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公开(公告)号：CN116266594A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310101780.8
申请日：2023-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开描述了一种半导体装置结构及其形成方法。所述结构包括：设置于基板之上的第一通道区；与第一通道区相邻设置的第二通道区；设置于第一及第二通道区中的栅极层；与栅极层相邻设置的第一介电部件。所述第一介电部件包括具有第一厚度的第一介电材料。所述结构更包括设置于第一及第二通道区之间的第二介电部件，其中第二介电部件包括具有实质上小于第一厚度的第二厚度的第二介电材料。所述第二厚度范围为约1nm至约20nm。
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