公开(公告)号：CN105206661B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510592397.2

申请日：2015-09-17

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 郭宝刚 ,  胡思福 ,  李同彩 ,  杨永佳 ,  刘德雄 ,  蒋鑫 ,  李晓红 ,  温才 ,  唐金龙 ,  李同洪 ,  刘桂枝

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种微米级S‑Si半导体合金膜，所述合金膜是由基片、S膜和Si膜组成的多晶结构；所述合金膜的薄层电阻为10～50Ω/口，在1.1～2.5μm近红外波段中，反射率为7～15%；该合金膜的制备方法包括镀膜、合金化和退火。本发明制备的半导体合金应用于光伏太阳能电池后，其在1.1‑2.5μm的近红外波段的转换效率η可提高到2%以上；该微米级S‑Si半导体合金膜环保、具有低的反射率、低的薄层电阻和在1.1‑2.5μm的近红外光波段有显著的光电转换效应，且制备方法操作简单、制备方便、成本低、适用于工业化大规模生产。

公开(公告)号：CN105206661A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510592397.2

申请日：2015-09-17

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 郭宝刚 ,  胡思福 ,  李同彩 ,  杨永佳 ,  刘德雄 ,  蒋鑫 ,  李晓红 ,  温才 ,  唐金龙 ,  李同洪 ,  刘桂枝

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02656 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明公开了一种微米级S-Si半导体合金膜，所述合金膜是由基片、S膜和Si膜组成的多晶结构；所述合金膜的薄层电阻为10～50Ω/口，在1.1～2.5μm近红外波段中，反射率为7～15%；该合金膜的制备方法包括镀膜、合金化和退火。本发明制备的半导体合金应用于光伏太阳能电池后，其在1.1-2.5μm的近红外波段的转换效率η可提高到2%以上；该微米级S-Si半导体合金膜环保、具有低的反射率、低的薄层电阻和在1.1-2.5μm的近红外光波段有显著的光电转换效应，且制备方法操作简单、制备方便、成本低、适用于工业化大规模生产。