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公开(公告)号：CN118866680A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410830828.3
申请日：2024-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/8238
Abstract: 提供了处理金属栅极的方法、制造半导体装置的方法、及蚀刻金属的方法，诸如用于处理金属栅极的方法。一种用于蚀刻金属的方法包含在金属上方形成硬遮罩，其中硬遮罩包含界定开口的侧壁；以及进行包含将氮化碳膜沉积于侧壁上及蚀刻金属的循环的电浆蚀刻工艺。
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