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公开(公告)号：CN109423623A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710773743.6
申请日：2017-08-31
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/45561 , C23C16/4588
摘要： 本发明揭示了气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉，气相沉积炉的均匀供气装置，包括至少一条呈T字形的匀气管路，所述匀气管路的出气孔的朝向与反应气体的上升方向相反且背向工件。本发明设计精巧，通过设置出气孔的朝向，能够使反应气体流出后逐步的扩散到工件区域，避免了一个气口直接朝向工件供气时易造成气流冲击以及易使反应气体集中于某一区域，造成反应气体分布不均匀的问题，能够保证反应气体供应的均匀性，有利于提高薄膜沉积的质量。
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公开(公告)号：CN107151791A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710120993.X
申请日：2017-03-02
申请人： 威科仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/30 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/45504 , C23C16/45519 , C23C16/4584 , C23C16/4588 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , C23C16/45591 , C23C16/301 , H01L21/2036
摘要： 本申请涉及一种用于操作化学气相沉积CVD系统的方法和结合所述CVD系统使用的反应器。两个遮板从喷射块径向向外的配置和晶片载体以可拆卸方式安装于其上的晶座经配置可提供通过反应室的流动路径，所述流动路径不展现涡流，由此减少或排除所述反应室内侧上的积聚且促成了所述喷射块与所述晶片载体之间的大温度梯度。这可以通过在上遮板的径向内壁引入净化气流来实现，且在一些实施例中，净化气体可以具有与用于使所期望的外延结构在晶片载体上生长的前驱物气体不同的化学组成。
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公开(公告)号：CN102653883B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210055674.2
申请日：2012-02-28
申请人： 株式会社日立国际电气
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/325 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/4581 , C23C16/4582 , C23C16/4583 , C23C16/4584 , C23C16/4587 , C23C16/4588 , C23C16/46 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B29/36 , H01L21/67303 , H01L21/67309 , H01L21/67757
摘要： 本发明提供衬底处理装置，其具有：处理多个衬底(14)的反应室(44)；保持多个衬底(14)的舟皿(30)；具有向多个衬底(14)供给成膜气体的气体供给口(68、72)的气体供给喷嘴(60、70)；使供给到反应室(44)内的成膜气体排出的排气口(90)；热交换部(34)，设于反应室(44)下部，定义了第二流路，该第二流路比由反应室(44)的内壁和舟皿(30)定义的第一流路窄；气体逃逸部(340)，与设于舟皿(30)上的多个衬底(14)中的最下部衬底相比设置在下方，具有定义最下部衬底与热交换部(34)之间的空间的多根支柱。由此在进行SiC外延生长那样的、在1500℃到1700℃的超高温下的处理时，能够使成膜气体降低到集流腔的耐热温度并提高膜质均匀性。
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公开(公告)号：CN103649370A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280033408.8
申请日：2012-07-05
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/509 , C23C16/515
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/32 , C23C14/505 , C23C16/4588 , C23C16/509 , H01J37/32036 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明的真空成膜装置是在基材形成皮膜的真空成膜装置，具备：真空腔室；对所述真空腔室内进行真空排气的真空排气单元；以自转的状态保持作为成膜对象的所述基材的多个自转保持部；以及使所述多个自转保持部在与各自转保持部的旋转轴平行的公转轴周围进行公转的公转机构，所述多个自转保持部被分为多个组，以按每个组成为不同的电位的方式对各自转保持部供给电力。例如，各组按时间交替地重复成为负的电极而作为在辉光放电等离子体生成中起到主体性的作用的作用极工作的状态和作为其异性极工作的状态。
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公开(公告)号：CN1938822A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010359.6
申请日：2005-03-28
申请人： 东洋炭素株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/458 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/68785 , C23C16/4588 , C30B25/12 , C30B31/14 , H01L21/67103 , H01L21/68757 , H01L21/68771
摘要： 本发明提供一种用于半导体外延生长、能同时得到多张一致性较高的外延膜的衬托器。本发明的一种衬托器，是用于半导体外延生长的衬托器，包括：筒型衬托器，具有多个面，所述面在外侧自由地载置多个衬底；和下述部件，其在内部配置前述筒型衬托器，具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。本发明的另一种衬托器包括：筒型衬托器，具有多个面，所述面在内侧自由地载置多个衬底；和下述部件，其在外周部配置前述筒型衬托器，具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。
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公开(公告)号：CN103649370B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280033408.8
申请日：2012-07-05
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/509 , C23C16/515
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/32 , C23C14/505 , C23C16/4588 , C23C16/509 , H01J37/32036 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明的真空成膜装置是在基材形成皮膜的真空成膜装置，具备：真空腔室；对所述真空腔室内进行真空排气的真空排气单元；以自转的状态保持作为成膜对象的所述基材的多个自转保持部；以及使所述多个自转保持部在与各自转保持部的旋转轴平行的公转轴周围进行公转的公转机构，所述多个自转保持部被分为多个组，以按每个组成为不同的电位的方式对各自转保持部供给电力。例如，各组按时间交替地重复成为负的电极而作为在辉光放电等离子体生成中起到主体性的作用的作用极工作的状态和作为其异性极工作的状态。
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公开(公告)号：CN103249865B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201180060443.4
申请日：2011-11-25
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C16/503 , C23C16/54 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/4588 , C23C16/503 , C23C16/54 , H01J37/32018 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J37/32752 , H01J37/32761 , H01J37/3277 , H01J2237/3321 , H05H1/46 , H05H2245/123
摘要： 本发明具备：真空腔室（4）；配置在该真空腔室（4）内，并且对作为成膜对象的基材（W）进行卷挂的一对成膜辊（2、2）；以及通过在成膜辊（2）的表面产生使等离子体发生的磁场，从而形成在被该成膜辊（2）卷挂的基材（W）上形成皮膜的成膜区域的磁场生成部（8、15），一对成膜辊（2、2）由第一成膜辊（2）和第二成膜辊（2）构成，所述第二成膜辊（2）以轴心与该第一成膜辊（2）相互平行的方式与该第一成膜辊（2）空开间隔进行设置，磁场生成部（8、15）以如下方式配置，即，作为成膜区域，在一对成膜辊（2、2）之间的相向空间（3）内形成第一成膜区域（19），并且在该相向空间（3）以外的空间的、与成膜辊（2）的表面邻接的区域形成第二成膜区域（20）。
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公开(公告)号：CN104903491A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380068470.5
申请日：2013-12-12
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/503
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/26 , C23C16/4401 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/4584 , C23C16/4588 , C23C16/503 , C23C16/505 , H01J37/32568 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J37/32853 , H01J37/32899 , H01L21/67173 , H01L21/67201 , H01L21/67754 , H01L21/6776
摘要： 提供一种即使持续长时间使用也不花费清扫等工夫、能够在维持稳定的成膜条件的同时以高生产效率进行成膜处理的等离子体化学气相沉积装置（100）。等离子体化学气相沉积装置（100）包括成膜室（1）和与成膜室（1）分开的加载互锁真空室（20、30），是在这些室间输送基材并在基材上生成成膜的连续式。成膜室（1）包括真空腔室（2）、将真空腔室（2）内的空气排出的真空排气机构（3）、向真空腔室（2）内供给原料气体的气体供给部（9）、和使真空腔室（2）内产生等离子体的等离子体产生电源（10）。在成膜室（1）中，基材被分为与等离子体产生电源（10）的一极连接的第1组（18）、和与等离子体产生电源（10）的另一极连接的第2组（19），在相互为不同极性的第1组（18）的基材与第2组（19）的基材之间产生等离子体。
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公开(公告)号：CN103946956A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280056768.X
申请日：2012-11-16
申请人： 株式会社EUGENE科技
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/0236 , C23C16/45504 , C23C16/45512 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/4588 , C23C16/54 , C30B25/14 , H01L21/67757 , C30B25/025
摘要： 根据本发明的一实施方案，实现在基板上形成外延层的外延工艺的外延装置，其包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述外延工艺的工艺空间；基板支架，其在上下方向载置一个以上所述基板，且可以转换到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位置；一个以上的供应喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于喷射所述反应气体的供应口；和一个以上的排气喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口；以及后方排气线，其连接于所述排气喷嘴，并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应气体及所述反应副产物，其中，所述下部腔室具有将所述排气喷嘴和所述后方排气线连接的排气端口、和将形成在所述下部腔室内部的载置空间连接于所述后方排气线的辅助排气端口。
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公开(公告)号：CN103249865A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180060443.4
申请日：2011-11-25
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C16/503 , C23C16/54 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/4588 , C23C16/503 , C23C16/54 , H01J37/32018 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J37/32752 , H01J37/32761 , H01J37/3277 , H01J2237/3321 , H05H1/46 , H05H2245/123
摘要： 本发明具备：真空腔室（4）；配置在该真空腔室（4）内，并且对作为成膜对象的基材（W）进行卷挂的一对成膜辊（2、2）；以及通过在成膜辊（2）的表面产生使等离子体发生的磁场，从而形成在被该成膜辊（2）卷挂的基材（W）上形成皮膜的成膜区域的磁场生成部（8、15），一对成膜辊（2、2）由第一成膜辊（2）和第二成膜辊（2）构成，所述第二成膜辊（2）以轴心与该第一成膜辊（2）相互平行的方式与该第一成膜辊（2）空开间隔进行设置，磁场生成部（8、15）以如下方式配置，即，作为成膜区域，在一对成膜辊（2、2）之间的相向空间（3）内形成第一成膜区域（19），并且在该相向空间（3）以外的空间的、与成膜辊（2）的表面邻接的区域形成第二成膜区域（20）。
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