公开(公告)号：CN105579625A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480048923.2

申请日：2014-07-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 玄番润 ,  西口太郎 ,  土井秀之 ,  松岛彰

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/20 ,  C30B29/64 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355

Abstract: 一种具有主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延衬底(10)，其包含：基础衬底(1)，以及形成在所述基础衬底(1)上并包括所述主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延层(2)，所述第二主表面(2A)具有0.6nm或更低的表面粗糙度，在包括所述主表面(第二主表面(2A))的表面层处的所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的标准偏差与在所述表面层处所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的平均值之比，为15％或更低。

公开(公告)号：CN105164322A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480024728.6

申请日：2014-04-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  山田俊介 ,  堀井拓 ,  松岛彰 ,  久保田良辅 ,  冲田恭子 ,  西浦隆幸

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤。制备具有第一主表面(80a)、第二主表面(80b)以及第一侧端部(80c)的碳化硅单晶衬底(80)，第二主表面(80b)与第一主表面(80a)相反，第一侧端部(80c)将第一主表面(80a)和第二主表面(80b)彼此连接，第一主表面(80a)的宽度(D)的最大值大于100mm。碳化硅外延层(81)形成为与第一侧端部(80c)、第一主表面(80a)以及第一主表面(80a)和第一侧端部(80c)之间的边界(80d)接触。去除形成为与第一侧端部(80c)和边界(80d)接触的碳化硅外延层(81)。因此，可抑制形成在碳化硅衬底上的二氧化硅层中产生的破裂。

公开(公告)号：CN105917034A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480073219.2

申请日：2014-11-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  上田俊策 ,  松岛彰

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法能够容易地将碳化硅单晶与基座分离。所述方法包括如下步骤：将籽晶衬底和基座在其间具有应力缓冲层的情况下固定的步骤(S10)；在所述籽晶衬底上生长碳化硅单晶的步骤(S20)；在所述应力缓冲层处将所述碳化硅单晶与所述基座分离的步骤(S30)；以及将所述分离步骤(S30)后的碳化硅单晶上附着的所述应力缓冲层的残余物除去的步骤(S40)。

公开(公告)号：CN105239157A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510381268.9

申请日：2015-07-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  上田俊策 ,  松岛彰

IPC: C30B23/06

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B35/002 ,  F27B14/10 ,  F27B2014/102 ,  F27B2014/104

Abstract: 本发明涉及一种坩埚和制造单晶体的方法。所述坩埚具有底部和筒状的侧表面。坩埚包括第三区域、从第三区域延伸的第二区域和从第二区域延伸的第一区域。坩埚包括位于侧表面内侧的第一壁和第二壁。第一壁与侧表面之间形成有第一室，第二壁与侧表面之间形成有第二室。第一壁上的水平对向部分之间的距离是恒定的或随其接近底部而增加。第二壁上的水平对向部分之间的距离随着其接近底部而增加。第一壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(α)小于第二壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(β)。倾斜角(α)为30度或更小。倾斜角(β)为70度或更小。倾斜角(β)与倾斜角(α)之间的差为50度或更小。