公开(公告)号：CN119855228A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411462401.9

申请日：2024-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高魁佑 ,  林士尧 ,  邱志忠 ,  廖展勤 ,  林骏宇 ,  张咏琪 ,  林志翰 ,  林敏巧

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03 ,  H10D64/27

Abstract: 本申请公开半导体器件中的栅极结构轮廓。本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；基底结构，基底结构具有设置在衬底上的第一基底部分和第二基底部分；隔离区，设置在衬底上并且与基底结构相邻；纳米结构沟道区，设置在第一基底部分上；源极/漏极区域，设置在第二基底部分上；栅极结构；以及栅极间隔件，沿栅极结构侧壁设置，并且在栅极结构和隔离区之间。栅极结构包括外部栅极部分和内部栅极部分，外部栅极部分包括：外部栅极部分，包括锥形截面轮廓，并且被设置在隔离区上，以及内部栅极部分，包括非锥形截面轮廓，并且被设置在纳米结构沟道区上。

公开(公告)号：CN119008529A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410610897.3

申请日：2024-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高魁佑 ,  林士尧 ,  卓琼玉 ,  曾柏源 ,  林敏巧 ,  陈振平 ,  林志翰 ,  张铭庆

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置的制造方法及形成半导体装置的方法，半导体装置的制造方法包括形成磊晶堆叠，磊晶堆叠包括至少一牺牲磊晶层及至少一通道磊晶层。在磊晶堆叠中形成鳍片。执行调谐操作以在操作期间防止牺牲磊晶层的宽度扩展超出通道磊晶层的宽度以形成隔离特征。在鳍片之间形成隔离特征，其中牺牲磊晶层的宽度不扩展超出通道磊晶层的宽度。形成牺牲栅极堆叠。在牺牲栅极堆叠的多个侧壁上形成栅极侧壁间隔物。围绕牺牲磊晶层及通道磊晶层形成内部间隔物。形成多个源极/漏极特征。移除牺牲栅极堆叠及牺牲磊晶层。形成替换金属栅极，其中防护金属栅极不受源极/漏极特征影响。

公开(公告)号：CN221947163U

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202420052453.8

申请日：2024-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志翰 ,  高魁佑 ,  林士尧 ,  曾科嘉 ,  林敏巧 ,  黃宪中 ,  陈俊宏 ,  黃冠凯 ,  陈昭成 ,  陈振平 ,  张铭庆

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体元件，包含鳍片、分离结构、虚设栅极间隔件、第一磊晶源极/漏极区域以及需设闸及材料的残留物。鳍片延伸自基材且包含第一鳍片端。分离结构将第一鳍片端与另一鳍片的相邻第一鳍片端分离。虚设栅极间隔件沿着分离结构的侧壁以及鳍片。第一磊晶源极/漏极区域在鳍片中且与第一鳍片端相邻。虚设栅极材料的残留物在虚设栅极间隔件以及第一鳍片端之间的转角区域。第一鳍片端从虚设栅极间隔件突出至分离结构。虚设栅极材料的残留物分离第一磊晶源极/漏极区域与分离结构，且虚设栅极材料的残留物为三角形。