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公开(公告)号：CN102969029A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210310126.X
申请日：2012-08-28
Applicant: 成都海存艾匹科技有限公司
Inventor： 张国飙
IPC: G11C29/44
CPC classification number: G06F11/1469 , G06F11/1068 , G06F11/2056 , G06F2201/84 , G06F2212/7209 , G11C17/00 , G11C29/08 , G11C29/52 , G11C29/785 , G11C29/822 , G11C2029/0401 , G11C2029/0409 , G11C2229/74 , H01L2224/48145 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 随着存储容量的增加，三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM）的测试时间变得很长，成本很高。相应地，本发明提出一种现场修复系统。3D-MPROM的大部分数据在出厂时未被检测，而在使用现场被检测和修复。该系统含有一播放器。播放器对其数据进行检测。当发现错误数据时，通过播放器自带的网络等通讯手段从一远程伺服器处获取正确数据。远程伺服器至少存储在读内容的一个备份。
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公开(公告)号：CN102332454A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010226845.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/112 , H01L21/8246 , G11C17/16 , G11C17/18
CPC classification number: H01L27/112 , G11C17/00 , H01L21/768 , H01L23/5252 , H01L23/538 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层，其中，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个以上所述及的一次可编程存储单元。该OTP单元以及OTP具有编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强的特点，并且其制备方法相对简单、成本低。
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公开(公告)号：CN101874240A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200880116827.1
申请日：2008-10-23
Applicant: 三德动力有限公司
Inventor： 拉多斯拉夫·达尼拉克
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F3/0616 , G06F3/0608 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0649 , G06F3/0652 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0673 , G06F11/1072 , G06F12/023 , G06F12/0246 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7205 , G06F2212/7211 , G11C14/009 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C17/00 , G11C29/04 , G11C29/52
Abstract: 本发明提供了一种用于增加存储器的多个块的寿命的系统、方法以及计算机程序产品。在操作中，确定影响存储器的多个块的寿命的至少一个因子。此外，基于该至少一个因子选择多个块中要进行写入的块。
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公开(公告)号：CN101908380B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010002347.1
申请日：2010-01-11
Applicant: 美格纳半导体有限会社
Abstract: 本文公开一种能够通过加强读取操作中的数据感测裕度来提高可靠性的非易失性存储装置的单元，及一种具有该单元的非易失性存储装置。非易失性存储装置的单元包括：反熔丝，其具有在输入端子与输出端子之间的第一端子；及第一切换部件，其耦接于反熔丝的第二端子与接地电压端子之间。
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公开(公告)号：CN103813101A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410055912.9
申请日：2014-02-18
Applicant: 青岛海信移动通信技术股份有限公司
IPC: H04N5/232
CPC classification number: H04N17/002 , G11C17/00 , H04N5/23225 , H04N5/23229
Abstract: 本发明公开了一种相机启动方法及终端，主要内容包括：通过借用终端内部的存储器，将经过校准处理的相机模组OTP数据存储到所述存储器中，以便于以后每次需要进入相机时，都能直接将存储在存储器中校准后的相机模组OTP数据写入相机光学传感器的寄存器，不必每次都进行校准操作，从而缩短了终端进入相机的时间以及相机启动的时间，同时避免了过多的校准计算，减小了终端内核的负荷，提升用户体验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1267389A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN98808217.9
申请日：1998-06-17
Applicant: 薄膜电子有限公司
IPC: G11C11/21 , G11C11/22 , G11C11/42 , G11C13/02 , H03K19/177
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C13/04 , G11C17/00 , G11C17/14 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/71 , G11C2213/77
Abstract: 一种用于数据记录、存储和/或处理的电可寻址无源器件,包含一种如层状连续的或图形的结构(S)形式的可以产生物理或化学状态变化的功能媒质(1),功能媒质(1)由互相独立的可寻址单元(2)组成,其代表一个被记录的或被检测的值或是赋予单元的一个预置的逻辑值。单元(2)处于接触单元(2)中功能媒质的电极组(E)中的阳极(3)和阴极(4)之间并引起它们的电耦合,功能媒质具有非线性的阻抗特征,由此单元(2)能够直接地用影响单元状态变化的能量供给。在用于无源器件的电寻址方法中,其中寻址包含对指定给单元之逻辑值的写、读和开关的检测、记录和其它操作的操作,电能量直接加到单元的功能媒质,以便改变其状态并因此有效进行寻址操作。本发明用在光检测器件、体数据存储器件或数据处理器件中。
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公开(公告)号：CN1954425B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN200580015627.3
申请日：2005-04-29
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/525 , G11C5/06
CPC classification number: G11C17/00 , H01L23/50 , H01L23/525 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L2224/16 , H01L2924/01057 , H01L2924/3011
Abstract: 方法和系统提供与各种工业标准插座兼容的半导体管芯，其中每种类型的插座由不同的引脚映射进行标识。在一个实施方案中，管芯具有多条信号线、一个或更多个表面接触体和耦合到所述信号线和所述表面接触体的一个或更多个信号选择器。每个信号选择器基于编程信号，将所述信号线中的一条电连接到所述表面接触体中的一个。在特定实施方案中，每个信号选择器包括复用器和熔丝元件，其中所述复用器基于所述熔丝元件的编程值，将它的输入端口中的一个路由到它的输出端口。编程值可以由编程信号设置。
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公开(公告)号：CN104078080A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410268321.X
申请日：2010-01-11
Applicant: 美格纳半导体有限会社
Abstract: 公开了非易失性存储装置的单元及具有该单元的非易失性存储装置。非易失性存储装置的单元包括：反熔丝，具有在输入端子与输出端子之间的第一端子；第一切换部件，耦接于反熔丝的第二端子与接地电压端子之间；第二切换部件，耦接于输入端子与反熔丝的第一端子之间；传输门，耦接于反熔丝的第一端子与输出端子之间；感测放大器，耦接于传输门与输出端子之间，以及第三切换部件，耦接于电源电压端子与传输门和感测放大器的共同节点之间。第三切换部件将读取电压传送至传输门。传输门在写入操作期间使反熔丝的第一端子与输出端子切断连接且在读取操作期间将反熔丝的第一端子与输出端子连接。感测放大器感测及放大在读取操作期间自传输门输出的数据。
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公开(公告)号：CN103875039A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280042120.7
申请日：2012-08-28
Applicant: 杭州海存信息技术有限公司
Inventor： 张国飙
IPC: G11C29/04
CPC classification number: G11C29/822 , G11C17/00 , G11C29/4401 , G11C2029/0409
Abstract: 提供一种现场修复系统。该系统的播放器对三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM）的数据进行检测，当发现错误数据时，从一远程伺服器处获取正确数据，或从播放器的暂时存储器中获取正确数据。该方案中，三维掩膜编程只读存储器的大部分数据在出厂时未被检测，而在使用现场被检测和修复，可以缩短测试时间，降低测试成本。
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公开(公告)号：CN103871478A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310665285.6
申请日：2013-12-10
Applicant: 德州仪器公司
IPC: G11C29/12
CPC classification number: G11C29/12 , G01R31/318519 , G01R31/318555 , G11C17/00 , G11C29/16 , G11C29/36 , G11C2029/0401
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式存储器测试系统。本发明涉及一种用于测试嵌入式存储器的可编程内建自测试pBIST系统，其中将需要不同测试条件的多个存储器并入于SOC中。存储测试设置数据的pBIST只读存储器经组织以消除针对类似嵌入式存储器的测试设置数据的多个实例。
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