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公开(公告)号：CN118610065A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410654496.8
申请日：2024-05-24
申请人： 北方夜视技术股份有限公司
摘要： 本发明提供一种玻璃基结构紧凑型电子倍增器、组件及其制备方法，采用不可溶皮料+可酸溶性芯料的方式或者空心玻璃管拉丝技术或者激光加工技术，制备出大倾斜角、微小尺寸、小长径比的微结构阵列，在微孔阵列上单面及孔内镀制导电金属，然后在微孔阵列单侧表面以及通道内壁制备高二次电子发射膜层，形成一层电子倍增层。按照电子倍增层‑电极片‑电子倍增层‑电极片…电子倍增层‑绝缘垫片‑阳极”的方式进行多层的叠加，形成玻璃基电子倍增器组件，实现结构紧凑设计，开口面积比可控，具有优异的位置分辨能力、高增益、低噪声、大动态范围，兼具微通道板以及传统打拿极电子倍增器的优点。
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公开(公告)号：CN113205996B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110556857.1
申请日：2021-05-21
申请人： 东莞市中科原子精密制造科技有限公司
IPC分类号： H01J43/24 , H01J9/12 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/06
摘要： 本公开是关于微通道板，属于光电技术领域。本发明提供的微通道板包括微通道板本体及设置在微通道板本体内壁的高阻薄膜；所述高阻薄膜具有由第1‑M薄膜层组成的层叠结构，每个薄膜层包括通过原子层沉积制成的第一材料层和通过原子层沉积于第一材料层上的第二材料层；所述微通道板本体内壁上为第1薄膜层的第一材料层，第i薄膜层的第一材料层沉积于第i‑1薄膜层的第二材料层上；所述高阻薄膜的厚度在预设厚度取值范围内；其中，第一材料为指定绝缘材料和指定导电材料中的任一种，第二材料为所述指定绝缘材料和指定导电材料中的另一种；i＝2,…M。本申请能够解决现有技术其副产物为有毒有害气体的问题。
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公开(公告)号：CN118352206A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410570638.2
申请日：2024-05-09
摘要： 本发明涉及一种基于GaN盖层的AlGaN紫外光电阴极及其制备方法，通过对AlGaN紫外光电阴极的结构进行合理设计，获得包括层叠设置的衬底层、缓冲层、AlxGa1‑xN发射层和GaN发射层的基于GaN盖层的透射式AlGaN光电阴极；所述AlGaN紫外光电阴极的发射层由低Al组分的AlGaN和的GaN组成，在AlGaN表面生长GaN盖层，可以有效提高AlGaN材料晶体质量，改善表面形貌，并且利用AlGaN与GaN之间的内建电场，有利于促进载流子的迁移，提高光电转换效率。进一步，所述AlGaN紫外光电阴极结构简单、生长难度小易实现，没有引入过多的界面层，可以有效地降低入射光在界面层反射引起的损失，提高对入射光的吸收率，显著提高了光电阴极的量子效率以及发射性能，在导弹逼近告警等领域中具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN114388319B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202111657382.1
申请日：2021-12-30
申请人： 中国建筑材料科学研究总院有限公司
摘要： 本发明是关于一种光纤面板阴极光窗及其制备方法。所述光纤面板阴极光窗包括光纤面板和光电阴极，光纤面板和光电阴极之间设置有离子阻挡层，其还包括第一功能层，用于提高光电阴极的光电子转换效率；第一功能层设置于光纤面板和光电阴极之间；第一功能层与光纤面板之间和/或第一功能层与光电阴极之间设置有离子阻挡层；所解决的技术问题是如何提高光电阴极的量子效率，使其在色温2856K的测试光路中，阳极电压为6000V，MCP电压为800V，阴极电压为200V时的阴极灵敏度≥850μA/lm，从而更加适于实用。
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公开(公告)号：CN117612923A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311496928.9
申请日：2023-11-10
申请人： 北方夜视技术股份有限公司 , 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种基于流控技术去除MCP挥发性金属来提高MCP增益的方法，该方法在常规微通道板的氢还原工序后，微通道板的功能层已经形成的基础上，增加一个流体控制处理步骤，将氢还原后的微通道板放置于洁净的烘烤炉内，通入氮气一定时间后，将烘烤炉在特定的真空/通氮气条件下叠加以一定的升温‑保温‑降温过程，去除微通道板通道内壁发射层的挥发性金属铅、铋。通过本发明的方法，可保证微通道板基本参数及结构不变的条件下，有效提升发射层高二次电子发射系数的成分的占比，提高微通道板二次电子发射能力，进而获得更好的增益性能。
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公开(公告)号：CN113838726B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202111230865.3
申请日：2021-10-22
申请人： 中国建筑材料科学研究总院有限公司
IPC分类号： H01J9/12 , H01J43/24 , C03B37/027
摘要： 本发明是关于一种微通道板及其制备方法和应用。所述方法包括：将硼硅酸盐玻璃预制棒与铅硅酸盐玻璃预制管进行嵌套，拉制，得到复丝内部单丝；将所述硼硅酸盐玻璃预制棒进行拉制，得到复丝最外层单丝；将得到的复丝内部单丝与复丝最外层单丝进行排列，捆绑，得到复丝棒；将复丝棒进行拉制，得到复丝；将复丝浸入稀酸溶液中，使最外层单丝溶解；再用NaOH溶液、去离子水及异丙醇清洗复丝；将复丝两端被腐蚀的部分切除；再将剩余复丝定长切断，排列为坯板；将坯板进行熔压、切片抛光、酸溶出通道、还原、镀电极，制成微通道板。本发明的微通道板在工作电压下无固定图案噪声。
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公开(公告)号：CN117352351A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311260414.3
申请日：2023-09-27
申请人： 北方夜视技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种制作超二代多碱光电阴极时钠锑共蒸锑过量时的处理方法，在制作工艺过程中检测光电流，若光电流低于1500nA则判断为基底层钠锑共同蒸镀时锑过量，进行如下处理：接通蒸Na电源，将蒸钠电流调到初始值；按400mA/min的速率递增蒸钠电流，当检测到光电流出现上升或者下降时，停止增加蒸钠电流并保持当前的蒸钠电流；一分钟后打开蒸锑电源；将蒸锑电流调到初始值，按500mA/min的速率递增蒸锑电流；当检测到光电流上升或下降时，在30秒内先关闭蒸锑电源；一分钟后关闭蒸钠电源，进入下一步工艺。本发明用于改善在超二代多碱光电阴极制作过程中基底层因锑过量导致灵敏度低的问题，对于提高光电阴极灵敏度效果显著。
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公开(公告)号：CN116913744A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310800184.9
申请日：2023-06-30
申请人： 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC分类号： H01J9/12
摘要： 本发明涉及提高光电阴极灵敏度的方法，具体涉及一种提高光电阴极灵敏度的清洗方法，解决了现有的清洗方法容易损伤光电阴极表面，从而影响光电阴极灵敏度的技术问题。本发明通过提高光电阴极辉光清洗的真空度、使用射频电源代替直流电源，达到相同辉光放电功率下电压升高的效果，使原子间的碰撞动能增加，可实现光电阴极表面的无损清洁，提升对光电阴极表面的清洗效果，增强光电阴极的表面活性；通过增加装配部件的高真空高温烘烤流程，使装配部件提前脱附杂质、金属等有害物质，从根本上解决了烘烤污染光电阴极的问题。
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公开(公告)号：CN116525401A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310525779.8
申请日：2023-05-10
申请人： 西安交通大学 , 西安中科原子精密制造科技有限公司
IPC分类号： H01J43/24 , H01J9/12 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种微通道板导电层结构及其制备方法，导电层结构包括微通道板基板，在微通道基板上设置Al2O3衬底，在Al2O3衬底上设置若干层复合薄膜，复合薄膜包括Al2O3薄膜和TiN薄膜，将TiN/Al2O3复合陶瓷薄膜作为微通道板的导电层，通过设置TiN的薄膜厚度，使得在几十至几百兆欧量级能够调控微通道板的体电阻，满足不同应用场景的需求，并且在施加不同偏置电压下，导电层的体电阻变化较小，提高了微通道板导电层的稳定性。制备方法利用原子层沉积技术，交替调整TiN和Al2O3材料所需的前驱体，制备出TiN/Al2O3复合陶瓷薄膜作为微通道板的导电层。在Al2O3的原子层沉积次数一定时，随着子循环中的TiN原子层沉积循环次数的增加，微通道板的体电阻明显降低。
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公开(公告)号：CN113451089B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110722026.7
申请日：2021-06-28
申请人： 北方夜视科技(南京)研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种采用刻蚀技术扩大MCP开口面积比的方法及MCP。在常规微通道板的腐蚀工序之后，通道阵列已完成制作，此时，增加一个刻蚀的步骤，采用一定角度的定向的反应离子刻蚀或离子束物理刻蚀，对MCP通道阵列的输入面进行刻蚀处理，处理过程中使得MCP基底进行自转，由此可获得轴对称的扩口结构，显著扩大MCP输入面的开口面积比，结合输入面镀制较浅电极技术，在不影响其他性能的情况下，显著提高MCP对于输入信号的探测效率。同时，在此基础上，在输入面镀制具有高二次电子发射系数的膜层材料，可进一步的提升探测效率。
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