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公开(公告)号：CN119170626A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410631810.0
申请日：2024-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭示提供半导体装置及其形成方法。方法包括在基板上形成多个结构；在结构之间形成一层；执行第一蚀刻工艺，以使层凹陷至具有锯齿状轮廓的表面；可选地在表面上形成一个或多个薄膜，其中此一个薄膜或多个薄膜保留锯齿状轮廓；在基板上沉积材料；选择性地遮蔽材料，以定义材料的遮蔽部分和材料的未掩蔽部分；以及执行第二蚀刻工艺，以蚀刻材料的一部分并形成具有侧壁的材料，其中第二蚀刻工艺使锯齿状轮廓暴露出来，以及其中在第二蚀刻工艺中离子被锯齿状轮廓反射。
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公开(公告)号：CN119008529A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410610897.3
申请日：2024-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置的制造方法及形成半导体装置的方法，半导体装置的制造方法包括形成磊晶堆叠，磊晶堆叠包括至少一牺牲磊晶层及至少一通道磊晶层。在磊晶堆叠中形成鳍片。执行调谐操作以在操作期间防止牺牲磊晶层的宽度扩展超出通道磊晶层的宽度以形成隔离特征。在鳍片之间形成隔离特征，其中牺牲磊晶层的宽度不扩展超出通道磊晶层的宽度。形成牺牲栅极堆叠。在牺牲栅极堆叠的多个侧壁上形成栅极侧壁间隔物。围绕牺牲磊晶层及通道磊晶层形成内部间隔物。形成多个源极/漏极特征。移除牺牲栅极堆叠及牺牲磊晶层。形成替换金属栅极，其中防护金属栅极不受源极/漏极特征影响。
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公开(公告)号：CN222928736U
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202421376068.5
申请日：2024-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种半导体装置结构包括通道区、第一源极/漏极特征、栅极介电层与栅极电极层。通道区包括第一通道层以及第二通道层，第一通道层具有第一宽度，第二通道层设置于第一通道层下方，第二通道层具有大于第一宽度的第二宽度。第一源极/漏极特征具有与第一通道层和第二通道层接触的侧壁。栅极介电层设置为围绕第一通道层和第二通道层中每一者的多个暴露表面。栅极电极层设置于栅极介电层上。
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