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公开(公告)号：CN100468631C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200580010359.6
申请日：2005-03-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/458 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68785 , C23C16/4588 , C30B25/12 , C30B31/14 , H01L21/67103 , H01L21/68757 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种用于半导体外延生长、能同时得到多张一致性较高的外延膜的衬托器。本发明的一种衬托器，是用于半导体外延生长的衬托器，包括：筒型衬托器，具有多个面，所述面在外侧自由地载置多个衬底；和下述部件，其在内部配置前述筒型衬托器，具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。本发明的另一种衬托器包括：筒型衬托器，具有多个面，所述面在内侧自由地载置多个衬底；和下述部件，其在外周部配置前述筒型衬托器，具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1938822A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010359.6
申请日：2005-03-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/458 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68785 , C23C16/4588 , C30B25/12 , C30B31/14 , H01L21/67103 , H01L21/68757 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种用于半导体外延生长、能同时得到多张一致性较高的外延膜的衬托器。本发明的一种衬托器，是用于半导体外延生长的衬托器，包括：筒型衬托器，具有多个面，所述面在外侧自由地载置多个衬底；和下述部件，其在内部配置前述筒型衬托器，具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。本发明的另一种衬托器包括：筒型衬托器，具有多个面，所述面在内侧自由地载置多个衬底；和下述部件，其在外周部配置前述筒型衬托器，具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。
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公开(公告)号：CN101001978B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200580024815.2
申请日：2005-07-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/32 , C30B29/36 , H01L21/205 , H01L21/68
CPC classification number: G01N23/2258 , C23C16/4581 , C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种通过保持晶片周边的Si和C的浓度恒定且抑制颗粒的产生，可获得高品质SiC半导体晶体的衬托器。本发明的衬托器是载置晶片的部分的至少一部分为碳化钽或碳化钽包覆石墨材料的、碳化硅包覆石墨材料的衬托器。载置上述晶片的部分也可是自由分离的部件。又，载置上述晶片的部分的周边部也可以是自由分离的碳化硅包覆石墨材料。
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公开(公告)号：CN100450978C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680000138.5
申请日：2006-02-07
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种在高温下，对于还原性气体具有较好的耐腐蚀性以及耐热冲击性的碳化钽被覆碳材料及其制造方法。根据本发明提供一种碳化钽被覆碳材料，其含有碳基材，以及在上述碳基材上直接或通过中间层形成的被覆膜。被覆膜由碳化钽的许多微晶体致密地聚集而形成，优选被覆膜的X射线衍射图中，基于碳化钽的(220)面的衍射强度显示出最大的强度，更优选上述衍射强度显示出第2高强度的衍射强度的4倍或4倍以上的强度。
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公开(公告)号：CN101001978A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580024815.2
申请日：2005-07-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/32 , C30B29/36 , H01L21/205 , H01L21/68
CPC classification number: G01N23/2258 , C23C16/4581 , C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种通过保持晶片周边的Si和C的浓度恒定且抑制颗粒的产生，可获得高品质SiC半导体晶体的衬托器。本发明的衬托器是载置晶片的部分的至少一部分为碳化钽或碳化钽包覆石墨材料的、碳化硅包覆石墨材料的衬托器。载置上述晶片的部分也可是自由分离的部件。又，载置上述晶片的部分的周边部也可以是自由分离的碳化硅包覆石墨材料。
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公开(公告)号：CN1942415A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200680000138.5
申请日：2006-02-07
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种在高温下，对于还原性气体具有较好的耐腐蚀性以及耐热冲击性的碳化钽被覆碳材料及其制造方法。根据本发明提供一种碳化钽被覆碳材料，其含有碳基材，以及在上述碳基材上直接或通过中间层形成的被覆膜。被覆膜由碳化钽的许多微晶体致密地聚集而形成，优选被覆膜的X射线衍射图中，基于碳化钽的(220)面的衍射强度显示出最大的强度，更优选上述衍射强度显示出第2高强度的衍射强度的4倍或4倍以上的强度。
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