公开(公告)号：CN109772784A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811308933.1

申请日：2018-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黃玠超 ,  严必明 ,  夏英庭 ,  夏培彦 ,  黄秉荣 ,  胡弘龙

IPC: B08B3/02

Abstract: 本公开涉及一种晶圆清洁设备。此设备包括由不可燃材料组成的外壳、晶圆支架、清洁喷嘴、至少一感应器、及排气单元。晶圆支架可夹持及加热晶圆。清洁喷嘴可供应清洁流体至晶圆的表面。至少一感应器可检测晶圆的特性。排气单元可排出外壳中的清洁流体产生的蒸气。排气单元可包括冲洗喷嘴，以用喷雾冲洗通过排气单元的蒸气。

公开(公告)号：CN106206284A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510306755.9

申请日：2015-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  林益安 ,  严必明 ,  陈昭成 ,  章勋明

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L21/2256 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供一种改进型蚀刻工艺。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成掺杂氧化物层；在掺杂氧化物层上形成图案化层，图案化层保持掺杂氧化物层的暴露区；对衬底执行溅射工艺；以及在溅射工艺之后，对半导体衬底执行湿蚀刻工艺，以从暴露区去除掺杂氧化物层。

公开(公告)号：CN109772784B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201811308933.1

申请日：2018-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黃玠超 ,  严必明 ,  夏英庭 ,  夏培彦 ,  黄秉荣 ,  胡弘龙

IPC: B08B3/02

Abstract: 本公开涉及一种晶圆清洁设备。此设备包括由不可燃材料组成的外壳、晶圆支架、清洁喷嘴、至少一感应器、及排气单元。晶圆支架可夹持及加热晶圆。清洁喷嘴可供应清洁流体至晶圆的表面。至少一感应器可检测晶圆的特性。排气单元可排出外壳中的清洁流体产生的蒸气。排气单元可包括冲洗喷嘴，以用喷雾冲洗通过排气单元的蒸气。

公开(公告)号：CN106206284B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201510306755.9

申请日：2015-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  林益安 ,  严必明 ,  陈昭成 ,  章勋明

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明提供一种改进型蚀刻工艺。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成掺杂氧化物层；在掺杂氧化物层上形成图案化层，图案化层保持掺杂氧化物层的暴露区；对衬底执行溅射工艺；以及在溅射工艺之后，对半导体衬底执行湿蚀刻工艺，以从暴露区去除掺杂氧化物层。

公开(公告)号：CN108155088B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201711215620.7

申请日：2017-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱君瀚 ,  陈乃嘉 ,  卓琮闵 ,  黄秉荣 ,  施瑞明 ,  严必明

IPC: H01L21/027

Abstract: 实施例的方法包括在目标层上方形成图案化的蚀刻掩模并使用图案化的蚀刻掩模作为掩模来图案化目标层以形成图案化的目标层。该方法还包括在图案化的蚀刻掩模和图案化的目标层上执行第一清洁工艺，第一清洁工艺包括第一溶液。该方法附加地包括执行第二清洁工艺以去除图案化的蚀刻掩模并形成暴露的图案化的目标层，第二清洁工艺包括第二溶液。该方法还包括在暴露的图案化的目标层上执行第三清洁工艺，并且在暴露的图案化的目标层上执行第四清洁工艺，第四清洁工艺包括第一溶液。本发明实施例涉及去除蚀刻掩模的方法。

公开(公告)号：CN108155088A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711215620.7

申请日：2017-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱君瀚 ,  陈乃嘉 ,  卓琮闵 ,  黄秉荣 ,  施瑞明 ,  严必明

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 实施例的方法包括在目标层上方形成图案化的蚀刻掩模并使用图案化的蚀刻掩模作为掩模来图案化目标层以形成图案化的目标层。该方法还包括在图案化的蚀刻掩模和图案化的目标层上执行第一清洁工艺，第一清洁工艺包括第一溶液。该方法附加地包括执行第二清洁工艺以去除图案化的蚀刻掩模并形成暴露的图案化的目标层，第二清洁工艺包括第二溶液。该方法还包括在暴露的图案化的目标层上执行第三清洁工艺，并且在暴露的图案化的目标层上执行第四清洁工艺，第四清洁工艺包括第一溶液。本发明实施例涉及去除蚀刻掩模的方法。