石墨发热体炉内碳素材料表面SiC-C涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN106915975A

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201510986406.6

    申请日:2015-12-25

    发明人: 陈照峰 余盛杰

    IPC分类号: C04B41/87

    摘要: 一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面叠层SiC-C涂层的制备方法,其特征在于,将高温处理过后的石墨发热体加热炉抽至真空,升温至1100~1250℃。然后通入氩气,15~30min后开始通入氢气,15~30min后待炉内环境稳定后,开始通入三氯甲基硅烷(MTS),炉内化学气相沉积反应5~10h后,停止通入三氯甲基硅烷,15~30min后开始通入丙烯气体,气相反应热解碳界面层,氢气和氩气继续按原气体流量通入,保持炉内温度稳定在900~1100℃,1~5h后停止通入丙烯气体,15~30min后再次通入三氯甲基硅烷继续反应沉积SiC涂层,如此反复沉积5~10次SiC涂层和C界面层后得到石墨发热体加热炉内碳素材料表面叠层SiC-C涂层。化学气沉积碳化硅涂层以及热解碳层均匀致密,叠层结构延长涂层对碳素材料的防护使用寿命。