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公开(公告)号：CN119546168A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311121859.3
申请日：2023-08-31
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种磁性随机存储器结构的制作方法及磁性随机存储器结构。该制作方法包括：提供半导体基底，包括第一底部互连结构和底部电极层，底部电极层具有第二表面；在第二表面上依次形成层叠设置的存储位元和金属硬掩膜层，第二表面中包括第三区域和围绕第三区域的第四区域，存储位元和金属硬掩膜层在第二表面上的投影位于第三区域中；在金属硬掩膜层远离存储位元的一侧覆盖第一反应薄膜，以使第一反应薄膜和金属硬掩膜层反应生成顶部电极层，顶部电极层具有相对的第三表面和第四表面，第三表面中包括第五区域和围绕第五区域的第六区域，存储位元在第三表面上的投影位于第五区域中；在第四表面上形成顶部互连结构。
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