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发明公开
半导体装置的制造方法及形成半导体装置的方法审中-实审

公开(公告)号：CN119008529A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410610897.3

申请日：2024-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高魁佑 , 林士尧 , 卓琼玉 , 曾柏源 , 林敏巧 , 陈振平 , 林志翰 , 张铭庆

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置的制造方法及形成半导体装置的方法，半导体装置的制造方法包括形成磊晶堆叠，磊晶堆叠包括至少一牺牲磊晶层及至少一通道磊晶层。在磊晶堆叠中形成鳍片。执行调谐操作以在操作期间防止牺牲磊晶层的宽度扩展超出通道磊晶层的宽度以形成隔离特征。在鳍片之间形成隔离特征，其中牺牲磊晶层的宽度不扩展超出通道磊晶层的宽度。形成牺牲栅极堆叠。在牺牲栅极堆叠的多个侧壁上形成栅极侧壁间隔物。围绕牺牲磊晶层及通道磊晶层形成内部间隔物。形成多个源极/漏极特征。移除牺牲栅极堆叠及牺牲磊晶层。形成替换金属栅极，其中防护金属栅极不受源极/漏极特征影响。

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