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公开(公告)号：CN102449185A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080022784.8
申请日：2010-05-25
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C8/64
CPC classification number: C23C8/64
Abstract: 提供渗碳处理造成的变形小、平面部的平坦度良好且能够均匀地进行渗碳处理的钽构件的渗碳处理方法。其为用于对具有平面部(1a)的由钽或钽合金构成的钽构件(1)，实施使碳从该构件(1)的表面向内部渗透的渗碳处理的方法，其特征在于包括：通过在前端部(6a)形成锥状的多根支撑棒(6)支撑平面部(1a)，将钽构件(1)配置于存在有碳源的腔室(3)内的工序；以及通过将腔室(3)内减压并加热，使来自碳源的碳从钽构件(1)的表面渗透以实施渗碳处理的工序。
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公开(公告)号：CN102449185B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201080022784.8
申请日：2010-05-25
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C8/64
CPC classification number: C23C8/64
Abstract: 提供渗碳处理造成的变形小、平面部的平坦度良好且能够均匀地进行渗碳处理的钽构件的渗碳处理方法。其为用于对具有平面部(1a)的由钽或钽合金构成的钽构件(1)，实施使碳从该构件(1)的表面向内部渗透的渗碳处理的方法，其特征在于包括：通过在前端部(6a)形成锥状的多根支撑棒(6)支撑平面部(1a)，将钽构件(1)配置于存在有碳源的腔室(3)内的工序；以及通过将腔室(3)内减压并加热，使来自碳源的碳从钽构件(1)的表面渗透以实施渗碳处理的工序。
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公开(公告)号：CN100450978C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680000138.5
申请日：2006-02-07
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种在高温下，对于还原性气体具有较好的耐腐蚀性以及耐热冲击性的碳化钽被覆碳材料及其制造方法。根据本发明提供一种碳化钽被覆碳材料，其含有碳基材，以及在上述碳基材上直接或通过中间层形成的被覆膜。被覆膜由碳化钽的许多微晶体致密地聚集而形成，优选被覆膜的X射线衍射图中，基于碳化钽的(220)面的衍射强度显示出最大的强度，更优选上述衍射强度显示出第2高强度的衍射强度的4倍或4倍以上的强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1942415A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200680000138.5
申请日：2006-02-07
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种在高温下，对于还原性气体具有较好的耐腐蚀性以及耐热冲击性的碳化钽被覆碳材料及其制造方法。根据本发明提供一种碳化钽被覆碳材料，其含有碳基材，以及在上述碳基材上直接或通过中间层形成的被覆膜。被覆膜由碳化钽的许多微晶体致密地聚集而形成，优选被覆膜的X射线衍射图中，基于碳化钽的(220)面的衍射强度显示出最大的强度，更优选上述衍射强度显示出第2高强度的衍射强度的4倍或4倍以上的强度。
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公开(公告)号：CN106460168B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201580032799.5
申请日：2015-06-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C16/04 , C23C16/458 , C23C16/56 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种在晶片上形成薄膜时，能够抑制杂质等附着于晶片的基座及其制造方法。该基座的特征在于，具备：具有凹部(11)的基材(10)、直接形成在凹部(11)的底面(11a)和侧面(11b)上的碳化钽层(22)、和形成在凹部(11)以外的基材(10)的表面上的碳化硅层(20)。
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公开(公告)号：CN106460168A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580032799.5
申请日：2015-06-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C16/04 , C23C16/458 , C23C16/56 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种在晶片上形成薄膜时，能够抑制杂质等附着于晶片的基座及其制造方法。该基座的特征在于，具备：具有凹部(11)的基材(11b)上的碳化钽层(22)、和形成在凹部(11)以外的基材(10)的表面上的碳化硅层(20)。(10)、直接形成在凹部(11)的底面(11a)和侧面
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公开(公告)号：CN103261467B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201180054253.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C8/64
CPC classification number: C23C8/64
Abstract: 本发明提供一种钽容器的渗碳处理方法，其能够容易控制钽容器各部位的渗碳处理的厚度，能够以均匀的厚度进行渗碳处理。该方法为使碳渗透于由钽或者钽合金构成的钽容器（1）的渗碳处理方法，其特征在于，包括：将钽容器（1）由设置在腔室（3）内的支撑部件（5、6）支撑并配置在腔室（3）内的工序；和对腔室（3）内进行减压和加热的工序，且在不易进行渗碳处理的部位附近设置碳源。
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公开(公告)号：CN103261467A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180054253.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C8/64
CPC classification number: C23C8/64
Abstract: 本发明提供一种钽容器的渗碳处理方法，其能够容易控制钽容器各部位的渗碳处理的厚度，能够以均匀的厚度进行渗碳处理。该方法为使碳渗透于由钽或者钽合金构成的钽容器（1）的渗碳处理方法，其特征在于，包括：将钽容器（1）由设置在腔室（3）内的支撑部件（5、6）支撑并配置在腔室（3）内的工序；和对腔室（3）内进行减压和加热的工序，且在不易进行渗碳处理的部位附近设置碳源。
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