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公开(公告)号:CN1938822A
公开(公告)日:2007-03-28
申请号:CN200580010359.6
申请日:2005-03-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/458 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68785 , C23C16/4588 , C30B25/12 , C30B31/14 , H01L21/67103 , H01L21/68757 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种用于半导体外延生长、能同时得到多张一致性较高的外延膜的衬托器。本发明的一种衬托器,是用于半导体外延生长的衬托器,包括:筒型衬托器,具有多个面,所述面在外侧自由地载置多个衬底;和下述部件,其在内部配置前述筒型衬托器,具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。本发明的另一种衬托器包括:筒型衬托器,具有多个面,所述面在内侧自由地载置多个衬底;和下述部件,其在外周部配置前述筒型衬托器,具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。
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公开(公告)号:CN100468631C
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200580010359.6
申请日:2005-03-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/458 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68785 , C23C16/4588 , C30B25/12 , C30B31/14 , H01L21/67103 , H01L21/68757 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种用于半导体外延生长、能同时得到多张一致性较高的外延膜的衬托器。本发明的一种衬托器,是用于半导体外延生长的衬托器,包括:筒型衬托器,具有多个面,所述面在外侧自由地载置多个衬底;和下述部件,其在内部配置前述筒型衬托器,具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。本发明的另一种衬托器包括:筒型衬托器,具有多个面,所述面在内侧自由地载置多个衬底;和下述部件,其在外周部配置前述筒型衬托器,具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。
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