发明授权
- 专利标题: 衬底处理装置及半导体器件的制造方法
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申请号: CN201610025245.9申请日: 2016-01-14
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公开(公告)号: CN106024564B公开(公告)日: 2018-03-30
- 发明人: 西堂周平
- 申请人: 株式会社日立国际电气
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社日立国际电气
- 当前专利权人: 株式会社国际电气
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 杨宏军; 李文屿
- 优先权: 2015-064840 2015.03.26 JP
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32 ; H01L21/02
摘要:
本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提供在衬底面内形成均匀的膜的技术。具有:衬底载置部,对衬底进行载置;腔盖,与衬底载置部的至少一部分相对,并且在中央具有气体供给通路;气体供给结构,与气体供给通路连通;反应气体供给部,与气体供给结构连接,具有等离子体生成部;管,设置于气体供给结构内及所述气体供给通路内,与反应气体供给部连通;气体供给部,与气体供给结构连接,向管的外周侧、气体供给结构内侧供给气体。
公开/授权文献
- CN106024564A 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 公开/授权日:2016-10-12