公开(公告)号：CN114883256A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210061870.4

申请日：2022-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高琬贻 ,  廖芳谊 ,  张哲豪 ,  卢永诚 ,  徐志安

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置与其制造方法，半导体装置包含半导体鳍片、隔离层、介电鳍片结构及栅极结构。半导体鳍片在基板上方。隔离层在基板上方且与半导体鳍片相邻。介电鳍片结构在隔离层上方且包含底部介电鳍片及顶部介电鳍片。隔离层围绕底部介电鳍片的底部。顶部介电鳍片在底部介电鳍片上方且与隔离层间隔开。栅极结构跨越半导体鳍片及介电鳍片结构。与隔离层接触的栅极结构的一部分具有第一宽度，而与顶部介电鳍片接触的栅极结构的另一部分具有大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN113571473A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110514306.9

申请日：2021-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林颂恩 ,  徐志安 ,  廖芳谊 ,  王俊尧 ,  卢永诚

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开涉及间隙填充结构及其制造方法。一种方法包括图案化沟槽，并且使用共形沉积工艺沿着沟槽的侧壁和底表面沉积第一绝缘材料。沉积第一绝缘材料包括在第一绝缘材料的在沟槽的第一侧壁上的第一部分与第一绝缘材料的在沟槽的第二侧壁上的第二部分之间形成第一接缝。该方法还包括将第一绝缘材料蚀刻至低于沟槽的顶部，并且使用共形沉积工艺在第一绝缘材料之上以及沟槽中沉积第二绝缘材料。沉积第二绝缘材料包括在第二绝缘材料的在沟槽的第一侧壁上的第一部分与第二绝缘材料的在沟槽的第二侧壁上的第二部分之间形成第二接缝。

公开(公告)号：CN115732417A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210533386.7

申请日：2022-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦钧 ,  廖书翎 ,  廖芳谊 ,  林育樟

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括衬底、位于衬底上方的第一隔离结构、位于衬底上方并且延伸穿过第一隔离结构的第一鳍和第二鳍，以及延伸到第一隔离结构中并且插入在第一鳍和第二鳍之间的混合鳍。第一鳍的顶表面和第二鳍的顶表面在第一隔离结构的顶表面之上。混合鳍的顶表面在第一隔离结构的顶表面之上。混合鳍包括上部区域和位于上部区域下方的下部区域。下部区域包括接缝。接缝的最顶部在第一鳍的顶表面和第二鳍的顶表面之下。

公开(公告)号：CN115832047A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210935627.0

申请日：2022-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高琬贻 ,  廖芳谊 ,  廖书翎 ,  黄彦钧 ,  张哲豪 ,  卢永诚 ,  徐志安

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了包括鳍形隔离结构的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括：鳍，从半导体衬底延伸；浅沟槽隔离(STI)区域，位于与鳍相邻的半导体衬底上方；以及介电鳍结构，位于STI区域上方，介电鳍结构在平行于鳍的方向上延伸，介电鳍结构包括：第一衬垫层，与STI区域接触；以及第一填充材料，位于第一衬垫层上方，第一填充材料包括设置在第一填充材料的下部部分中并且与第一填充材料的顶面分隔开的接缝，第一填充材料的下部部分中的第一碳浓度大于第一填充材料的上部部分中的第二碳浓度。