公开(公告)号：CN1550030A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01816168.5

申请日：2001-08-22

Applicant: 哈佛学院董事会

Inventor： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

Abstract: 是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核；以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长，并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点，具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有，原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件，该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个，并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体，包括这类半导体的阵列，能被组合以形成器件，例如，形成器件的交p－n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象，并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。

公开(公告)号：CN1315623C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN01800473.3

申请日：2001-03-08

Applicant: 大研化学工业株式会社 ,  中山喜万

Inventor： 中山喜万 ,  秋田成司 ,  原田昭雄 ,  大川隆

IPC: B25J15/12 ,  B82B1/00

CPC classification number: B25J7/00 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C99/002 ,  B82B3/00 ,  G01Q80/00 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/78 ,  Y10S977/837 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/863 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/876 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/901 ,  Y10S977/962

Abstract: 静电方式的纳米镊子2的特征在于：由在棱锥部6固定地凸设基端部的多个纳米管、对这些纳米管表面进行绝缘覆盖的涂覆被膜、及连接于其中2根纳米管8、9的导线10、10构成，通过在该导线间加电压，可由静电引力使上述2根纳米管的前端间自由开闭，在其间把持纳米物质。另外，如在纳米管9的表面形成压电膜32，使压电膜伸缩，可自由开闭上述纳米管的前端间，则不论是绝缘体、半导体、导电体，都可对任意的纳米物质进行处理。另外，如以静电方式自由开闭3根纳米管，则可处理球状、杆状等任意形状的纳米物质。另外，与3维驱动机构进行组合构成纳米机械手，可容易地进行纳米物质的把持、移动、放出。

公开(公告)号：CN101887935A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010206782.6

申请日：2001-08-22

Applicant: 哈佛学院董事会

Inventor： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC: H01L33/20 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L31/08 ,  C30B29/60

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供体掺杂半导体，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体掺杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的自支撑且体掺杂的半导体，其中由体掺杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体掺杂半导体相关的生长半导体的方法，制造器件的方法，半导体器件，制造纳米线半导体器件的方法，用纳米线制造发光二极管的方法，制造具有体掺杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法，在表面上装配多个拉长结构的方法，在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。

公开(公告)号：CN101798057A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200910205893.2

申请日：2001-08-22

Applicant: 哈佛学院董事会

Inventor： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01L21/335 ,  H01L21/77 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L33/00 ,  H01L29/88 ,  H01L29/872 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/82 ,  H01L27/24 ,  H01S5/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/102 ,  H01L31/101 ,  H01L31/042 ,  H01L27/00 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及生长半导体纳米线的方法，所述方法通过催化剂胶体颗粒催化生长半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择催化剂胶体颗粒以具有小于约20％的直径变化，使得根据该方法制造的一组半导体纳米线的直径变化小于20％。

公开(公告)号：CN101887935B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201010206782.6

申请日：2001-08-22

Applicant: 哈佛学院董事会

Inventor： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC: H01L33/20 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L31/08 ,  C30B29/60

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供体掺杂半导体，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体掺杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的自支撑且体掺杂的半导体，其中由体掺杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体掺杂半导体相关的生长半导体的方法，制造器件的方法，半导体器件，制造纳米线半导体器件的方法，用纳米线制造发光二极管的方法，制造具有体掺杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法，在表面上装配多个拉长结构的方法，在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。

公开(公告)号：CN100538482C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610160910.1

申请日：2006-12-01

Applicant: 塔工程有限公司

Inventor： 李昌馥 ,  孙正雄

IPC: G02F1/136 ,  C03C17/06

CPC classification number: H05K3/12 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/2049 ,  H05K3/02 ,  H05K3/1266 ,  H05K3/227 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2203/0117 ,  H05K2203/0517 ,  H05K2203/105 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/777 ,  Y10S977/787 ,  Y10S977/858

Abstract: 本发明公开了一种薄膜图案形成装置，包括：室壳体，具有与外界相连通的内部空间；第一固定单元，设置在室壳体中；图案电极板，具有以一定形状突出的突出电极，且固定至第一固定单元；第二固定单元，设置在室壳体中，且与图案电极板隔开一定间隙，用于固定其上沉积有涂墨的金属纳米材料的基板；供电单元，用于向第一固定单元和第二固定单元供应电力，以便在第一固定单元和第二固定单元处形成电极；以及干燥单元，用于干燥在基板上被图案化的涂墨的金属纳米材料。可以在基板上简单地形成诸如栅极线的金属薄膜线，且可以缩短处理时间。此外，简化了所需的设备，从而降低了安装成本，并提高了生产率。

公开(公告)号：CN101427340A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780013348.2

申请日：2007-02-28

Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司

Inventor： 李运钧 ,  R·L·芬克 ,  M·杨 ,  Z·雅尼弗

IPC: H01J9/12 ,  H01J9/02 ,  B05D5/12

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/857 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/939

Abstract: 碳纳米管(CNT)组分被制入通过印刷或模板印刷工艺可分配的油墨(1205)中。CNT油墨(1205)被分配到通过模板(1204)在阴极结构中形成的阱中。

公开(公告)号：CN102396084A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016809.3

申请日：2010-03-22

Applicant: 诺基亚公司

Inventor： S·M·哈克 ,  R·莱赫蒂涅米 ,  A·凯尔凯宁 ,  L·莱希纳 ,  P·哈科宁

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01B1/04 ,  H01L29/1606 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/857 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/859

Abstract: 一种方法和装置，所述方法包括：在石墨烯层中形成凹部，其中，所述凹部在所述石墨烯层的第一部分与所述石墨烯层的第二部分之间创建了边界；在所述凹部内沉积电绝缘材料；以及在所述绝缘材料上沉积电传导材料。

公开(公告)号：CN100565783C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN01816168.5

申请日：2001-08-22

Applicant: 哈佛学院董事会

Inventor： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

Abstract: 是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核；以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长，并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点，具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有，原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件，该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个，并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体，包括这类半导体的阵列，能被组合以形成器件，例如，形成器件的交叉p-n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象，并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。

公开(公告)号：CN1979317A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610160910.1

申请日：2006-12-01

Applicant: 塔工程有限公司

Inventor： 李昌馥 ,  孙正雄

IPC: G02F1/136 ,  C03C17/06

CPC classification number: H05K3/12 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/2049 ,  H05K3/02 ,  H05K3/1266 ,  H05K3/227 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2203/0117 ,  H05K2203/0517 ,  H05K2203/105 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/777 ,  Y10S977/787 ,  Y10S977/858

Abstract: 本发明公开了一种薄膜图案形成装置，包括：室壳体，具有与外界相连通的内部空间；第一固定单元，设置在室壳体中；图案电极板，具有以一定形状突出的突出电极，且固定至第一固定单元；第二固定单元，设置在室壳体中，且与图案电极板隔开一定间隙，用于固定其上沉积有涂墨的金属纳米材料的基板；供电单元，用于向第一固定单元和第二固定单元供应电力，以便在第一固定单元和第二固定单元处形成电极；以及干燥单元，用于干燥在基板上被图案化的涂墨的金属纳米材料。可以在基板上简单地形成诸如栅极线的金属薄膜线，且可以缩短处理时间。此外，简化了所需的设备，从而降低了安装成本，并提高了生产率。