Invention Publication
- Patent Title: 衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及加热部
- Patent Title (English): Substrate Processing Apparatus And Heating Unit
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Application No.: CN201610084003.7Application Date: 2016-02-06
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Publication No.: CN105914163APublication Date: 2016-08-31
- Inventor: 村田等 , 和田优一 , 八幡橘 , 吉田秀成 , 西堂周平
- Applicant: 株式会社日立国际电气
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社日立国际电气
- Current Assignee: 株式会社国际电气
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 陈伟; 孙明轩
- Priority: 2015-035845 2015.02.25 JP; 2015-253777 2015.12.25 JP
- Main IPC: H01L21/67
- IPC: H01L21/67

Abstract:
一种衬底处理装置,其能够缩短处理炉内的温度稳定时间。该衬底处理装置具有:保持多张衬底的衬底保持件;设在衬底保持件的下方的隔热部;收纳衬底保持件并处理衬底的处理室;设在处理室的周围并对处理室内从侧部加热的第1加热部;处于处理室内并设在衬底保持件与隔热部之间的第2加热部,第2加热部具有:大致环状的发热部;和从发热部向下方延伸的下垂部,发热部收在直径比衬底小的环状区域内。
Public/Granted literature
- CN105914163B 衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及加热部 Public/Granted day:2020-03-24
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IPC分类: