公开(公告)号：CN1921010B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610115059.0

申请日：2006-08-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： F·陈 ,  T·C·李 ,  T·D·苏利文 ,  R·S·孔特劳 ,  C·D·马齐 ,  T·M·莱文

IPC: G11C11/42

CPC classification number: G11C13/0009 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/04 ,  G11C13/047 ,  G11C2013/0054 ,  H01L45/1213 ,  H01L45/145

Abstract: 一种结构及用于操作该结构的方法。该方法包括在衬底上提供电阻/反射区，其中所述电阻/反射区包括一种材料，所述材料具有由于其吸收热而改变其反射系数的特性；通过所述电阻/反射区发送电流，以使所述电阻/反射区的反射系数从第一反射系数值变为不同于所述第一反射系数值的第二反射系数值；以及光学地读出所述电阻/反射区的反射系数变化。

公开(公告)号：CN100536140C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200480029416.0

申请日：2004-10-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： W·T·莫特西夫 ,  C·D·马齐

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于在通过聚焦辐射(52)的熔丝体删除期间保护电结构(25)的结构和相关方法。所述结构(1)包括熔丝元件(2)、保护板(10)、第一介质层(14)，以及第二介质层(4)。结构(1)在半导体装置(5)中形成。保护板(10)利用镶嵌工艺在第一介质层(14)中形成。第二介质层(4)在保护板(10)和第一介质层(14)上形成。熔丝元件(2)在第二介质层(4)上形成。熔丝元件(2)适于通过激光束(52)切断。第二介质层(4)的介电常数大于第一介质层(14)的介电常数。保护板(10)适于保护第一介质层(14)不受来自激光束(52)的能量。

公开(公告)号：CN1921010A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610115059.0

申请日：2006-08-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： F·陈 ,  T·C·李 ,  T·D·苏利文 ,  R·S·孔特劳 ,  C·D·马齐 ,  T·M·莱文

IPC: G11C11/42

CPC classification number: G11C13/0009 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/04 ,  G11C13/047 ,  G11C2013/0054 ,  H01L45/1213 ,  H01L45/145

Abstract: 一种结构及用于操作该结构的方法。该方法包括在衬底上提供电阻/反射区，其中所述电阻/反射区包括一种材料，所述材料具有由于其吸收热而改变其反射系数的特性；通过所述电阻/反射区发送电流，以使所述电阻/反射区的反射系数从第一反射系数值变为不同于所述第一反射系数值的第二反射系数值；以及光学地读出所述电阻/反射区的反射系数变化。

公开(公告)号：CN1864261A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029416.0

申请日：2004-10-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： W·T·莫特西夫 ,  C·D·马齐

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于在通过聚焦辐射(52)的熔丝体删除期间保护电结构(25)的结构和相关方法。所述结构(1)包括熔丝元件(2)、保护板(10)、第一介质层(14)，以及第二介质层(4)。结构(1)在半导体装置(5)中形成。保护板(10)利用镶嵌工艺在第一介质层(14)中形成。第二介质层(4)在保护板(10)和第一介质层(14)上形成。熔丝元件(2)在第二介质层(4)上形成。熔丝元件(2)适于通过激光束(52)切断。第二介质层(4)的介电常数大于第一介质层(14)的介电常数。保护板(10)适于保护第一介质层(14)不受来自激光束(52)的能量。