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公开(公告)号：CN109727977B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810376849.7
申请日：2018-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/78
Abstract: 本发明描述了切割栅极结构和鳍的方法以及由此形成的结构。在实施例中，衬底包括第一鳍和第二鳍以及隔离区。第一鳍和第二鳍纵向平行延伸，隔离区设置在第一鳍和第二鳍之间。栅极结构包括位于第一鳍上方的共形栅极电介质和位于共形栅极电介质上方的栅电极。第一绝缘填充结构邻接栅极结构并且从栅极结构的上表面的层级垂直地至少延伸至隔离区的表面。共形栅极电介质的任何部分都不在第一绝缘填充结构和栅电极之间垂直延伸。第二绝缘填充结构邻接第一绝缘填充结构和第二鳍的端部侧壁。第一绝缘填充结构横向地设置在栅极结构和第二绝缘填充结构之间。本发明的实施例还提供了半导体结构切割方法及由此形成的半导体结构。
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公开(公告)号：CN113594092B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110545051.2
申请日：2021-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法，该方法包括：于基板上方形成虚设栅极堆叠；于虚设栅极堆叠上方形成第一间隔层；氧化第一间隔层的表面以形成牺牲衬层；于牺牲衬层上方形成一或多个第二间隔层；于一或多个第二间隔层上方形成第三间隔层；于第三间隔层上方形成层间介电(inter‑layer dielectric,ILD)层；蚀刻一或多个第二间隔层的至少一部分以形成气隙，气隙插在第三间隔层及第一间隔层之间；形成再填充层以填充气隙的上部。
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公开(公告)号：CN109841618B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810521136.5
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
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公开(公告)号：CN119894048A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411146060.4
申请日：2024-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件中的栅极结构的轮廓。公开了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的半导体层、与半导体层相邻设置的源极/漏极区域、设置在半导体层上的栅极结构、沿栅极结构的侧壁设置的具有三角形横截面轮廓的界面间隔件层、以及栅极间隔件。栅极间隔件包括第一间隔件部分和第二间隔件部分，第一间隔件部分包括设置在半导体层上的具有基本上线性轮廓的第一底表面，第二间隔件部分包括设置在界面间隔件层上的具有倾斜轮廓的第二底表面。
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公开(公告)号：CN110783267B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910243925.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及切割鳍隔离区域及其形成方法。一种方法包括形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍。隔离区域包括在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间的部分。该方法还包括形成跨第一半导体鳍和第二半导体鳍上方的栅极堆叠，刻蚀栅极堆叠的一部分以形成开口，其中，隔离区域的该部分、第一半导体鳍和第二半导体鳍暴露于开口，刻蚀第一半导体鳍、第二半导体鳍和隔离区域的该部分，以将开口延伸到隔离区域下方的半导体衬底的主体部分中，以及用电介质材料填充开口以形成切割鳍隔离区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113140513A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110048098.8
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的制造方法。揭示了在半导体装置中形成气体间隔物的方法以及包含气体间隔物的半导体装置。根据一实施例，方法包含在基底上方形成栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上形成第一栅极间隔物；在第一栅极间隔物的侧壁上形成第二栅极间隔物；使用蚀刻制程移除第二栅极间隔物以形成第一开口，蚀刻制程在小于0℃的温度下进行，蚀刻制程使用包含氟化氢的蚀刻溶液；以及在第一栅极间隔物和栅极堆叠上方沉积介电层，介电层在第一开口中密封气体间隔物。
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公开(公告)号：CN110783267A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910243925.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及切割鳍隔离区域及其形成方法。一种方法包括形成彼此平行并且突出高于隔离区域的顶表面的第一半导体鳍和第二半导体鳍。隔离区域包括在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间的部分。该方法还包括形成跨第一半导体鳍和第二半导体鳍上方的栅极堆叠，刻蚀栅极堆叠的一部分以形成开口，其中，隔离区域的该部分、第一半导体鳍和第二半导体鳍暴露于开口，刻蚀第一半导体鳍、第二半导体鳍和隔离区域的该部分，以将开口延伸到隔离区域下方的半导体衬底的主体部分中，以及用电介质材料填充开口以形成切割鳍隔离区域。
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公开(公告)号：CN109727977A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810376849.7
申请日：2018-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/78
Abstract: 本发明描述了切割栅极结构和鳍的方法以及由此形成的结构。在实施例中，衬底包括第一鳍和第二鳍以及隔离区。第一鳍和第二鳍纵向平行延伸，隔离区设置在第一鳍和第二鳍之间。栅极结构包括位于第一鳍上方的共形栅极电介质和位于共形栅极电介质上方的栅电极。第一绝缘填充结构邻接栅极结构并且从栅极结构的上表面的层级垂直地至少延伸至隔离区的表面。共形栅极电介质的任何部分都不在第一绝缘填充结构和栅电极之间垂直延伸。第二绝缘填充结构邻接第一绝缘填充结构和第二鳍的端部侧壁。第一绝缘填充结构横向地设置在栅极结构和第二绝缘填充结构之间。本发明的实施例还提供了半导体结构切割方法及由此形成的半导体结构。
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公开(公告)号：CN113594092A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110545051.2
申请日：2021-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法，该方法包括：于基板上方形成虚设栅极堆叠；于虚设栅极堆叠上方形成第一间隔层；氧化第一间隔层的表面以形成牺牲衬层；于牺牲衬层上方形成一或多个第二间隔层；于一或多个第二间隔层上方形成第三间隔层；于第三间隔层上方形成层间介电(inter‑layer dielectric,ILD)层；蚀刻一或多个第二间隔层的至少一部分以形成气隙，气隙插在第三间隔层及第一间隔层之间；形成再填充层以填充气隙的上部。
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公开(公告)号：CN109841618A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810521136.5
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
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