Invention Publication
- Patent Title: 衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法
- Patent Title (English): SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, LID COVER AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
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Application No.: CN201710536612.6Application Date: 2017-07-04
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Publication No.: CN107658199APublication Date: 2018-02-02
- Inventor: 西堂周平 , 槣原美香 , 冈嶋优作
- Applicant: 株式会社日立国际电气
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社日立国际电气
- Current Assignee: 株式会社国际电气
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 陈伟; 沈静
- Priority: 2016-146276 2016.07.26 JP
- Main IPC: H01J37/32
- IPC: H01J37/32

Abstract:
本发明提供衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法,抑制副产物向处理容器下方的附着。具有:衬底保持件,其设置在隔热部的上方,并保持多张衬底;处理容器,其在内部具有处理衬底的处理室;盖部,其封闭处理容器的下端开口;和吹扫气体供给部,其经由隔热部与盖部之间的间隙向处理容器下方供给吹扫气体,在隔热部与盖部之间的间隙中设有限制部,该限制部限制吹扫气体的流动,使得吹扫气体对处理容器下方的一部分的供给流量比吹扫气体对其他部分的供给流量多。
Public/Granted literature
- CN107658199B 衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法 Public/Granted day:2020-05-19
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