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公开(公告)号：CN1474466A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03138280.0
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
CPC classification number: H01L33/42 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0256 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0025 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/06102 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明提供一种发光元件及其制造方法，利用该方法能够得到从可见区透过紫外区光的无色透明的导电体，该导电体可用于基板作为垂直结构，可将基板一侧作为取光面。在可控制的气体保护高温炉中设置坩埚(6)，坩埚(6)中装有原料熔液(9)和具有缝隙(8a)的缝模(8)，原料熔液(9)利用毛细管现象连续沿缝隙(8a)上升到熔液表面，通过缝模(8)和坩埚(6)，用EFG法培养截面形状与上述缝模(8)的上面相同的单晶体，如此将原料熔液(9)制造成基板。在该基板上，用MOCVD法生长III－V族、II－VI族、或两者的薄膜。
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公开(公告)号：CN101257079A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810089385.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供发光元件及半导体基板的制作方法。该发光元件包含：β－Ga2O3基板、在所述β－Ga2O3基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。该半导体基板的制作方法包含：在β－Ga2O3基板上形成GaN系半导体层的步骤；在所述GaN系半导体层上形成GaN系外延层的步骤；以及从所述GaN系外延层削除所述β－Ga2O3基板和所述GaN系半导体层，制作所述GaN系外延层的基板的步骤。
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公开(公告)号：CN101257079B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810089385.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供发光元件及半导体基板的制作方法。该发光元件包含：β-Ga2O3基板、在所述β-Ga2O3基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。该半导体基板的制作方法包含：在β-Ga2O3基板上形成GaN系半导体层的步骤；在所述GaN系半导体层上形成GaN系外延层的步骤；以及从所述GaN系外延层削除所述β-Ga2O3基板和所述GaN系半导体层，制作所述GaN系外延层的基板的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101320780B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810128878.8
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
CPC classification number: H01L33/42 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0256 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0025 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/06102 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明涉及一种发光元件，所述发光元件包括：Ga2O3基板；n型AlzGa1-zN包覆层，形成在所述Ga2O3基板的第一表面上，其中0≤z＜1；InmGa1-mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型AlpGa1-pN包覆层，形成在所述InGaN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述Ga2O3基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型AlpGa1-pN包覆层上。
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公开(公告)号：CN101320780A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810128878.8
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
CPC classification number: H01L33/42 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0256 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0025 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/06102 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明涉及一种发光元件，所述发光元件包括：Ga2O3基板；n型AlzGa1－zN包覆层，形成在所述Ga2O3基板的第一表面上，其中0≤z＜1；InmGa1－mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型AlpGa1－pN包覆层，形成在所述InGaN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述Ga2O3基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型AlpGa1－pN包覆层上。
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公开(公告)号：CN100405618C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN03138280.0
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
Abstract: 本发明提供一种发光元件及其制造方法，利用该方法能够得到从可见区透过紫外区光的无色透明的导电体，该导电体可用于基板作为垂直结构，可将基板一侧作为取光面。在可控制的气体保护高温炉中设置坩埚(6)，坩埚(6)中装有原料熔液(9)和具有缝隙(8a)的缝模(8)，原料熔液(9)利用毛细管现象连续沿缝隙(8a)上升到熔液表面，通过缝模(8)和坩埚(6)，用EFG法培养截面形状与上述缝模(8)的上面相同的单晶体，如此将原料熔液(9)制造成基板。在该基板上，用MOCVD法生长III-V族、II-VI族、或两者的薄膜。
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公开(公告)号：CN100394549C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200480022689.2
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 一种能够提供具有高产品质量的GaN外延层的半导体层。这种半导体层包含由β-Ga2O3单晶组成的β-Ga2O3衬底(1)、通过氮化β-Ga2O3衬底(1)表面形成的GaN层(2)和根据MOCVD技术在GaN层(2)上外延生长形成的GaN生长层(3)。GaN层(2)的晶格常数与GaN生长层(3)的晶格常数一致，并且GaN生长层(3)继承GaN层(2)的高结晶度而生长，从而获得具有高结晶度的GaN生长层(3)。
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公开(公告)号：CN1833310A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022689.2
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 一种能够提供具有高产品质量的GaN外延层的半导体层。这种半导体层包含由β－Ga2O3单晶组成的β－Ga2O3衬底(1)、通过氮化β－Ga2O3衬底(1)表面形成的GaN层(2)和根据MOCVD技术在GaN层(2)上外延生长形成的GaN生长层(3)。GaN层(2)的晶格常数与GaN生长层(3)的晶格常数一致，并且GaN生长层(3)继承GaN层(2)的高结晶度而生长，从而获得具有高结晶度的GaN生长层(3)。
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