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公开(公告)号：CN104968634B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201480007718.1
申请日：2014-01-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
Inventor： 篠原正人
IPC: C04B41/89 , C04B41/87 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/683
CPC classification number: C04B41/89 , C04B35/522 , C04B41/00 , C04B41/009 , C04B41/4529 , C04B41/5059 , C04B41/5061 , C04B41/52 , C04B41/53 , C23C16/4581 , C30B29/36 , C30B35/00 , H01L21/683 , H01L21/68757 , Y10T428/24612 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , C04B41/4531 , C04B41/4519 , C04B41/5001 , C04B41/5346 , C04B41/455 , C04B41/5057
Abstract: 本发明提供一种耐久性优异的碳化硅‑碳化钽复合材料。碳化硅‑碳化钽复合材料(1)具备：表层的至少一部分由第一碳化硅层(12)构成的主体(10)、碳化钽层(20)和第二碳化硅层(13)。碳化钽层(20)配置于第一碳化硅层(12)之上。第二碳化硅层(13)配置于碳化钽层(20)和第一碳化硅层(12)之间。第二碳化硅层(13)通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上。第二碳化硅层(13)通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上。
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公开(公告)号：CN107004592A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062705.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/12
Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN107002288B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201580063339.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B33/12 , C30B29/36
Abstract: 提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
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公开(公告)号：CN106460168B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201580032799.5
申请日：2015-06-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C16/04 , C23C16/458 , C23C16/56 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种在晶片上形成薄膜时，能够抑制杂质等附着于晶片的基座及其制造方法。该基座的特征在于，具备：具有凹部(11)的基材(10)、直接形成在凹部(11)的底面(11a)和侧面(11b)上的碳化钽层(22)、和形成在凹部(11)以外的基材(10)的表面上的碳化硅层(20)。
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公开(公告)号：CN106460168A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580032799.5
申请日：2015-06-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C16/04 , C23C16/458 , C23C16/56 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种在晶片上形成薄膜时，能够抑制杂质等附着于晶片的基座及其制造方法。该基座的特征在于，具备：具有凹部(11)的基材(11b)上的碳化钽层(22)、和形成在凹部(11)以外的基材(10)的表面上的碳化硅层(20)。(10)、直接形成在凹部(11)的底面(11a)和侧面
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104968634A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007718.1
申请日：2014-01-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
Inventor： 篠原正人
IPC: C04B41/89 , C04B41/87 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/683
CPC classification number: C04B41/89 , C04B35/522 , C04B41/00 , C04B41/009 , C04B41/4529 , C04B41/5059 , C04B41/5061 , C04B41/52 , C04B41/53 , C23C16/4581 , C30B29/36 , C30B35/00 , H01L21/683 , H01L21/68757 , Y10T428/24612 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , C04B41/4531 , C04B41/4519 , C04B41/5001 , C04B41/5346 , C04B41/455 , C04B41/5057
Abstract: 本发明提供一种耐久性优异的碳化硅-碳化钽复合材料。碳化硅-碳化钽复合材料(1)具备：表层的至少一部分由第一碳化硅层(12)构成的主体(10)、碳化钽层(20)和第二碳化硅层(13)。碳化钽层(20)配置于第一碳化硅层(12)之上。第二碳化硅层(13)配置于碳化钽层(20)和第一碳化硅层(12)之间。第二碳化硅层(13)通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上。第二碳化硅层(13)通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上。
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公开(公告)号：CN108140574A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058070.X
申请日：2016-10-06
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 加热处理容器(1)具备支撑部件(6)，该支撑部件(6)在蚀刻处理对象物即圆板状的SiC基板(2)时支撑该SiC基板(2)。支撑部件(6)具有用以支撑SiC基板(2)的下面的端缘(2E)的倾斜面(6F)，该倾斜面(6F)以随着越朝下方越靠近SiC基板(2)的中心线的方式倾斜。更具体地说，支撑部件(6)被形成为随着越朝下方而直径变得越大的圆锥状，且其圆周面即圆锥面构成所述倾斜面(6F)。此倾斜面(6F)的上下中途部接触于SiC基板(2)的下面的端缘(2E)。
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公开(公告)号：CN107002288A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063339.9
申请日：2015-11-17
IPC: C30B33/12 , C30B29/36 , H01L21/302
Abstract: 提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
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公开(公告)号：CN107004592B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201580062705.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/12
Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN110431654A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880019339.2
申请日：2018-03-20
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 在改性SiC晶片(41)的制造方法(SiC晶片的表面处理方法)中，且于制造改性SiC晶片(41)的方法中进行以下的表面改性工序，其中，该改性SiC晶片(41)，处理形成外延层(42)之前的处理前SiC晶片(40)而将表面改性。也就是说，处理前SiC晶片(40)含有平行于(0001)面的位错即BPD、和TED，且以处理前SiC晶片(40)的表面的属BPD的部分在外延层(42)的形成时作为TED进行传播的比例变高的方式使表面的性质变化。
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