公开(公告)号：CN118519313A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410167997.3

申请日：2024-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宣杓 ,  金旻昶 ,  韩允泽

IPC: G03F1/24

Abstract: 提供了一种具有提高的可靠性和耐久性的极紫外(EUV)掩模及其制造方法。EUV掩模包括：基板，具有矩形形状；反射多层，位于基板上并具有两种不同材料的多个交替的层，其中边缘倾斜区域或垂直端部形成在反射多层的外边缘部分处；以及吸收层，位于反射多层的至少一部分上。EUV掩模可以具有缺陷避免图案，该缺陷避免图案敞开边缘倾斜区域或垂直端部。

公开(公告)号：CN118519312A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311704469.9

申请日：2023-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宣杓 ,  金旻昶 ,  韩允泽

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/38 ,  G03F1/42

Abstract: 本公开内容描述了极紫外(EUV)掩模及其制造方法，该极紫外掩模具有改善的可靠性和耐久性。所述极紫外掩模包括：基底；设置在所述基底上并包括如下各自的多个的反射性多层：交替堆叠在彼此之上的两种类型的材料层；以及设置在所述反射性多层上的吸收层，其中所述吸收层包括中心转印区域和非转印区域，其中穿过所述吸收层的所述非转印区域的开口形成暴露所述反射性多层的光束校准点的缺陷避免图案。

公开(公告)号：CN117908322A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202310693508.3

申请日：2023-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张盛宇 ,  李宣杓 ,  郑义汉

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/38

Abstract: 提供了极紫外(EUV)掩模及其制造方法。所述EUV掩模可以包括：基板，所述基板具有矩形形状；反射层，所述反射层在所述基板上，并且具有比所述基板的所述矩形形状小的矩形形状；以及吸收层，所述吸收层在所述反射层上。所述吸收层可以具有与所述反射层的所述矩形形状相同的形状。所述吸收层可以包括虚设孔图案。所述虚设孔图案可以沿着所述吸收层的边缘部分呈矩形框架形状，并且可以包括多个虚设孔，所述多个虚设孔暴露所述反射层。