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公开(公告)号：CN107002288B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201580063339.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B33/12 , C30B29/36
Abstract: 提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
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公开(公告)号：CN107002288A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063339.9
申请日：2015-11-17
IPC: C30B33/12 , C30B29/36 , H01L21/302
Abstract: 提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
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公开(公告)号：CN107004592A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062705.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/12
Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN107004592B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201580062705.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/12
Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN110431654A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880019339.2
申请日：2018-03-20
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 在改性SiC晶片(41)的制造方法(SiC晶片的表面处理方法)中，且于制造改性SiC晶片(41)的方法中进行以下的表面改性工序，其中，该改性SiC晶片(41)，处理形成外延层(42)之前的处理前SiC晶片(40)而将表面改性。也就是说，处理前SiC晶片(40)含有平行于(0001)面的位错即BPD、和TED，且以处理前SiC晶片(40)的表面的属BPD的部分在外延层(42)的形成时作为TED进行传播的比例变高的方式使表面的性质变化。
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