公开(公告)号：CN118519313A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410167997.3

申请日：2024-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宣杓 ,  金旻昶 ,  韩允泽

IPC: G03F1/24

Abstract: 提供了一种具有提高的可靠性和耐久性的极紫外(EUV)掩模及其制造方法。EUV掩模包括：基板，具有矩形形状；反射多层，位于基板上并具有两种不同材料的多个交替的层，其中边缘倾斜区域或垂直端部形成在反射多层的外边缘部分处；以及吸收层，位于反射多层的至少一部分上。EUV掩模可以具有缺陷避免图案，该缺陷避免图案敞开边缘倾斜区域或垂直端部。

公开(公告)号：CN109540050B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201811117478.7

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴爰柱 ,  李亨周 ,  崔硕桓 ,  南东锡 ,  韩允泽

IPC: G01B15/00 ,  H01L21/66

Abstract: 一种关键尺寸测量系统，包括电压测量单元、控制单元和关键尺寸测量单元。电压测量单元可以测量光掩模的掩模图案的电势。控制单元可以包括信息存储单元，该信息存储单元用于存储关于由电压测量单元测量的掩模图案的电势的分布信息，以及关于与光掩模的掩模图案相对应的布局图案的信息。关键尺寸测量单元可由控制单元以第一测量模式和比第一测量模式运行更短时间的第二测量模式操作，并测量掩模图案的关键尺寸。

公开(公告)号：CN118519312A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311704469.9

申请日：2023-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宣杓 ,  金旻昶 ,  韩允泽

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/38 ,  G03F1/42

Abstract: 本公开内容描述了极紫外(EUV)掩模及其制造方法，该极紫外掩模具有改善的可靠性和耐久性。所述极紫外掩模包括：基底；设置在所述基底上并包括如下各自的多个的反射性多层：交替堆叠在彼此之上的两种类型的材料层；以及设置在所述反射性多层上的吸收层，其中所述吸收层包括中心转印区域和非转印区域，其中穿过所述吸收层的所述非转印区域的开口形成暴露所述反射性多层的光束校准点的缺陷避免图案。

公开(公告)号：CN109540050A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811117478.7

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴爰柱 ,  李亨周 ,  崔硕桓 ,  南东锡 ,  韩允泽

IPC: G01B15/00 ,  H01L21/66

Abstract: 一种关键尺寸测量系统，包括电压测量单元、控制单元和关键尺寸测量单元。电压测量单元可以测量光掩模的掩模图案的电势。控制单元可以包括信息存储单元，该信息存储单元用于存储关于由电压测量单元测量的掩模图案的电势的分布信息，以及关于与光掩模的掩模图案相对应的布局图案的信息。关键尺寸测量单元可由控制单元以第一测量模式和比第一测量模式运行更短时间的第二测量模式操作，并测量掩模图案的关键尺寸。