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公开(公告)号：CN1277724A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN98810574.8
申请日：1998-08-28
Applicant: 薄膜电子有限公司
IPC: G11C11/56 , G11C17/10 , H01L27/102
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C11/5692 , G11C13/0016 , H01L27/112
Abstract: 一种只读存储器形成为可在无源导体矩阵上电寻址,其中矩阵中两导体(2,4)间的空间限定一个存储单元(5)。数据在存储单元中存储为阻抗值。存储单元(5)包括提供高阻抗的隔离材料(6)或一个或多个较好是具有各向异性导电特性的无机或有机半导体(9)。半导体材料(9)与矩阵中金属导体(2,4)的界面构成二极管结。通过在存储单元中适当地设置各隔离材料(6)和半导体材料(9),可以给出可电读取且对应于二进制或多值编码的逻辑值的确定阻抗值。一个或多个只读存储器(ROM)可设于半导体衬底(1)上,以完成只读存储器件,半导体衬底(1)上还包括驱动和控制电路(13)。该器件可以平面实现,或可以通过以水平层(15)层叠数个只读存储器(ROM),并使它们通过寻址总线与衬底(1)连接立体实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1334963A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN99816048.2
申请日：1999-12-03
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: G11C11/22 , B82Y10/00 , G11C5/02 , H01L25/0657 , H01L2224/32145 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06555 , H01L2225/06572 , H01L2924/3011
Abstract: 在一种可伸缩的数据处理设备中,具体地说,在一种数据存储设备中,构成一基本上为平面层的一个或多个薄层器件包括多个薄膜子层。两个或多个薄膜器件设置成由构成上述薄膜器件的基本上为平面的层所形成的成整体的叠置体,因此,所述设备构成了一叠置结构。每个薄膜器件均包括:一个或多个存储器区,该区构成了矩阵式可寻址存储器;以及,电路区,该区构成了用于对一个或多个存储器中的存储器单元进行控制、驱动和寻址的薄膜电路。每个存储器均具有与所述设备中其它的每个一个薄膜器件的接口,所述接口是用通讯和信号线及用于处理的支撑电路来实现的,所述支撑电路垂直穿过薄膜器件上的相应专用接口区。
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公开(公告)号：CN1276905A
公开(公告)日：2000-12-13
申请号：CN98810259.5
申请日：1998-08-13
Applicant: 薄膜电子有限公司
IPC: G11C11/22 , H03K19/185
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/0688
Abstract: 在采用无源或电寻址的用于处理和/或存储数据的一种铁电体数据处理器件中,使用了铁电材料薄膜(1)形状的一个数据载体,在施加电场时所说铁电材料薄膜极化到预定极化状态或者在这些状态之间转换,该薄膜以连续层形式设置在矩阵结构的电极结构之中或与它们相邻之处。在所说电极矩阵的一个x电极(2)与一个y电极(3)的交点处形成一个逻辑单元(4)。通过在所说电极(2、3)上施加一个大于铁电体材料矫顽场强的电压对所说逻辑单元(4)进行寻址。根据极化状态和铁电体材料滞后回线形状,可以清楚地检测逻辑单元(4)的极化状态,还可以使逻辑单元在两种极化状态之间转换,因此,所说逻辑单元可以用作一种双稳态开关或一种存储单元。如果将各层之间用电绝缘层分开,则本发明的数据处理器件可以以叠层形式构成,因此可以构成三维数据处理器件。
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公开(公告)号：CN1267389A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN98808217.9
申请日：1998-06-17
Applicant: 薄膜电子有限公司
IPC: G11C11/21 , G11C11/22 , G11C11/42 , G11C13/02 , H03K19/177
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C13/04 , G11C17/00 , G11C17/14 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/71 , G11C2213/77
Abstract: 一种用于数据记录、存储和/或处理的电可寻址无源器件,包含一种如层状连续的或图形的结构(S)形式的可以产生物理或化学状态变化的功能媒质(1),功能媒质(1)由互相独立的可寻址单元(2)组成,其代表一个被记录的或被检测的值或是赋予单元的一个预置的逻辑值。单元(2)处于接触单元(2)中功能媒质的电极组(E)中的阳极(3)和阴极(4)之间并引起它们的电耦合,功能媒质具有非线性的阻抗特征,由此单元(2)能够直接地用影响单元状态变化的能量供给。在用于无源器件的电寻址方法中,其中寻址包含对指定给单元之逻辑值的写、读和开关的检测、记录和其它操作的操作,电能量直接加到单元的功能媒质,以便改变其状态并因此有效进行寻址操作。本发明用在光检测器件、体数据存储器件或数据处理器件中。
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公开(公告)号：CN1316102A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN99809233.9
申请日：1999-06-02
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: H01L21/02686 , G11C5/02 , G11C17/06 , H01L21/02532 , H01L21/02689 , H01L21/2026 , H01L21/768 , H01L21/76888 , H01L21/76894 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1021 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11502 , H01L51/0001 , H01L51/0024 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种数据存储和处理装置,包括衬底上的ROM和/或WORM和/或REWRITABLE存储模块和/或处理模块。存储和/或处理模块作为单个主层或多个主层提供在衬底上面。该装置包括使该装置工作的晶体管和/或二极管形式的有源元件。在一组实施例中,至少某些或多数使该装置工作的晶体管和/或二极管提供在衬底上或内。在另一组实施例中,衬底上面的至少某些和多数层包括低温兼容有机材料和/或低温兼容加工过的无机膜,甚至不需要设置在衬底上或内的晶体管和/或二极管。制造这种数据存储和处理装置的方法中,存储和/或处理模块通过以连续步骤淀积各层提供在衬底上。在避免使已淀积和加工过的底层处于超过给定稳定极限特别是有机材料的极限的静态或动态温度的热条件下,淀积和加工所说各层。
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公开(公告)号：CN1277723A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN98810569.1
申请日：1998-08-28
Applicant: 薄膜电子有限公司
IPC: G11C11/56 , G11C17/10 , H01L27/102
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C11/5692 , G11C13/0016 , H01L27/112
Abstract: 一种只读存储器形成为可在无源导体矩阵上电寻址,其中矩阵中两导体(2,4)间的空间限定一个存储单元(5)。数据在存储单元中存储为阻抗值。存储单元(5)包括提供高阻抗的隔离材料(6)或一个或多个较好是具有各向异性导电特性的无机或有机半导体(9)。半导体材料(9)与矩阵中金属导体(2,4)的界面构成二极管结。通过在存储单元中适当地设置各隔离材料(6)和半导体材料(9),可以给出可电读取且对应于二进制或多值编码的逻辑值的确定阻抗值。一个或多个只读存储器(ROM)可设于半导体衬底(1)上,以完成只读存储器件,半导体衬底(1)上还包括驱动和控制电路(13)。该器件可以平面实现,或可以通过以水平层(15)层叠数个只读存储器(ROM),并使它们通过寻址总线与衬底(1)连接立体实现。
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