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公开(公告)号：CN119562523A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311130099.2
申请日：2023-09-01
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种磁性存储器及其制备方法。该磁性存储器包括：多个存储单元，至少部分存储单元沿第一方向排列，各存储单元包括磁隧道结；磁屏蔽结构，磁屏蔽结构中的至少部分位于沿第一方向相邻存储单元之间，磁屏蔽结构与相邻的存储单元间隔设置；其中，磁屏蔽结构与相邻的存储单元间隔设置。由于是每个相邻存储单元之间均具有磁屏蔽结构，这种设计可以节约存储面积，同时上述磁屏蔽结构可以防止存储单元与磁屏蔽结构相接触而导致短路，使得存储单元具有对面内磁场的抗磁特性，从而可以使得该磁性存储器兼具垂直磁场和面内磁场的抗磁性能，提高其抗磁能力，进而提升磁性存储器在磁场环境下的可靠性。
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公开(公告)号：CN118632541A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310240459.8
申请日：2023-03-07
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种磁性随机存储器及其制备方法。该存储器包括：自旋轨道力矩层，具有第一表面，以及相对的第一端和第二端，第一端指向第二端的方向为第一延伸方向；多个磁性隧道结，沿着第一延伸方向间隔设置于第一表面上；多个导电层，间隔设置于自旋轨道力矩层远离多个磁性隧道结的一侧，且各导电层、自旋轨道力矩层和各磁性隧道结在预定水平面上的垂直投影具有重叠区域，其中，导电层具有第二延伸方向，第一延伸方向和第二延伸方向垂直，预定水平面为平行于第一表面的平面。上述结构在进行写入操作时，施加至导电层中的写入电流，能够产生奥斯特场，并作用于自由层，使得自由层可以实现确定性的翻转。
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公开(公告)号：CN119068934A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310635370.1
申请日：2023-05-31
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种MRAM芯片的写入电压的脉宽确定方法及其确定装置。该方法包括：首先，获取当前写入脉宽以及预定时间段内的多个预定参数，多个预定参数组成预定参数组，预定参数用于表征芯片所在的环境参数，当前写入脉宽为芯片当前的实际脉宽；然后，根据预定参数组以及当前写入脉宽，确定目标写入脉宽，目标写入脉宽为芯片的写入电压对应的脉宽；最后，发出目标写入脉宽至芯片，使得芯片控制写入电压的实际脉宽为目标写入脉宽。通过多个预定参数以及当前写入脉宽来确定目标写入脉宽，使得可以根据获取的环境参数确定当前写入脉宽，解决了现有技术中MRAM由于受到外部环境的干扰导致性能较差的问题，保证了MRAM芯片的性能较好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119562522A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311126181.8
申请日：2023-09-01
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种磁随机存储器。该磁随机存储器包括：存储阵列，包括多个第一存储单元和多个第二存储单元，多个第一存储单元分布于多个第二存储单元的外周，且每个第一存储单元和每个第二存储单元均包括顺序层叠的第一铁磁层、隧穿势垒层和第二铁磁层，其中，第一铁磁层具有第一表面，第二铁磁层具有第二表面，第一表面和第二表面在第一延伸方向上的垂直距离为第一高度；磁屏蔽结构，包括磁屏蔽层和/或至少一个磁屏蔽柱，磁屏蔽层位于第一铁磁层远离隧穿势垒层的一侧，存储阵列在磁屏蔽层上具有投影，每个磁屏蔽柱在第一延伸方向上具有第二高度，第二高度大于或等于第一高度，磁屏蔽柱环绕于多个第一存储单元的外周。
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公开(公告)号：CN119522025A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311077292.4
申请日：2023-08-24
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性随机存储器及其制备方法，制备方法包括：提供衬底；在衬底上依次沉积轨道层、磁隧道结制备层和硬掩模层；图案化硬掩模层，并根据硬掩模层刻蚀磁隧道结制备层，得到磁性隧道结；在轨道层上沉积包覆磁性隧道结的介质层；去除轨道层表面上的介质层，以使剩余的介质层包覆磁性隧道结；沉积低电阻率材料，形成填充层，低电阻率材料的电阻率小于轨道层的材料的电阻率；去除填充层中包覆磁性隧道结的部分，形成复合轨道层，复合轨道层包括轨道层和填充层；刻蚀复合轨道层，以使刻蚀后的复合轨道层分隔在剩余的介质层的两侧。本发明能够解决引入低电阻率金属造成的分流问题。
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公开(公告)号：CN118678869A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310273800.X
申请日：2023-03-15
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
IPC: H10N50/80 , H10N50/10 , H01L23/552 , H10N50/01 , H10B61/00
Abstract: 本发明公开了一种基于磁隧道结的芯片结构及芯片结构的制作方法，应用于存储芯片领域，该芯片结构包括：磁隧道结和至少设置在磁隧道结一侧的磁屏蔽结构；磁屏蔽结构朝向磁隧道结的方向开有通孔；通孔朝向磁隧道结的开口处无磁场分布。本发明通过在磁隧道结外设置磁屏蔽结构，能够在存在外磁场的情况下避免外磁场对基于磁隧道结制备的器件产生干扰，通过在磁屏蔽结构朝向磁隧道结的方向开有通孔，能够解决当不存在外部磁场的情况下，磁屏蔽结构发生自发磁化，进而对基于磁隧道结制备的器件产生干扰的问题。
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公开(公告)号：CN118500446A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410315123.8
申请日：2024-03-19
Applicant: 浙江大学 , 浙江驰拓科技有限公司
IPC: G01D5/12
Abstract: 本发明提供了一种韦根器件封装结构，包括：韦根线，其作为磁芯基于外磁场的变化而产生大巴克豪森效应；感应线圈，其卷绕于所述韦根线，用于生成感应电压并通过外接引脚输出电能；软磁磁珠，其以与感应线圈并排的方式设置于韦根线两端；以及软磁包裹部，其设置于器件外侧，至少部分包裹所述感应线圈，用于诱导回流的磁通量在感应线圈外部进行回流，增加感应线圈内部的有效磁通量变化量。本发明的韦根器件封装结构，通过设置至少部分包裹感应线圈的软磁圆筒或软磁线圈，实现磁通量总变化量的提升，进而增加俘能效率，使输出总能量提升。
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公开(公告)号：CN221283065U
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202323088105.0
申请日：2023-11-14
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种压电发电器和电机编码器，其中，压电发电器包括：旋转组件，旋转组件可沿第一轴线旋转；电磁发生组件，具有相斥的两级，电磁发生组件用于在旋转组件的驱动作用下旋转，电磁发生组件具有第一位置和第二位置；电磁作用组件，具有相斥的两级，在电磁发生组件位于第一位置的情况下，电磁发生组件与电磁作用组件异极相对，在电磁发生组件位于第二位置的情况下，电磁发生组件与电磁作用组件同极相对，第一位置与第二位置周期切换以使电磁作用组件与电磁发生组件之间产生相应的吸引力和排斥力；压电组件，与电磁作用组件配合，以在吸引力和排斥力的作用下产生电能，以实现应用于较高能耗元器件的目的。
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