衬底处理装置及半导体器件的制造方法
摘要:
本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提供在衬底面内形成均匀的膜的技术。具有:衬底载置部,对衬底进行载置;腔盖,与衬底载置部的至少一部分相对,并且在中央具有气体供给通路;气体供给结构,与气体供给通路连通;反应气体供给部,与气体供给结构连接,具有等离子体生成部;管,设置于气体供给结构内及所述气体供给通路内,与反应气体供给部连通;气体供给部,与气体供给结构连接,向管的外周侧、气体供给结构内侧供给气体。
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