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公开(公告)号：CN110880533B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201811040406.7
申请日：2018-09-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/15 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法。所述基于超晶格结构的异质结包括第一半导体层和第二半导体层，在所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气，所述第一半导体层为AlxInyGa1‑x‑yN势垒层，其中，x/y＝3.1～4.7；所述AlxInyGa1‑x‑yN势垒层包括一个以上AlGaN/InGaN超晶格结构，所述AlGaN/InGaN超晶格结构包括叠层设置的AlGaN层和InGaN层；所述第二半导体层为GaN沟道层。本发明实施例采用的AlGaN/InGaN超晶格各子层厚度均低于其临界弛豫厚度，使得超晶格AlGaN、InGaN子层相对GaN沟道层分别处于张应变、压应变状态，能够作为应力补偿结构形成与GaN沟道层完全匹配的平衡晶格，有效补偿晶格失配应力，显著减小由失配应变引起的位错缺陷密度，进而抑制AlxInyGa1‑x‑yN/GaN异质结中的逆压电效应。
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公开(公告)号：CN109541426B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201811389896.1
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明揭示了一种晶圆测试中测试仪自动读取参数的方法，包括：探针台将探针卡识别号传输至伺服器，由伺服器传输给测试仪；测试仪识别探针卡识别号，并根据探针卡识别号在伺服器内选取对应的测试程序；测试仪读取并下载测试程序，将其载入测试软件，载入完成后发送完成信号给探针台；探针台接收到完成信号，发出警报告知测试操作人员。本发明既保证了晶圆测试程序的有效性，又减少过多返工对晶圆的损耗，增加良率。
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公开(公告)号：CN110634938A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810657128.3
申请日：2018-06-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓垂直结构半导体电子器件及其制作方法。所述氧化镓垂直结构半导体电子器件包括依次设置的缓冲层、电流阻挡层和沟道层，所述电流阻挡层内还分布有电流通孔，所述沟道层上设置有源极和栅极，所述缓冲层与漏极连接，所述漏极与电流阻挡层相背对设置，所述电流通孔位于栅极下方，所述沟道层与缓冲层经所述电流通孔电连接。本发明提供的氧化镓垂直结构半导体电子器件，能够很好的满足了大功率开关的需求，且拥有大的饱和电流、高击穿电压等一系列优势。
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公开(公告)号：CN110504343A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201810479225.8
申请日：2018-05-18
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜及其生长方法和应用。所述的基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜的制备方法包括：以脉冲外延生长方式在蓝宝石衬底上形成一个以上α-(AlxGa1-x)2O3应变缓冲层，其中0.99≥x≥0.01；以及，在所述α-(AlxGa1-x)2O3应变缓冲层上形成氧化镓外延层。采用本发明实施例提供的生长方法，不仅可以避免α-Ga2O3和α-Al2O3外延温度相矛盾的技术难点，还可以有效降低α-Ga2O3外延薄膜的缺陷密度，进而提高α-Ga2O3外延薄膜材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN109423695A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710773823.1
申请日：2017-08-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了掺杂源供应管路及化学气相沉积系统，掺杂源供应管路包括载气源以及用于盛装有机金属源的水浴系统，还包括载气输送管路，连接所述载气和水浴系统，以将载气通入到有机金属源内；有机金属源气体输送管路，使水浴系统与反应腔及废弃处理系统连接，并且其与反应腔连接的第一支路上有且仅有一个第一质量流量控制器；稀释管路，连接载气源和有机金属源气体输送管路的主管路，用于对主管路中掺杂源气体的浓度进行稀释。本发明只需要一个质量流量控制器就能够满足掺杂源气体浓度大跨度的调整需求，省去了多个质量流量控制器带来的管路成本，并且输出区域的管路结构更加简洁；同时，浓度的调整更加便利。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109423629A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710774878.4
申请日：2017-08-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明揭示了圆盘类零件一次性全表面沉积用工件驱动装置及气相沉积炉，包括至少一对配合支撑工件并驱动工件绕其中心轴自转的第一转盘和第二转盘，所述第一转盘和第二转盘绕各自的中心轴自转，并持续改变与工件的接触位置。本发明设计精巧，通过第一转盘和第二转盘配合支撑工件，并驱动工件自转，从而保证沉积过程中，能够实时改变工件与第一转盘和第二转盘的接触位置，避免工件的某一位置一直被遮挡，无法沉积成膜的问题，从而能够在一次沉积过程中实现工件的全表面沉积，并且保证沉积得到的膜层的均匀性，应用简单，膜层品质高。
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公开(公告)号：CN102856452B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210326905.9
申请日：2012-09-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，涉及半导体材料与器件技术领域。本发明提供的多波长发光二极管包括一衬底、一缓冲层、一第一氮化镓层、一第二氮化镓层、一具有台阶化量子阱柱状结构的有源区、一电子阻挡层、一第三氮化镓层；本发明还提供所述多波长发光二极管的制备方法，包括：生长形成一具有多层结构的半导体结构；形成具有台阶化量子阱柱状结构的有源区；生长第三氮化镓层；沉积N型电极和P型电极。本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，优点在于拓展发光二极管发光谱线范围，简化驱动电路的复杂性，提高电子或空穴的注入效率，降低接触电阻，提高了色度的调节和显色性指数。
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公开(公告)号：CN110828649B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201911139127.0
申请日：2019-11-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途。所述半导体制冷结构，包括主要由至少一个P型半导体和至少一个N型半导体电连接组成的回路，所述P型半导体包括一个以上共振态掺杂的P型AlGaN/GaN超晶格结构，所述超晶格结构所含受主包括Mg离子。本发明实施例提供的一种基于共振态掺杂实现的半导体制冷器，以P‑AlGaN/GaN超晶格阵列的方式来进行半导体制冷；其中，P‑AlGaN/GaN是基于共振态即自电离态进行的P‑N结超晶格结构，且不依赖其厚度的极化效应，且自电离效率较高。
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公开(公告)号：CN113594037A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110886070.1
申请日：2021-08-03
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN MISHEMT器件及其制作方法。所述制作方法包括：制作外延结构，所述外延结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，且所述AlGaN势垒层与沟道层之间形成有二维电子气；在所述势垒层上原位外延生长二维材料钝化层；在所述二维材料钝化层上形成介质层；以及制作源极、漏极和栅极，其中，所述源极和漏极设置在所述势垒层上并通过所述二维电子气电连接，所述栅极设置在所述介质层上并位于所述源极和漏极之间。本发明提供的制作方法，在生长完GaN HEMT外延结构后原位生长二维h‑BN作为表面钝化层，然后再二次沉积介质层，可以阻挡表面损伤，屏蔽表面悬挂键，降低界面态密度，进而有效地抑制电流崩塌效应，使器件获得更好的直流特性和动态特性。
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公开(公告)号：CN109423695B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201710773823.1
申请日：2017-08-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , C30B25/14 , C30B25/16
Abstract: 本发明揭示了掺杂源供应管路及化学气相沉积系统，掺杂源供应管路包括载气源以及用于盛装有机金属源的水浴系统，还包括载气输送管路，连接所述载气和水浴系统，以将载气通入到有机金属源内；有机金属源气体输送管路，使水浴系统与反应腔及废弃处理系统连接，并且其与反应腔连接的第一支路上有且仅有一个第一质量流量控制器；稀释管路，连接载气源和有机金属源气体输送管路的主管路，用于对主管路中掺杂源气体的浓度进行稀释。本发明只需要一个质量流量控制器就能够满足掺杂源气体浓度大跨度的调整需求，省去了多个质量流量控制器带来的管路成本，并且输出区域的管路结构更加简洁；同时，浓度的调整更加便利。
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