公开(公告)号：CN104812175B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201510167222.7

申请日：2009-07-02

Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司 ,  石原药品株式会社

Inventor： M·杨 ,  D·M·让德西尔 ,  Z·雅尼弗

IPC: H05K3/12 ,  H05K3/32

Abstract: 本发明涉及金属糊料和油墨，具体揭示一种金属糊料，其包含溶剂和多个分散在溶剂中的金属纳米颗粒，其中，对所述金属糊料进行配制，使得所述金属糊料固化后产生金属导体，其中，所述金属糊料固化包括光烧结，所述光烧结促进金属氧化物的消除、以及金属纳米颗粒熔合成大块金属膜。电组件的电部件可通过金属导体互连，所述金属导体通过在基材上固化所述金属组合物而形成。可将包含金属纳米颗粒的金属组合物沉积在基材上并固化。金属组合物可在固化之前或之后与金属线接触，固定到固化的金属组合物上。

公开(公告)号：CN103918036B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201280054216.5

申请日：2012-01-04

Applicant: 日本石原化学株式会社 ,  应用纳米技术控股股份有限公司

Inventor： 川户祐一 ,  前田祐介 ,  工藤富雄

IPC: H01B1/02

CPC classification number: H05K1/097 ,  C09D11/52 ,  H01B1/026 ,  H01B1/22 ,  H01L23/49883 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/00 ,  H05K3/1283 ,  H05K2203/107 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供其中分散有铜微粒的铜微粒分散体的配方。该铜微粒分散体包括铜微粒、至少一种含有铜微粒的分散媒介、和至少一种使铜微粒在分散媒介中分散的分散剂。铜微粒的中心粒径为1nm至100nm。分散媒介是极性分散媒介。分散剂是分子量为200至100,000的具有至少一个酸性官能团的化合物或其盐。由此，分散剂与分散媒介相容，并且铜微粒的表面覆盖有分散剂分子，因此铜微粒分散在分散媒介中。

公开(公告)号：CN102365713B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080015842.4

申请日：2010-03-26

Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司 ,  石原药品株式会社

Inventor： Z·雅尼弗 ,  M·杨 ,  P·B·莱克斯顿

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H05K1/092 ,  B22F3/105 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/00 ,  B23K26/32 ,  B23K26/34 ,  B23K35/0244 ,  B23K2101/36 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/52 ,  H01L21/268 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/76877 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0201 ,  H05K3/10 ,  H05K3/125 ,  H05K3/1283 ,  H05K3/4664 ,  H05K2201/062 ,  H05K2203/107 ,  Y10T29/49156 ,  B22F1/0018 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基板上沉积导线以产生用于在电子元件之间导电的迹线。在基板上形成图案化金属层，并且随后在图案化金属层和基板上涂敷具有低热导率的材料层。穿过具有低热导率的材料层形成通孔，由此露出图案化金属层的多个部分。导电墨膜随后被涂敷在具有低热导率的材料层上并进入通孔以由此涂敷图案化金属层的多个部分，并且随后被烧结。涂敷在图案化金属层的部分上的导电墨膜从烧结吸收的能量不如涂敷在具有低热导率的材料层上的导电墨膜所吸收的多。具有低热导率的材料层可以是聚合物，诸如聚酰亚胺。

公开(公告)号：CN104812175A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510167222.7

申请日：2009-07-02

Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司 ,  石原药品株式会社

Inventor： M·杨 ,  D·M·让德西尔 ,  Z·雅尼弗

IPC: H05K3/12 ,  H05K3/32

CPC classification number: H05K3/1283 ,  H05K3/1241 ,  H05K3/321 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2203/087 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1453 ,  Y10T29/49169

Abstract: 本发明涉及金属糊料和油墨，具体揭示一种金属糊料，其包含溶剂和多个分散在溶剂中的金属纳米颗粒，其中，对所述金属糊料进行配制，使得所述金属糊料固化后产生金属导体，其中，所述金属糊料固化包括光烧结，所述光烧结促进金属氧化物的消除、以及金属纳米颗粒熔合成大块金属膜。电组件的电部件可通过金属导体互连，所述金属导体通过在基材上固化所述金属组合物而形成。可将包含金属纳米颗粒的金属组合物沉积在基材上并固化。金属组合物可在固化之前或之后与金属线接触，固定到固化的金属组合物上。

公开(公告)号：CN102137754A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200880130996.0

申请日：2008-09-30

Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司

Inventor： 茅东升 ,  Z·彦尼夫

IPC: B32B5/24

CPC classification number: C08J5/24 ,  B82Y30/00 ,  C08J5/005 ,  C08J2363/00 ,  C08K3/04 ,  C08K3/041 ,  C08K7/06 ,  C08K2201/004 ,  Y10T428/2918 ,  C08L63/00

Abstract: 碳纳米管(CNT)很长，所以在预浸渍体制备过程中它们不能在碳纤维之间贯穿，将它们缩短，避免它们被碳纤维滤出。这导致与纯环氧树脂相比，机械性质明显提高(挠曲强度和挠曲模量)。

公开(公告)号：CN101473445A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780002836.3

申请日：2007-01-23

Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司

Inventor： Z·雅尼弗

IPC: H01L29/94

CPC classification number: C12Q1/6825 ,  B82Y5/00 ,  C12Q1/6834 ,  G01N33/544 ,  Y10S977/702 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/746 ,  C12Q2565/515 ,  C12Q2565/607

Abstract: 碳纳米管在第一基板(301)上生长。以预定的深度将第一基板(301)上生长的CNT(101)浸渍在生物溶液中，以便用生物分子对CNT(101)的端部进行官能化。从所述第一基板(301)收集官能化的CNT。第二基板用互补生物修饰物(203)官能化，所述修饰物是官能化CNT端部的生物分子的互补结合伴侣。所述官能化的CNT通过互补结合伴侣(203)结合于第二基板。

公开(公告)号：CN101443184A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200780017502.3

申请日：2007-04-04

Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司

Inventor： 茅东升 ,  Z·雅尼弗

IPC: B32B1/08 ,  B29B9/06

Abstract: 通过在熔混法之前预处理纳米颗粒和聚合物小球可以同时提高粘土和碳纳米管(CNT)加强的聚合物基质纳米复合物的机械性质。通过球磨法将纳米颗粒涂布到聚合物小球的表面上。在将混合物研磨一段时间后，在聚合物小球的表面上形成纳米颗粒薄膜。

公开(公告)号：CN101432137A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015723.7

申请日：2007-03-30

Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司

Inventor： 茅东升 ,  Z·雅尼弗

IPC: B32B27/38 ,  B32B27/04

Abstract: MWNT(在本文中MWNT具有2个以上壁)和DWNT的组合可以明显提高聚合物纳米复合物的机械性质。少量DWNT加强物(＜1重量％)可以明显提高环氧基质纳米复合物的挠曲强度。相同或相似量的MWNT加强物可以明显提高环氧基质纳米复合物的挠曲模量(劲度)。与相同量的DWNT或MWNT加强的环氧纳米复合物相比，MWNT和DWNT加强的环氧纳米复合物的挠曲强度和挠曲模量得到进一步提高。在该环氧/DWNT/MWNT纳米复合物体系中，SWNT也可以替代DWNT起作用。除了环氧材料外，还可以使用其它热固性聚合物。

公开(公告)号：CN103975654A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280060112.5

申请日：2012-08-13

Applicant: 日本石原化学株式会社 ,  应用纳米技术控股股份有限公司

Inventor： 川户祐一 ,  三田伦广 ,  前田祐介 ,  工藤富雄

IPC: H05K3/12 ,  H05K3/18

CPC classification number: H05K1/092 ,  C09D11/52 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/032 ,  H05K1/0346 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/05 ,  H05K1/097 ,  H05K3/108 ,  H05K3/1283 ,  H05K3/185 ,  H05K3/241 ,  H05K3/246 ,  H05K3/381 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0145 ,  H05K2201/2072 ,  H05K2203/1105

Abstract: 本发明的目的是提供一种导电膜形成方法，该方法通过利用光烧结甚至在基底材料具有低耐热性时也可以在基底材料上形成具有低电阻的导电膜。导电膜形成方法是在基底材料1上形成导电膜2的方法，并且该方法包括以下步骤：在基底材料上形成由铜微粒4构成的膜3b，对膜3b进行光烧结，以及对经光烧结的膜3c实施镀敷。藉此通过降低光烧结过程中的光照射能量甚至在基底材料1具有低耐热性时也可以在基底材料1上形成导电膜2。由于导电膜2包括镀层21，因此电阻降低。

公开(公告)号：CN103797088A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201280031223.3

申请日：2012-05-08

Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司

Inventor： O·阿拜德 ,  李运钧 ,  J·P·诺瓦克 ,  S·金 ,  P·弗格森

IPC: C09K13/00

CPC classification number: H01B1/02 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50 ,  Y10S977/773

Abstract: 对于太阳能电池制造，向可印刷介质添加前体以辅助蚀刻穿过氮化硅或氧化硅层，从而得到与在氮化物或氧化物层之下的基材的接触。蚀刻机制可能是通过原位形成的熔融的陶瓷、基于氟化物的蚀刻和两者的结合。