公开(公告)号：CN118866680A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410830828.3

申请日：2024-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昭瑄 ,  杨宜伟 ,  蔡昌翰 ,  张书维 ,  古淑瑗 ,  林益安 ,  陈嘉仁

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了处理金属栅极的方法、制造半导体装置的方法、及蚀刻金属的方法，诸如用于处理金属栅极的方法。一种用于蚀刻金属的方法包含在金属上方形成硬遮罩，其中硬遮罩包含界定开口的侧壁；以及进行包含将氮化碳膜沉积于侧壁上及蚀刻金属的循环的电浆蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN111696859B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201910744444.9

申请日：2019-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昭瑄 ,  黄渊圣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及使用等离子体刻蚀进行超窄沟道图案化。一种方法包括在图案化光致抗蚀剂上形成聚合物层。聚合物层延伸到图案化光致抗蚀剂的开口中。蚀刻聚合物层以暴露图案化光致抗蚀剂。蚀刻聚合物层和顶部底部抗反射涂层(BARC)以图案化顶部BARC，其中图案化光致抗蚀剂用作蚀刻掩模。顶部BARC用作蚀刻掩模来蚀刻底层。

公开(公告)号：CN111696859A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910744444.9

申请日：2019-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昭瑄 ,  黄渊圣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及使用等离子体刻蚀进行超窄沟道图案化。一种方法包括在图案化光致抗蚀剂上形成聚合物层。聚合物层延伸到图案化光致抗蚀剂的开口中。蚀刻聚合物层以暴露图案化光致抗蚀剂。蚀刻聚合物层和顶部底部抗反射涂层(BARC)以图案化顶部BARC，其中图案化光致抗蚀剂用作蚀刻掩模。顶部BARC用作蚀刻掩模来蚀刻底层。

公开(公告)号：CN119997591A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411789073.3

申请日：2024-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昭瑄 ,  杨宜伟 ,  古淑瑗 ,  陈嘉仁

IPC: H10D84/03 ,  H01L21/768

Abstract: 本揭露的实施例提供一种半导体装置结构的形成方法。方法包含：在基板上方形成鳍结构；在鳍结构附近形成绝缘材料；在鳍结构及绝缘材料上方沉积栅极介电层；在栅极介电层上沉积栅极电极层；形成穿过栅极电极层及栅极介电层进入绝缘材料的开口；随后执行蚀刻工艺，蚀刻工艺以比栅极电极层更快的速率蚀刻栅极介电层；及用介电材料填充开口。