有机发光显示设备及其制造方法

    公开(公告)号:CN102386207A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201110245081.8

    申请日:2011-08-25

    Inventor: 柳春其 崔埈厚

    Abstract: 在有机发光显示设备及其制造方法中,有机发光显示设备包括:薄膜晶体管的有源层,形成在基板上;形成在所述有源层和第一绝缘层上的栅电极,包括第一透明导电层和第一金属层;形成在所述栅电极和第二绝缘层上的源电极和漏电极,包括通过形成在所述第二绝缘层中的接触孔连接至所述有源层的第二金属层、形成在所述第二金属层上的第三金属层以及形成在所述第三金属层上的第二透明导电层;形成在所述第一绝缘层上的像素电极,包括所述第一透明导电层、所述第三金属层和所述第二透明导电层;布置在所述像素电极上的中间层,包括有机发射层;以及对电极,通过在所述像素电极与所述对电极之间布置所述中间层而被布置为面对所述像素电极。

    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102544054A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110229795.X

    申请日:2011-08-08

    Inventor: 柳春其 崔埈厚

    Abstract: 为了提供简化制造工序且提高开口率的有机发光显示装置及其制造方法,本发明提供一种有机发光显示装置,包括:基板;辅助电极,形成于所述基板上;薄膜晶体管,形成于所述辅助电极上,包括活性层、栅电极、源电极和漏电极;有机发光器件,与所述薄膜晶体管电连接,并依次层叠有像素电极、中间层和相对电极,其中,所述像素电极以与所述源电极和所述漏电极的至少一部分相同的物质形成于相同的层,所述中间层包括发光层,所述相对电极设置成与所述像素电极相对;以及接触电极,间隔一定距离以与所述源电极和所述漏电极相同的物质形成于相同的层,从而电连接所述辅助电极和所述相对电极。

    有机发光显示设备及其制造方法

    公开(公告)号:CN102569340A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201110318414.5

    申请日:2011-10-19

    Abstract: 提供了一种有机发光显示设备及其制造方法。一种有机发光显示设备,包括:基板;薄膜晶体管,形成在基板上,并且包括有源层、包括栅下电极和栅上电极的栅电极、源电极以及漏电极;有机发光器件,电连接至所述薄膜晶体管,其中顺序沉积由与所述栅电极的至少一部分相同的材料形成在同一层中的像素电极、包括发光层的中间层以及被布置为面对所述像素电极的对电极;以及第一焊盘电极和第二焊盘电极,所述第一焊盘电极由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中,所述第二焊盘电极由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成在同一层中,并且包括预定的离子被掺入与面对所述基板的表面相对的表面中的离子掺杂层。

    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102487071A

    公开(公告)日:2012-06-06

    申请号:CN201110305609.6

    申请日:2011-10-11

    CPC classification number: H01L27/1255 H01L27/3276 H01L29/4908

    Abstract: 在有机发光显示装置及其制造方法中,有机发光显示装置的焊盘区包括突起层、焊盘下电极和焊盘上电极,所述突起层包括形成在基板上以突起的多个突起部分,所述焊盘下电极包括沿突起层的突起轮廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分,并且所述焊盘上电极形成在所述焊盘下电极的平坦部分上。源/漏电极层形成在焊盘上电极上,有机层形成在所述源/漏电极层上,并且对电极层形成在所述焊盘下电极的突起部分和所述有机层上。所述对电极层在所述突起部分上跟随所述突起层的突起轮廓。根据这种结构,成本由于掩膜数目的减少而降低,制造工艺得以简化,并且所述焊盘区中的有机层的剥离现象得以解决。

    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102117826A

    公开(公告)日:2011-07-06

    申请号:CN201010541892.8

    申请日:2010-11-10

    CPC classification number: H01L27/3262 H01L27/3258

    Abstract: 本发明公开有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括:形成在基板上的薄膜晶体管的有源层;形成在所述有源层的边缘处的第一导电层;形成在所述基板和所述第一导电层上的第一绝缘层;与所述有源层的中央区域对应且形成在所述第一绝缘层上的第二导电层;与所述第二导电层隔开预定距离的扇出的下电极;像素电极;形成在所述第二导电层上的第三导电层;形成在所述扇出的下电极上的扇出的上电极;形成在所述第三导电层、所述扇出的上电极和所述像素电极上的第二绝缘层;以及与所述像素电极接触并且形成在所述第二绝缘层上的源电极和漏电极。

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