公开(公告)号：CN1952205B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200610131894.3

申请日：2006-10-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 玉垣浩 ,  藤井博文 ,  冲本忠雄 ,  宫本僚次

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/325 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32761 ,  H01J2237/0206

Abstract: 一种电弧离子镀设备包括：真空室、用于使基质在真空室内垂直于其高度方向进行移动的旋转台、用于通过金属离子清洁基质表面的用于进行轰击的电弧蒸发源和用于在所述基质表面上沉积金属离子的沉积组电弧蒸发源。所述沉积组电弧蒸发源包括相对于被设定在所述旋转台上的所述基质进行布置的多个蒸发源，且所述用于进行轰击的电弧蒸发源相对于所述基质进行布置，并且成形以使得其在真空室高度方向上的长度等于沉积组电弧蒸发源的上端和下端之间的长度。根据这种结构，在进行轰击时几乎不能在基质中产生温度过度升高或在基质上发生异常放电，由此导致工艺可控性得到改进。

公开(公告)号：CN1952205A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610131894.3

申请日：2006-10-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 玉垣浩 ,  藤井博文 ,  冲本忠雄 ,  宫本僚次

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/325 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32761 ,  H01J2237/0206

Abstract: 一种电弧离子镀设备包括：真空室、用于使基质在真空室内垂直于其高度方向进行移动的旋转台、用于通过金属离子清洁基质表面的用于进行轰击的电弧蒸发源和用于在所述基质表面上沉积金属离子的沉积组电弧蒸发源。所述沉积组电弧蒸发源包括相对于被设定在所述旋转台上的所述基质进行布置的多个蒸发源，且所述用于进行轰击的电弧蒸发源相对于所述基质进行布置，并且成形以使得其在真空室高度方向上的长度等于沉积组电弧蒸发源的上端和下端之间的长度。根据这种结构，在进行轰击时几乎不能在基质中产生温度过度升高或在基质上发生异常放电，由此导致工艺可控性得到改进。