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公开(公告)号：CN100585730C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN03821549.7
申请日：2003-09-10
Applicant: 薄膜电子有限公司
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明涉及用于操作铁电或驻极体存储器的方法及此类装置。在该方法中，当从存储单元中读取数据时，第一多个电压差被施加给矩阵可寻址阵列中第一和第二组电极两端，在数据被刷新或重写到存储单元的情况下，第二多个电压差被施加给第一和第二组电极两端。表示存储单元中响应变化的至少一个参数被确定并用于确定至少一个用于电压脉冲的校准因数，借此依据至少一个校准因数调整至少一个脉冲参数。本发明还涉及执行上述方法的铁电或驻极体存储器。本发明的方法和存储器能够消除或减少由磁滞曲线、矫顽电压、和关于铁电或驻极体存储器中寻址操作的切换速度的变化造成的问题。
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公开(公告)号：CN1146039C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN99809293.2
申请日：1999-06-02
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: H01L21/02686 , G11C5/02 , G11C17/06 , H01L21/02532 , H01L21/02689 , H01L21/2026 , H01L21/768 , H01L21/76888 , H01L21/76894 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1021 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11502 , H01L51/0001 , H01L51/0024 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种可调节的集成数据处理设备，它包含具有一个或更多个处理器的处理单元和具有一个或更多个存储器的存储单元，它们分别被提供在形成设备中的主层的一个或更多个处理器层(P)、存储器层(M)或组合的处理器/存储器层(MP)中。各个主层包含在层中形成三维内部电连接的导电结构。数据处理设备还包含载体衬底。各个主层(P，M，MP)由大量各分别包含介电部分、半导电部分和导电部分的子层构成，它们被提供成构成包括在处理器和存储器中的集成有源和无源电路元件，电路元件、处理器和存储器被各个主层中的导电结构相互连接。其它的导电结构被提供在数据处理设备中，以便将各个主层相互互连和/或将各个主层与衬底相互互连，或以便产生到数据处理设备外部的连接。此集成数据处理设备具有可调节的结构，致使原则上能够构成具有几乎无限的处理器和存储器容量。确切地说，此数据处理设备能够实现以三维最佳互连集成的各种各样形式的可调节的并行结构。
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公开(公告)号：CN1295719A
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：CN99804490.3
申请日：1999-01-28
Applicant: 薄膜电子有限公司
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01L51/0001 , H01L21/768 , H01L21/76888 , H01L21/76894 , H01L21/8221 , H01L51/0024 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 在基体中制作导电或半导电三维结构的方法中,其中基体包括两种和多种处于空间隔离材料结构中的材料,每种材料结构都受到与材料响应相配合的具有给定强度和/或频率特性的辐射的照射,辐射根据在相关材料结构中表示导电或半导电结构的预定图案的协议受到调制,通过辐射,在材料结构中制成了具有预定图案的二维导电和半导电结构,这样包含各种材料结构的基体就具有了导电或半导电三维结构。在擦除这种导电或半导电结构的方法中,每种材料结构都以一种与制作该结构相对应的方式受到照射,只是通过辐射将材料结构中的导电或半导电二维结构擦除,结构中的材料全部转化为非导电态。
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公开(公告)号：CN1267389A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN98808217.9
申请日：1998-06-17
Applicant: 薄膜电子有限公司
IPC: G11C11/21 , G11C11/22 , G11C11/42 , G11C13/02 , H03K19/177
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C13/04 , G11C17/00 , G11C17/14 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/71 , G11C2213/77
Abstract: 一种用于数据记录、存储和/或处理的电可寻址无源器件,包含一种如层状连续的或图形的结构(S)形式的可以产生物理或化学状态变化的功能媒质(1),功能媒质(1)由互相独立的可寻址单元(2)组成,其代表一个被记录的或被检测的值或是赋予单元的一个预置的逻辑值。单元(2)处于接触单元(2)中功能媒质的电极组(E)中的阳极(3)和阴极(4)之间并引起它们的电耦合,功能媒质具有非线性的阻抗特征,由此单元(2)能够直接地用影响单元状态变化的能量供给。在用于无源器件的电寻址方法中,其中寻址包含对指定给单元之逻辑值的写、读和开关的检测、记录和其它操作的操作,电能量直接加到单元的功能媒质,以便改变其状态并因此有效进行寻址操作。本发明用在光检测器件、体数据存储器件或数据处理器件中。
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公开(公告)号：CN1969339A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580019798.3
申请日：2005-04-12
Applicant: 薄膜电子有限公司
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明涉及一种用于增加铁电或电介体存储单元的数据存储容量的方法，已经对该存储单元应用了数据存储并使其达到一种压印状态，使用适当的电压脉冲用于使该压印状态暂时松弛至一种易失性偏振态，可以在非破坏读出操作中区别该易失性偏振态和压印偏振态。使用一个或多个电压脉冲序列来引起读出信号，该读出信号可分别表示存储单元的非易失性偏振态和易失性偏振态，但是不改变所述偏振态。可以通过为压印存储单元分配第一逻辑值和第二逻辑值，并通过将选择的存储单元转换成一种松弛状态，以此可以覆盖压印存储单元来实现铁电或电介体存储装置内存储装置中的暂时和易失性数据存储，从而可以通过检测各个压印和松弛存储单元的动态响应中的差异来区别存储的逻辑值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1184525C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN98807929.1
申请日：1998-06-05
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G02F3/02 , G11C7/005 , G11C11/5664 , G11C13/00 , G11C13/0016 , G11C13/04 , Y10S359/90
Abstract: 在多稳态光学逻辑单元中，具有光敏有机材料(1)，其通过用光辐射能够进行具有几个物理状态的光致循环，其中物理状态被指定为能够通过光学寻址单元而改变的逻辑值，寻址初始之前的单元处于预先产生的亚稳态。通过提供至少彩色光源(1)用于光学寻址和至少一个彩色敏感光检测器(5)靠近光敏材料，已将多稳态光学逻辑单元做成邻近可寻址的。在用于制备光敏材料(1)的方法中，希望的初始亚稳态在光致循环中产生并为单元指定了确定的逻辑值。在用于光学逻辑单元光学寻址的方法中，用于分别写和存储、读、擦和转换的步骤包括产生光致循环中状态之间的转变和状态的检测。在用于数据存储和处理的光学逻辑器件中的使用。
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公开(公告)号：CN1494792A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN02805676.0
申请日：2002-02-27
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: H04L12/1881 , H04L12/1859 , H04L29/06027 , H04L67/1002 , H04L67/1008 , H04L67/101 , H04L67/1023 , H04L67/2842 , H04L67/289 , H04L67/327 , H04L69/329 , H04N21/222 , H04N21/26225 , H04N21/26241 , H04N21/6125 , H04N21/84
Abstract: 一种方法，用于使终端用户(5)较为有效地访问并使用由全球信息供应商5(4)提供的信息，其中所述信息由动态数据、准静态数据、静态数据或其混合组成，包括静态数据库、影片、音乐、文本等，对于终端用户的利用，原则上仅需要将其从全球信息供应商(4)到终端用户(5)发送一次；在所述方法中，基于数据文件而提供的信息借助用于每个数据文件的唯一的分类信息标示来分类，并且在优先权矩阵的基础上产生用于数据文件的传输的优先权协议，所述矩阵包括由用于传输的准则形成的元素，所述元素规定这些准则的组合。每个经分类的数据文件在用于该数据文件的分类信息标示的基础上被指定给在所产生的优先权协议中选择的至少一个优先权协议，被指定的优先权协议规定进行该数据文件的传输应凭借的条件。在被指定的优先权协议的基础上选择用于传输的通信信道。以以下模式之一访问信息：(I)数据文件或多个数据文件依照预定优先权协议或临时指定的优先权协议被直接发送给终端用户；(II)数据文件或多个数据文件依照预定优先权协议被缺省和自动地发送给一个或多个终端用户；(III)数据文件或多个数据文件依照预定优先权协议或临时指定的优先权协议被发送，并且被存储物理接近于终端用户。
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公开(公告)号：CN1419696A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN01806944.4
申请日：2001-03-22
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: G11C8/14 , B82Y10/00 , G11C8/00 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , G11C2213/81
Abstract: 一种用来在包含一个或多个集体元件的器件中提供寻址能力的装置，集体元件与所述装置一起组成器件中矩阵的一部分，且其中的集体元件包含一个或多个具有数据存储或处理功能的单元，所述装置利用矩阵中的电极而建立到特定单元的电连接，从而确定集体元件中的单元。所述装置包含至少3组多个条形电极，各组的条形电极以相互基本上平行的关系被提供在形成矩阵附加部分的二维平面层中。一个层中的条形电极组与紧邻层电极组取向的投影角成一定角度而被定位在此一个层上，致使紧邻层中的条形电极组表现相互不正交的关系。借助于将电流或电压施加到各个电极组中的被选择的电极，而发生单元的选择性寻址。利用位于衬底上的二个或更多个矩阵的叠层，实现了包含这种装置的器件，从而实现了用于数据存储或数据处理的立体器件。
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公开(公告)号：CN1294755A
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN99804437.7
申请日：1999-01-28
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: H01L51/0001 , H01L21/768 , H01L21/76888 , H01L21/76894 , H01L21/8221 , H01L51/0024 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 在一种在复合基体中产生二维或三维导电或半导电结构的方法中,其中的基体是由两种或多种空间上隔开的材料构成的,一电场施加到各个材料上,或者电场是根据一协议而空间场调制的,上述协议代表使上述材料结构响应于所述电场所产生的预定导电或半导电结构的图案。所述材料结构组成的基体因此包括这种三维结构。在一种全面擦除的方法中,对基体施加一电场,直到基体中的材料响应于电场全部到达非导电态。在能构图或产生导电或半导电结构的电场发生器/调制器(EFGM)中,两个电极装置(E1,E2)包括在平行的平面内相互间隔开提供的平行条形(21,22),由此形成矩阵状结构。电极装置(E1,E2)是连接到电源(23)的过交连器件(24,25)。EFGM(20)适于在电极器件(E1,E2)中间接收薄膜材料以便产生所述结构。
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公开(公告)号：CN1265746A
公开(公告)日：2000-09-06
申请号：CN98807929.1
申请日：1998-06-05
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G02F3/02 , G11C7/005 , G11C11/5664 , G11C13/00 , G11C13/0016 , G11C13/04 , Y10S359/90
Abstract: 在多稳态光学逻辑单元中,具有光敏有机材料(1),其通过用光辐射能够进行具有几个物理状态的光致循环,其中物理状态被指定为能够通过光学寻址单元而改变的逻辑值,寻址开始之前的单元处于预先产生的亚稳态。通过提供至少彩色光源(1)用于光学寻址和至少一个彩色敏感光检测器(5)靠近光敏材料,已将多稳态光学逻辑单元做成可邻近寻址的。在用于制备光敏材料(1)的方法中,希望的初始亚稳态在光致循环中产生并为单元指定了确定的逻辑值。在用于光学逻辑单元光学寻址的方法中,用于分别写和存储、读、擦和转换的步骤包括产生光致循环中状态之间的转变和状态的检测。在用于数据存储和处理的光学逻辑器件中的使用。
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