嵌入式存储器测试系统
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103871476B

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201310659144.3

    申请日:2013-12-09

    Abstract: 本发明涉及一种嵌入式存储器测试系统。本发明涉及一种用于测试嵌入式存储器的可编程内建自测试pBIST系统,其中所述存储器可在不同于所述pBIST的电压域的电压域下操作。使用多个缓冲寄存器及同步寄存器来避免由桥接所述各种电压域所需的电压移位器所引入的时间延迟而导致的亚稳条件。

Patent Agency Ranking