正面形成呈阵列排列的重掺杂P型硅区、位于P型硅区上的本征锗区、位于本征锗区上的重掺杂N型锗区；红外雪崩光电二极管包括所述P型硅区、所述本征锗区和所述N型锗区。重掺杂P型硅区、本征锗区以及重掺杂N型锗区都可以利用CMOS工艺形成，因此形成红外雪崩二极管阵列装置的方法可以和CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN107529120A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610443922.9
申请日：2016-06-20
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明的麦克风传感器及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面形成第一沟槽及第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽的交界位置形成台阶；在第二沟槽中形成第一感应层，在第一沟槽中形成第二感应层，第二沟槽的部分底壁与第一感应层之间形成第一空腔，第一感应层中具有第一开口阵列，第二感应层与第一感应层之间形成第二空腔，第二感应层中具有第二开口阵列，半导体衬底的背面具有第三沟槽；形成第三感应层及介质层，第三感应层与第二感应层之间形成第三空腔，第三感应层及介质层中具有第三开口阵列；第一电极与第一感应层电性连接，第二电极与第二感应层电性连接，第三电极与第三感应层电性连接。
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公开(公告)号：CN107445135A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201610379062.7
申请日：2016-05-31
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其封装方法，包括：提供一半导体基板，部分所述半导体基板的表面与一感应层之间形成一第一空腔，所述感应层上具有一保护层，所述保护层暴露出部分所述感应层作为感应窗口；形成一封装层，所述封装层位于所述保护层上，所述封装层中具有位于所述第一空腔上的开口，所述封装层与所述保护层之间形成一第二空腔。本发明中，在半导体基板上形成一封装层，封装层位于保护层之上，并与保护层之前形成第二空腔，且封装层中的开口位于第一空腔上方，从而将第一空腔上的感应窗口暴露出来，使得感应窗口能够感应外界的压力，实现对压力的检测。本发明中直接在半导体基板上形成封装层，完成对半导体基板的封装，工艺简单方便。
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公开(公告)号：CN106932105A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511031614.7
申请日：2015-12-31
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供的红外探测器及其制备方法中，包括：提供一基板，基板表面具有反射层；形成牺牲层、接触线、热敏电阻层以及红外吸收层，牺牲层分别位于反射层与接触线之间、接触线与热敏电阻层之间以及热敏电阻层与红外吸收层之间，且接触线中形成有多个孔；去除牺牲层，在接触线与反射层之间、热敏电阻层与接触线之间以及红外吸收层与热敏电阻层之间分别形成空腔。本发明中，分别在红外探测器中形成多个空腔，增加了热敏电阻层的面积，使得红外探测器中的电阻可调，增加了红外吸收层的面积，减小红外探测器的热容损失，提高了器件的整体性能。并且，在接触线中形成多个孔，使得红外探测器的结构更加稳固可靠，设计和制作过程中更加方便。
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