公开(公告)号：CN107658199A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710536612.6

申请日：2017-07-04

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 西堂周平 ,  槣原美香 ,  冈嶋优作

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法，抑制副产物向处理容器下方的附着。具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理衬底的处理室；盖部，其封闭处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其经由隔热部与盖部之间的间隙向处理容器下方供给吹扫气体，在隔热部与盖部之间的间隙中设有限制部，该限制部限制吹扫气体的流动，使得吹扫气体对处理容器下方的一部分的供给流量比吹扫气体对其他部分的供给流量多。

公开(公告)号：CN304849729S

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201830202248.5

申请日：2018-05-07

申请人： 株式会社日立国际电气

设计人： 冈嶋优作 ,  加贺谷彻 ,  平松宏朗 ,  江端慎也

摘要： 1．本外观设计产品的名称：基板处理装置用气体供给喷管。
2．本外观设计产品的用途：是使用于对在反应管内部沿垂直方向多级保持的基板进行处理的基板处理装置的气体供给喷管。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。

公开(公告)号：CN304839985S

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201830202247.0

申请日：2018-05-07

申请人： 株式会社日立国际电气

设计人： 冈嶋优作 ,  加贺谷彻 ,  平松宏朗 ,  江端慎也

摘要： 1．本外观设计产品的名称：基板处理装置用气体供给喷管。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品是使用于对在反应管内部沿垂直方向多级保持的基板进行处理的基板处理装置的气体供给喷管。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。

公开(公告)号：CN304872985S

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201830262236.1

申请日：2018-05-30

申请人： 株式会社日立国际电气

设计人： 冈嶋优作 ,  西堂周平 ,  吉田秀成

摘要： 1．本外观设计产品的名称：半导体制造装置的隔热单元用支柱。
2．本外观设计产品的用途：是在对半导体晶片等基板进行处理的反应管内将从基板处理区域向炉口方向的热传导切断的隔热单元用支柱，设置于将基板多级保持的舟皿的下方而使用。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。

公开(公告)号：CN304747512S

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201730653038.3

申请日：2017-12-19

申请人： 株式会社日立国际电气

设计人： 冈嶋优作 ,  吉田秀成 ,  西堂周平 ,  佐佐木隆史 ,  三村英俊

摘要： 1．本外观设计产品的名称：反应管。
2．本外观设计产品的用途：使用于基板处理装置中，用于对基板进行处理。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
5．本外观设计产品整体以透明体形成。