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公开(公告)号：CN109541426B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201811389896.1
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明揭示了一种晶圆测试中测试仪自动读取参数的方法，包括：探针台将探针卡识别号传输至伺服器，由伺服器传输给测试仪；测试仪识别探针卡识别号，并根据探针卡识别号在伺服器内选取对应的测试程序；测试仪读取并下载测试程序，将其载入测试软件，载入完成后发送完成信号给探针台；探针台接收到完成信号，发出警报告知测试操作人员。本发明既保证了晶圆测试程序的有效性，又减少过多返工对晶圆的损耗，增加良率。
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公开(公告)号：CN111200013A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811372283.7
申请日：2018-11-16
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种GaN基功率器件的栅极结构及其制作方法。栅极结构包括依次设置的介质层、第一过渡层、第二过渡层和堆叠栅电极层，在第一过渡层和第二过渡层之间还设置有一层以上的功函数层，功函数层包括基础材料层，在基础材料层上设置有一个以上的窗口，窗口内填充有复合材料，复合材料至少由形成基础材料层的基础材料与功函数调节材料复合形成；基础材料选自金属化合物，功函数调节材料选自金属材料。本发明实施例提供的GaN基功率器件的栅极结构功函数层内的功函数调节材料元素分层分布和/或图形化分布控，能有效调制GaN基功率器件的栅极区域电流和电场密度分布，解决引入功函数层带来的不利影响，使器件达到热平衡以及能够提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN109541426A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811389896.1
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明揭示了一种晶圆测试中测试仪自动读取参数的方法，包括：探针台将探针卡识别号传输至伺服器，由伺服器传输给测试仪；测试仪识别探针卡识别号，并根据探针卡识别号在伺服器内选取对应的测试程序；测试仪读取并下载测试程序，将其载入测试软件，载入完成后发送完成信号给探针台；探针台接收到完成信号，发出警报告知测试操作人员。本发明既保证了晶圆测试程序的有效性，又减少过多返工对晶圆的损耗，增加良率。
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公开(公告)号：CN109437096A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811255951.8
申请日：2018-10-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种晶圆键合方法，其包括：至少对晶圆表面的键合区进行清洗处理；至少以活化液体对所述晶圆表面的键合区进行表面活化处理，之后进行干燥处理；以及在真空环境中将两个晶圆表面的相应键合区彼此贴合，并进行热压键合处理；其中热压处理的温度为200-250℃、时间为2-10h，所述热压处理的压力为200-250KN。本发明提供的晶圆键合方法，可以在非超净实验环境下实现晶圆之间的键合，键合工艺成本较低，键合成功率在95％以上，平均键合强度超过4MPa。
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公开(公告)号：CN109580077B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201811490882.9
申请日：2018-12-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
Abstract: 本发明公开了一种压力传感器结构及其制作方法。所述压力传感器结构采用背压式倒装焊接结构，包括基座、盖帽和压敏组件等，所述压敏组件被封装于基座与盖帽之间的封装区域内，所述基座上设置有导电图形，所述压敏组件的电信号经所述导电图形引出至所述封装区域外部。本发明提供的压力传感器结构的传感精度高，可靠性好，适用于绝大部分非腐蚀性环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109580077A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811490882.9
申请日：2018-12-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
Abstract: 本发明公开了一种压力传感器结构及其制作方法。所述压力传感器结构采用背压式倒装焊接结构，包括基座、盖帽和压敏组件等，所述压敏组件被封装于基座与盖帽之间的封装区域内，所述基座上设置有导电图形，所述压敏组件的电信号经所述导电图形引出至所述封装区域外部。本发明提供的压力传感器结构的传感精度高，可靠性好，适用于绝大部分非腐蚀性环境。
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公开(公告)号：CN109273418A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811328287.5
申请日：2018-11-08
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种芯片封装结构，包括：基板；散热层，设置于所述基板的一侧表面；晶圆，设置于所述散热层的远离基板的一侧；屏蔽结构，固定安装于所述基板上并罩于所述晶圆的外围，所述屏蔽结构与所述晶圆之间形成空腔。本发明的芯片封装结构，散热性能好，安全可靠。同时，通过设置屏蔽结构，不仅可以对晶圆表面的电路结构起到保护作用，增强芯片封装结构的可靠性，同时屏蔽结构具有抗电磁干扰能力，可以有效防止芯片封装结构在工作中受到电磁波的干扰，确保了芯片封装结构的控制系统的工作稳定性，提高了芯片封装结构的使用安全性。
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公开(公告)号：CN109660227A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811580862.0
申请日：2018-12-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
Abstract: 本发明揭示了一种薄膜体声波滤波器及其封装方法，所述滤波器包括硅衬底、沉积于硅衬底正面上的多层绝缘层、沉积于最顶层的绝缘层上的FBAR器件、背腔和至少两个导电柱，FBAR器件包括自绝缘层的顶面从下往上依次沉积的下电极、压电材料层和上电极；背腔自硅衬底的背面刻蚀至下电极形成，且背腔对应的位置为压电振荡有效区域，导电柱从硅衬底的背面引出上、下电极。本发明具有增加FBAR器件机械牢固性、提高FBAR器件性能、节约电极引出空间，可靠性更高、可以保护FBAR器件的压电振荡有效区域等优点。
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公开(公告)号：CN109540051A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811389845.9
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: G01B15/00
Abstract: 本发明揭示了一种晶圆测试探针卡磨损度的监控方法，包括由探针管理系统读取并对探针台所发出的晶圆测试数据包进行数据分析，得到探针卡下针总数；探针管理系统根据探针卡实际针头尺寸与该探针卡下针总数，计算得到探针针头每个磨损值所能测试的下针针数；探针管理系统将该每个磨损值所能测试的下针针数与预先设置的磨损度极限值进行比较，并将比较结果反馈给探针台，由探针台对晶圆测试进行相应操作。本发明提高了探针卡的测试效率，降低晶圆的测试成本，避免晶圆不必要的良率损失，从而有效提高晶圆的良率，同时对探针卡进行有效的监控。
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公开(公告)号：CN209169126U
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201821838825.0
申请日：2018-11-08
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/552
Abstract: 本实用新型公开了一种芯片封装结构，包括：基板；散热层，设置于所述基板的一侧表面；晶圆，设置于所述散热层的远离基板的一侧；屏蔽结构，固定安装于所述基板上并罩于所述晶圆的外围，所述屏蔽结构与所述晶圆之间形成空腔。本实用新型的芯片封装结构，散热性能好，安全可靠。同时，通过设置屏蔽结构，不仅可以对晶圆表面的电路结构起到保护作用，增强芯片封装结构的可靠性，同时屏蔽结构具有抗电磁干扰能力，可以有效防止芯片封装结构在工作中受到电磁波的干扰，确保了芯片封装结构的控制系统的工作稳定性，提高了芯片封装结构的使用安全性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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