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公开(公告)号：CN118880404A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411317253.1
申请日：2024-09-20
申请人： 江苏艾森半导体材料股份有限公司 , 艾森半导体材料(南通)有限公司
IPC分类号： C25D3/32
摘要： 本发明公开了一种光伏用电镀锡溶液，其原料组成包括，金属锡盐15‑65g/L；缓冲剂0.3‑5g/L；络合剂100‑350g/L；润湿剂1‑3g/L；抗氧化剂0.1‑1.5g/L；以及溶剂水。本发明可以在光伏电池片上形成一层均匀、附着性良好的锡膜，可以保护光伏电池片不受环境侵蚀，提高其稳定性和寿命。同时，还可以提高光伏电池片的导电性能，降低电阻，从而提高光伏组件的发电效率。
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公开(公告)号：CN117904633A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410087904.6
申请日：2024-01-22
申请人： 江苏艾森半导体材料股份有限公司 , 艾森半导体材料(南通)有限公司
IPC分类号： C23F1/20
摘要： 本发明公开了不伤铜的铝蚀刻液，其原料的投料组成包括，wt％：50％‑65％磷酸；5％‑10％醋酸；1％‑6％间硝基苯磺酸钠；1％‑10％缓蚀剂；1％‑5％表面活性剂；余量为水。本发明方案组成简单，通过优化蚀刻液的组成，消除传统配方中的强氧化性和强酸性的组成，从而有效地改善了刻蚀液的刻蚀选择性，并且具有更高的使用安全性和刻蚀过程可控性。
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公开(公告)号：CN117777863A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311791181.X
申请日：2023-12-25
申请人： 江苏艾森半导体材料股份有限公司 , 艾森半导体材料(南通)有限公司
IPC分类号： C09G1/18 , H01L31/18 , H01L31/028
摘要： 本发明公开了一种IBC电池单晶硅及其碱抛光刻蚀添加剂、刻蚀液与刻蚀方法，属于单晶硅刻蚀技术领域。上述添加剂的原料包括0.5‑2%的水杨酸、0.1‑0.3%的2‑膦酸丁烷‑1,2,4‑三羧酸、0.1‑0.3%的葡萄糖内酯、0.1‑0.2%的羟基乙叉二磷酸、0.03‑0.1%的聚乙烯吡咯烷酮、0.5‑2%的苹果酸等。相应的碱抛光刻蚀液用于对原单晶硅片的表面进行抛光刻蚀，可使硅片表面腐蚀出金字塔塔基的形状，提高硅片的比表面积，有利于气相沉积的氮化硅与硅片的附着力，降低载流子的复合，提高少子的寿命，间接提升光电转换效率，还可在硅片表面形成一层疏水膜，降低碱液和添加剂的残留，提高电池片的良率。
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公开(公告)号：CN117758373A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311789033.4
申请日：2023-12-25
申请人： 江苏艾森半导体材料股份有限公司 , 艾森半导体材料(南通)有限公司
IPC分类号： C30B33/10 , C30B29/06 , H01L31/18 , H01L31/0236
摘要： 本发明公开了IBC电池单晶硅制绒添加剂和腐蚀液、及制备方法和应用，涉及光伏技术领域。利用海藻酸钠、乙二胺四乙酸二钠盐、硫酸钠、2,4‑二羟基苯甲酸钠、阿拉伯胶、次氮基三乙酸钠和水形成新型制绒添加剂，添加剂在加入到碱腐蚀反应液后能够使制绒反应更加均匀和快速，同时保护了氮化硅层会被氢氧化钠腐蚀的风险，能够有效的在硅片表面形成金字塔结构；通过加入一些酸根离子和一些高分子多糖，在溶液中形成空间网状结构，吸附在氮化硅面，保护了氮化硅保护层不被氢氧化钠腐蚀，也起到了降低碱薄量的目的，还能够去除制绒液体在硅片表面残留，使硅片更加整洁、干净。
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公开(公告)号：CN117285710A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311188827.5
申请日：2023-09-14
申请人： 江苏艾森半导体材料股份有限公司 , 艾森半导体材料(南通)有限公司
摘要： 本发明涉及光敏性高分子材料技术领域，具体而言，涉及自感光型光敏性聚苯并噁唑前驱体树脂及其制备方法。自感光型光敏性聚苯并噁唑前驱体树脂选自下述结构式所示化合物：#imgabs0#其中，C表示封端剂，D表示二酰氯单体，B表示含有羟基的第一二胺单体或其盐酸盐，且羟基与氨基不处于邻位；A表示含有羟基的第二二胺单体或其盐酸盐，且氨基与羟基处于邻位，A、B和C上的羟基中的H部分或者全部被重氮萘醌磺酰氯单体E取代。将重氮萘醌磺酸酯引入到分子主链上使得形成的树脂具有自感光型光敏性，该树脂作为光刻胶正胶的主体树脂制备光刻胶时，不用额外再添加光敏剂。
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公开(公告)号：CN117055293A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210495081.1
申请日：2022-05-07
申请人： 江苏艾森半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明提供一种感光性聚酰亚胺组合物、图形的制造方法及电子部件，所述感光性聚酰亚胺组合物含有下述成分(a)、(b)、(c)和(d)：(a)可溶于碱性水溶液的聚合物，(b)光聚合反应引发剂，(c)具有可聚合官能团的化合物，所述可聚合官能团包括不饱和的双键或三键，(d)热交联剂。本发明的感光性聚酰亚胺组合物未曝光于紫外光的部分易溶于碱性水溶液，而已曝光于紫外光的部分不溶于碱性水溶液，因而能够有效地复制精细的图案。此外，本发明的感光性聚酰亚胺组合物未曝光部分与曝光部分的溶解速度比(对比度)优异，并具有良好的分辨率、密合性、化学耐受性、以及保存稳定性。
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公开(公告)号：CN117055292A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210494614.4
申请日：2022-05-07
申请人： 江苏艾森半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明提供一种负性感光性聚酰亚胺组合物、图形的制造方法以及电子部件，所述负性感光性聚酰亚胺组合物含有下述成分(a)、(b)、(c)和(d)：(a)可溶于碱性水溶液的聚合物，(b)光聚合反应引发剂，(c)具有可聚合官能团的化合物，所述可聚合官能团包括不饱和的双键或三键，(d)热交联剂。本发明的负性感光性聚酰亚胺组合物未曝光于紫外光的部分易溶于碱性水溶液，而已曝光于紫外光的部分不溶于碱性水溶液，因而能够有效地复制精细的图案。此外，本发明的负性感光性聚酰亚胺组合物未曝光部分与曝光部分的溶解速度比(对比度)优异，并具有良好的分辨率、密合性、化学耐受性、以及保存稳定性。
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公开(公告)号：CN116751479A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310910550.6
申请日：2023-07-24
申请人： 江苏艾森半导体材料股份有限公司 , 艾森半导体材料(南通)有限公司
IPC分类号： C09D11/103 , H01L23/29 , C09D11/102 , C09D11/03 , C09D11/037
摘要： 本发明公开了半导体被动元件封装用油墨及其制备方法、器件及设备，其中油墨其组成包括，以质量百分数计，20‑35份的酚醛树脂、5‑15份的聚氨酯树脂、5‑25份的环氧树脂、10‑20份的二氧化硅接枝碳纤维填料、5‑10份的第一填料、1‑10份的助剂、8‑11份的颜料。本发明通过优化封装油墨的组成和工艺，有效改善了油墨产品的稳定性和耐受性，从而满足了在生产环境和应用在的适应性，保障产品是使用寿命。
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公开(公告)号：CN116609999A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310403361.X
申请日：2023-04-14
申请人： 江苏艾森半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及感光性介电材料技术领域，具体而言，涉及感光性聚酰亚胺组合物、固化物和电子部件。感光性聚酰亚胺组合物，其包括以下成分：(a)可溶于碱性水溶液的嵌段聚合物；其结构式下述式1所示：其中，k+m＝5‑200，m/k＝0.01‑0.5；Ar1选自4价有机基团，Ar2选自2价有机基团，Ar3选自4价有机基团；(b)光敏剂；(c)热交联剂。该感光性聚酰亚胺组合物可采用碱性水溶液显影，能够有效地复制精细的图案，显影后留膜率高，固化后具有优异的耐化学稳定性、具有优异的固化残膜率以及良好的密合性，且固化温度低。
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公开(公告)号：CN112981405B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110203281.0
申请日：2021-02-23
申请人： 江苏艾森半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C23F1/26 , H01L21/3213 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种钛钨蚀刻液及其制备方法和应用，所述钛钨蚀刻液以重量份数计包括过氧化氢15‑30份、金属络合剂0.1‑20份、过氧化氢稳定剂0.1‑10份、pH调节剂0.1‑20份和水。本发明提供的钛钨蚀刻液蚀刻效果好，对底材无腐蚀，稳定性好，使用寿命长。
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