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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118973366A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411049420.9
申请日：2024-08-01
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于柔性自旋电子器件技术领域，具体涉及一种具有强磁交换偏置效应的氧化物转角异质结的制备及性能调控方法。通过将具有磁有序结构的自支撑单晶铁磁氧化物薄膜和反铁磁氧化物薄膜相互堆叠形成具有强界面磁耦合的转角磁异质结，并且通过增加覆盖层和堆叠角度调控转角磁异质结的磁性能。本发明通过将不同磁有序结构的自支撑反铁磁和铁磁层形成转角磁异质结，并通过控制耦合角度和距离，实现对转角磁异质结的交换偏置的调控。这不仅有利于研究转角磁电子学的物理机制，也为多功能的自旋电子学材料提供了材料基础和新颖有效调控手段。摘要附图为图10。
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公开(公告)号：CN114014253B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111293188.X
申请日：2021-11-03
Abstract: 本发明属于微纳米尺度的柔性电子器件技术领域，具体涉及一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法。所述管状单晶钙钛矿氧化物薄膜具有三维管状结构；所述三维管状结构通过衬底、柔性有机物支撑层和粘附在柔性有机物支撑层表面的管状钙钛矿氧化物薄膜组成。本发明选用水蒸气让钙钛矿结构的水溶性牺牲层缓慢溶解，实现薄膜出现微纳米裂纹。在显微镜中观察氧化物薄膜裂纹形成至整个薄膜，这利于后面管状结构的形成和控制。本发明通过改变单晶钙钛矿氧化物薄膜的厚度、单晶钙钛矿氧化物异质结构的组成结构、单晶钙钛矿氧化物异质结构的层数（从单层到多层）及单晶衬底种类，能够实现控制自支撑单晶钙钛矿氧化物薄膜的管状结构及直径。
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公开(公告)号：CN114014253A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111293188.X
申请日：2021-11-03
Abstract: 本发明属于微纳米尺度的柔性电子器件技术领域，具体涉及一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法。所述管状单晶钙钛矿氧化物薄膜具有三维管状结构；所述三维管状结构通过衬底、柔性有机物支撑层和粘附在柔性有机物支撑层表面的管状钙钛矿氧化物薄膜组成。本发明选用水蒸气让钙钛矿结构的水溶性牺牲层缓慢溶解，实现薄膜出现微纳米裂纹。在显微镜中观察氧化物薄膜裂纹形成至整个薄膜，这利于后面管状结构的形成和控制。本发明通过改变单晶钙钛矿氧化物薄膜的厚度、单晶钙钛矿氧化物异质结构的组成结构、单晶钙钛矿氧化物异质结构的层数（从单层到多层）及单晶衬底种类，能够实现控制自支撑单晶钙钛矿氧化物薄膜的管状结构及直径。
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公开(公告)号：CN116988017A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310940469.2
申请日：2023-07-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于微纳米尺度的柔性电子器件技术领域，具体涉及一种多层堆叠的氧化物薄膜的制备方法。通过在衬底与薄膜之间引入牺牲层，可将薄膜与衬底分离，转移至任意目标位置，实现几种不同功能特性的自支撑薄膜或异质结构薄膜按不同顺序或角度堆叠，并依靠范德瓦尔斯力结合在一起。本发明通过不同方法堆叠自支撑单层氧化物薄膜，实现多层功能氧化物薄膜层数、角度的调控，从而控制功能氧化物薄膜层间相互作用，实现对物理特性以及新物性的调控，这不仅有利于研究复杂氧化物转角电子学（Twistronics）的物理机制，也为多功能柔性电子材料提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN115768242A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211459545.X
申请日：2022-11-16
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种模拟神经突触和神经元功能的自旋轨道矩器件及其实现方法，器件包括缓冲层、功能层以及氧化物保护层，功能层为重金属和铁磁金属交替层叠的多层膜，重金属层和铁磁金属层的厚度变化相反，构成沿着薄膜面外方向的成分梯度膜。磁矩具有从面内到面外的渐变可实现无外磁场下的磁矩反转，同时，利用材料的体自旋轨道矩和DMI相互作用可以实现对磁矩大小的连续调节，这种类模拟的多磁态调节可以用来实现生物突触的可塑性功能。而且，电控多态的磁矩反转可以模拟生物神经元的积累和激活功能。本发明可以在一个器件当中同时实现对神经突触和神经元部分功能的模拟，为实现由统一器件组成的人工神经网络奠定了基础。
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