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公开(公告)号：CN107463867B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201610390424.2
申请日：2016-06-03
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明的传感器及其制备方法，包括：提供第一半导体衬底，在第一半导体衬底中形成多个第一离子注入区构成的第一离子注入区阵列和位于第一离子注入区上的凹槽构成的凹槽阵列；在第一半导体衬底上形成感应层，感应层覆盖凹槽，感应层暴露出凹槽外围的部分第一半导体衬底，感应层对应于凹槽上方的部分为第二离子注入区，感应层对应于凹槽上方的部分具有背离第一半导体衬底方向的突出部，第一离子注入区形成传感器的下电极，凹槽形成感应腔，第二离子注入区形成传感器的上电极；在暴露出的第一半导体衬底上形成第一电极，在突出部一侧的感应层上形成第二电极，在剩余第一半导体衬底及剩余感应层上形成介质层。本发明的传感器制备方法简单、成本低。
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公开(公告)号：CN107770706A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610696309.8
申请日：2016-08-19
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种麦克风传感器及其制备方法，通过将所述第一基底和第二基底进行键合形成空腔，然后在所述第二基底背离所述第一基底的一面形成背面开口，所述背面开口与所述声学孔导通，以实现MEMS结构的形成，所述麦克风传感器可以在现有的晶圆厂可以完成，无需特殊的仪器及材料，制备方法简单，降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN106706175A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510772381.X
申请日：2015-11-12
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包括：提供一半导体基板；形成压力感应层；在压力感应层上形成掩膜层；刻蚀压力感应层，在压力感应层的顶壁上未被掩膜层保护的区域形成开口；利用第一灰化工艺去除所述掩膜层；对刻蚀后的压力感应层进行湿法清洗；利用第二灰化工艺，通过所述开口去除牺牲层，从而通过湿法去除了之前工艺过程中产生的聚合物又化学溶液进入电容空腔，提高了电性的稳定性，改善了器件的性能。
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公开(公告)号：CN107445135B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201610379062.7
申请日：2016-05-31
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其封装方法，包括：提供一半导体基板，部分所述半导体基板的表面与一感应层之间形成一第一空腔，所述感应层上具有一保护层，所述保护层暴露出部分所述感应层作为感应窗口；形成一封装层，所述封装层位于所述保护层上，所述封装层中具有位于所述第一空腔上的开口，所述封装层与所述保护层之间形成一第二空腔。本发明中，在半导体基板上形成一封装层，封装层位于保护层之上，并与保护层之前形成第二空腔，且封装层中的开口位于第一空腔上方，从而将第一空腔上的感应窗口暴露出来，使得感应窗口能够感应外界的压力，实现对压力的检测。本发明中直接在半导体基板上形成封装层，完成对半导体基板的封装，工艺简单方便。
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公开(公告)号：CN107758606B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201610693394.2
申请日：2016-08-19
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明揭示了一种压力传感器的封装方法，在所述压力传感器的封装方法中，在所述钝化层上键合一基板，所述基板覆盖所述第一开口，形成第二空腔，从而通过所述基板将压力传感器的第二空腔进行密封，通过晶圆级封装的方法，降低封装工艺的复杂度；并且，在所述基板和钝化层中形成通孔结构，可以实现将器件结构的电性引出，实现了将所述芯片(控制电路)与压力传感器在纵向上集成起来，有利于减小封装结构的横向面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107764439A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610696305.X
申请日：2016-08-19
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底的上表面形成有底部电极；在所述半导体基底的上形成一介电层，在所述介电层中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述底部电极；在所述介电层上键合一晶圆，所述晶圆覆盖所述第一开口，并形成一空腔；减薄所述晶圆至一预定厚度；在减薄后的所述晶圆上形成一钝化层；以及选择性刻蚀所述钝化层，以暴露出所述空腔上的部分所述晶圆。本发明的压力传感器的制备方法中，顶部电极以晶圆方式键合到所述半导体基底上，避免在所述半导体基底上淀积多晶硅，从而避免使用高温。
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公开(公告)号：CN106365110A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510443738.X
申请日：2015-07-24
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种探测传感器的制备方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成一牺牲层，所述牺牲层中形成有通孔；在所述通孔的侧壁形成一第一介质层；在所述第一介质层内形成一导电层，所述导电层位于所述第一介质层的内壁并覆盖所述通孔的底部；在所述导电层内形成一第二介质层，以在所述通孔内形成插塞，所述插塞包括由内至外依次形成所述第一介质层、导电层以及第二介质层，所述第二介质层暴露出所述导电层的顶部；去除所述牺牲层。本发明还提供一种探测传感器。本发明的探测传感器及其制备方法，能够很好的解决CMOS电路和MEMS器件之间的电学连接和支撑问题。
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公开(公告)号：CN107529120B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610443922.9
申请日：2016-06-20
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明的麦克风传感器及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面形成第一沟槽及第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽的交界位置形成台阶；在第二沟槽中形成第一感应层，在第一沟槽中形成第二感应层，第二沟槽的部分底壁与第一感应层之间形成第一空腔，第一感应层中具有第一开口阵列，第二感应层与第一感应层之间形成第二空腔，第二感应层中具有第二开口阵列，半导体衬底的背面具有第三沟槽；形成第三感应层及介质层，第三感应层与第二感应层之间形成第三空腔，第三感应层及介质层中具有第三开口阵列；第一电极与第一感应层电性连接，第二电极与第二感应层电性连接，第三电极与第三感应层电性连接。
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公开(公告)号：CN107525611B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610443905.5
申请日：2016-06-20
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
Abstract: 本发明的压力传感器及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面形成第一沟槽及第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽的交界位置形成台阶；在第二沟槽中形成第一感应层，在第一沟槽中形成第二感应层，第二沟槽的部分底壁与第一感应层之间形成第一空腔，第一空腔上的第一感应层中具有第一开口阵列，第二感应层与第一感应层之间形成第二空腔，半导体衬底的背面具有与第一空腔连通的第三开口；形成第三感应层，第三感应层与第二感应层之间形成第三空腔，第三空腔上的第三感应层中具有第二开口阵列；介质层覆盖第三感应层及剩余的半导体衬底正面；第一电极与第一感应层电性连接，第二电极与第二感应层电性连接，第三电极与第三感应层电性连接。
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公开(公告)号：CN107463867A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610390424.2
申请日：2016-06-03
Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明的传感器及其制备方法，包括：提供第一半导体衬底，在第一半导体衬底中形成多个第一离子注入区构成的第一离子注入区阵列和位于第一离子注入区上的凹槽构成的凹槽阵列；在第一半导体衬底上形成感应层，感应层覆盖凹槽，感应层暴露出凹槽外围的部分第一半导体衬底，感应层对应于凹槽上方的部分为第二离子注入区，感应层对应于凹槽上方的部分具有背离第一半导体衬底方向的突出部，第一离子注入区形成传感器的下电极，凹槽形成感应腔，第二离子注入区形成传感器的上电极；在暴露出的第一半导体衬底上形成第一电极，在突出部一侧的感应层上形成第二电极，在剩余第一半导体衬底及剩余感应层上形成介质层。本发明的传感器制备方法简单、成本低。
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