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发明公开
半导体器件结构及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN119604025A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202410694901.9

申请日：2024-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 , 林泓佑 , 李佳晋 , 赖俊良 , 吴昀铮

IPC: H10D84/85 , H10D84/83 , H10D84/03

Abstract: 本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例涉及在栅极结构中形成隔离结构以防止电流通过源极/漏极区域(EPI)、晶体管和硅衬底泄漏。隔离结构被布置成具有与短隔离结构相邻的长隔离结构的图案。隔离结构可以在替换栅极顺序之前或之后形成在栅极结构中。

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