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公开(公告)号：CN109778149B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811317375.5
申请日：2018-11-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/515 , C23C16/503 , C23C16/30 , C23C16/54 , H01L51/50 , H01L51/56
Abstract: 提供一种对于水蒸汽的阻隔性能提高的阻气膜、气体阻隔性薄膜和该气体阻隔性薄膜的制造方法。本发明的一个方式的阻气膜，至少含有氧、硅和碳，在由衰减全反射法得到的光谱中，处于3400cm－1附近由O－H键引起的峰值的强度相对于处于1000cm－1附近由Si－O键引起的峰值强度的比为0.019以下。本发明的另一方式的气体阻隔性薄膜，具备基材、和层叠在该基材的一侧的面上的上述阻气膜。本发明再一方式的气体阻隔性薄膜的制造方法，具备如下工序：使用配置在真空室内、且具备一对成膜辊和气体供给部的成膜装置，将基材卷绕到上述一对成膜辊上的工序；通过等离子体化学气相沉积法使上述阻气膜层叠在上述基材上的工序。
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公开(公告)号：CN1952205B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200610131894.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/3266 , H01J37/32761 , H01J2237/0206
Abstract: 一种电弧离子镀设备包括：真空室、用于使基质在真空室内垂直于其高度方向进行移动的旋转台、用于通过金属离子清洁基质表面的用于进行轰击的电弧蒸发源和用于在所述基质表面上沉积金属离子的沉积组电弧蒸发源。所述沉积组电弧蒸发源包括相对于被设定在所述旋转台上的所述基质进行布置的多个蒸发源，且所述用于进行轰击的电弧蒸发源相对于所述基质进行布置，并且成形以使得其在真空室高度方向上的长度等于沉积组电弧蒸发源的上端和下端之间的长度。根据这种结构，在进行轰击时几乎不能在基质中产生温度过度升高或在基质上发生异常放电，由此导致工艺可控性得到改进。
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公开(公告)号：CN1952205A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610131894.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/3266 , H01J37/32761 , H01J2237/0206
Abstract: 一种电弧离子镀设备包括：真空室、用于使基质在真空室内垂直于其高度方向进行移动的旋转台、用于通过金属离子清洁基质表面的用于进行轰击的电弧蒸发源和用于在所述基质表面上沉积金属离子的沉积组电弧蒸发源。所述沉积组电弧蒸发源包括相对于被设定在所述旋转台上的所述基质进行布置的多个蒸发源，且所述用于进行轰击的电弧蒸发源相对于所述基质进行布置，并且成形以使得其在真空室高度方向上的长度等于沉积组电弧蒸发源的上端和下端之间的长度。根据这种结构，在进行轰击时几乎不能在基质中产生温度过度升高或在基质上发生异常放电，由此导致工艺可控性得到改进。
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公开(公告)号：CN1243847C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN02811894.4
申请日：2002-06-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/511 , B01J19/08 , C03B37/018 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , C03B37/0183 , C03B37/01884 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32522 , H05B6/701 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
Abstract: 是从设置在环状波导管(5)的内周壁的天线(20)向配置在环状波导管(5)的内侧的反应室(2)内提供微波功率，并在前述反应室(2)内部产生等离子，从而利用气相生长合成法成膜的等离子CVD装置，在该装置上，在前述环状波导管(5)与反应室(2)之间配置冷却装置(27)，是将前述环状波导管(5)的温度保持在低温的构成。
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公开(公告)号：CN106460173A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580018128.3
申请日：2015-02-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/509 , C23C16/54 , H05H1/46
Abstract: 提供一种在关于成膜辊的轴向的进行成膜的范围中、在不被卷绕基材的部分中防止异常放电的发生的等离子体化学气相沉淀成膜装置。等离子体化学气相沉淀成膜装置（10）具备：真空腔室（1）；金属制的成膜辊（2），在该成膜辊（2）的外周面中的周方向的一部分上卷绕带状的基材；磁场生成部（3），配置在成膜辊（2）的内部，在成膜辊（2）的外周面中的被卷绕基材的部分的外侧生成磁场；电源（4），连接在成膜辊（2）上，对该成膜辊（2）施加用来在磁场的区域内生成等离子体的交流电压；罩（9），将成膜辊（2）的外周面中的相对于被卷绕基材（A）的部分（2a）隔着该成膜辊2）的旋转轴位于相反侧的部分且不与该基材A）接触的部分（2b）覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102597308A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049046.2
申请日：2010-10-18
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/30 , C23C16/4412
Abstract: 本发明的CVD成膜装置(1)，其中包括：多个成膜室单元(6)，分别具有与等离子体电源连接的成膜辊(2，2)及收纳该成膜辊(2，2)的成膜用单元室(60)，且各成膜辊(2，2)配置成沿水平方向排成一列；以及连接室单元(7)，具有与成膜室单元(6)的成膜用单元室(60)连结的连接用单元室(70)，且该连接室单元介于邻接的成膜室单元(6)之间并连接成膜室单元(6)彼此。基材(W)以缠挂在各成膜室单元(6)的各成膜辊(2，2)的状态被输送，各成膜室单元(6)各自通过等离子体来分解原料气体，该等离子体是通过向成膜辊(2，2)施加电压而在该成膜辊(2，2)附近生成，在成膜辊(2，2)上对所述基材实施成膜处理。
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公开(公告)号：CN102575349A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045649.5
申请日：2010-10-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/503 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/54 , C23C16/545 , H01J37/32036 , H01J37/32366 , H01J37/32513 , H01J37/3266 , H01J37/3277 , H05H1/24 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/485
Abstract: 本发明的等离子体CVD装置(1)包括：真空室(3)；一对成膜辊(2、2)，配置在真空室(3)内，与交流电源(8)的两极连接并且基材(W)缠挂在该对成膜辊上；气体供给装置(5)，向较连结一对成膜辊(2、2)的旋转中心的线靠一侧的区域的一部分或全部即成膜区域(D)供给包含原料气体的气体；以及磁场发生装置(7)，通过交流电源(8)向各成膜辊(2、2)分别施加交流电源形成将既定区域的原料气体等离子体化的磁场，该磁场发生装置(7)将与一对成膜辊(2、2)中位于成膜区域(D)内的部位的表面邻接的区域的原料气体等离子体化而形成等离子体区域(P)，基材(W)以通过等离子体区域(P)的方式缠挂在一对成膜辊(2、2)上。
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公开(公告)号：CN109955567B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201811346623.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种具有优异的防水性和透明性且不会因膜剥落造成防水性降低的防水性透明薄膜，能够简易且有效率地生产该防水性透明薄膜的防水性透明薄膜的制造方法，以及可隔绝水滴等加以保护，并且可视性优异的显示器和光学调整薄膜。本发明的一方式的防水性透明薄膜，是对表面之中的至少一部分的区域实施过防水处理的防水性透明薄膜，其特征在于，上述防水处理区域的表层部含有碳、氟和氧，在以X射线光电子能谱法测定的上述表层部的深度方向的氟原子含量的分布曲线上，上述氟原子含量在上述表面显示最大值，随着上述深度的增加而递减。本发明的另一方式是具备上述防水性透明薄膜的显示器。本发明的再一方式是外层使用有上述防水性透明薄膜的光学调整薄膜。
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公开(公告)号：CN109955567A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811346623.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种具有优异的防水性和透明性且不会因膜剥落造成防水性降低的防水性透明薄膜，能够简易且有效率地生产该防水性透明薄膜的防水性透明薄膜的制造方法，以及可隔绝水滴等加以保护，并且可视性优异的显示器和光学调整薄膜。本发明的一方式的防水性透明薄膜，是对表面之中的至少一部分的区域实施过防水处理的防水性透明薄膜，其特征在于，上述防水处理区域的表层部含有碳、氟和氧，在以X射线光电子能谱法测定的上述表层部的深度方向的氟原子含量的分布曲线上，上述氟原子含量在上述表面显示最大值，随着上述深度的增加而递减。本发明的另一方式是具备上述防水性透明薄膜的显示器。本发明的再一方式是外层使用有上述防水性透明薄膜的光学调整薄膜。
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公开(公告)号：CN106460173B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201580018128.3
申请日：2015-02-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/509 , C23C16/54 , H05H1/46
Abstract: 提供一种在关于成膜辊的轴向的进行成膜的范围中、在不被卷绕基材的部分中防止异常放电的发生的等离子体化学气相沉淀成膜装置。等离子体化学气相沉淀成膜装置（10）具备：真空腔室（1）；金属制的成膜辊（2），在该成膜辊（2）的外周面中的周方向的一部分上卷绕带状的基材；磁场生成部（3），配置在成膜辊（2）的内部，在成膜辊（2）的外周面中的被卷绕基材的部分的外侧生成磁场；电源（4），连接在成膜辊（2）上，对该成膜辊（2）施加用来在磁场的区域内生成等离子体的交流电压；罩（9），将成膜辊（2）的外周面中的相对于被卷绕基材（A）的部分（2a）隔着该成膜辊（2）的旋转轴位于相反侧的部分且不与该基材（A）接触的部分（2b）覆盖。
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