公开(公告)号：CN106019850B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201610153625.0

申请日：2016-03-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石志聪 ,  郑介任 ,  陈政宏 ,  陈家桢 ,  游信胜 ,  严涛南 ,  赖韦志

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明的实施例公开了用于监控EUV光刻系统的焦点的系统和方法。另一方面包括具有测量第一移位值和测量第二移位值的操作的方法，其中对于晶圆上的焦点测试结构的第一组图案化的子结构，测量第一移位值，并且对于晶圆上的测试结构的第二组图案化的子结构，测量第二移位值。可以使用非对称照明在晶圆上形成测试结构，测试结构具有第一组图案化的子结构和第二组图案化的子结构，第一组图案化的子结构具有第一间距，第二组图案化的子结构具有与第一间距不同的第二间距。方法还包括，基于第一移位值和第二移位值之间的差值来确定用于照明系统的焦点移位补偿。

公开(公告)号：CN106019850A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610153625.0

申请日：2016-03-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石志聪 ,  郑介任 ,  陈政宏 ,  陈家桢 ,  游信胜 ,  严涛南 ,  赖韦志

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70641 ,  G03F7/7085

Abstract: 本发明的实施例公开了用于监控EUV光刻系统的焦点的系统和方法。另一方面包括具有测量第一移位值和测量第二移位值的操作的方法，其中对于晶圆上的焦点测试结构的第一组图案化的子结构，测量第一移位值，并且对于晶圆上的测试结构的第二组图案化的子结构，测量第二移位值。可以使用非对称照明在晶圆上形成测试结构，测试结构具有第一组图案化的子结构和第二组图案化的子结构，第一组图案化的子结构具有第一间距，第二组图案化的子结构具有与第一间距不同的第二间距。方法还包括，基于第一移位值和第二移位值之间的差值来确定用于照明系统的焦点移位补偿。

公开(公告)号：CN114815499A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210050402.7

申请日：2022-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄郁茹 ,  郭爵旗 ,  傅中其 ,  郑介任

IPC: G03F1/82 ,  G03F1/84 ,  G03F1/22 ,  B08B13/00

Abstract: 一种清洁极紫外线遮罩的系统和方法，极紫外(EUV)微影系统包含扫描器。微影系统用扫描器中的倍缩光罩执行EUV微影制程。扫描器包含倍缩光罩储存腔室、倍缩光罩背侧检查腔室及倍缩光罩清洁腔室。倍缩光罩清洁腔室对扫描器中的倍缩光罩的背侧的碎屑进行清洁。

公开(公告)号：CN114779582A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210137556.X

申请日：2022-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄昱智 ,  邱毓凯 ,  郑介任 ,  陈立锐

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种光微影设备及其用于去除污染物的方法，用于EUV晶圆卡盘或夹具的清洁设备去除已在该晶圆卡盘的表面上的瘤节之间积聚的粒子。该设备包括置放在该表面附近的一旋转双极电极，当该晶圆卡盘不使用时，该旋转双极电极可使用其产生的对称电场来自该表面吸引及吸附带电粒子残余物。

公开(公告)号：CN110824851A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810915785.3

申请日：2018-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗彦 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  郭爵旗 ,  郑介任

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/52

Abstract: 一种光刻设备的洁净度的检测方法，包括：放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上，且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上；通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上；将反射式光掩模由曝光腔移动至一光学检测机台；以及通过光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。

公开(公告)号：CN116560175A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210925585.2

申请日：2022-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏伟硕 ,  赖昱泽 ,  王圣闵 ,  谢艮轩 ,  郑介任 ,  张雅惠

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/42 ,  G03F1/32

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，该光掩模包括用于将光掩模与EUV光刻工具对准的掩模对准标记，以及设置在掩模对准标记周围的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。

公开(公告)号：CN112305871A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010709965.3

申请日：2020-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许哲彰 ,  郑介任 ,  陈立锐 ,  简上杰 ,  张晁祯 ,  陈思妤

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种照明器包括：第一琢面镜面，接收且反射曝光辐射；可调整屏蔽元件，安置于第一琢面镜面上，可调整屏蔽元件调整由第一琢面镜面反射的曝光辐射的强度均一性；以及第二琢面镜面，接收且反射由第一琢面镜面反射的曝光辐射。

公开(公告)号：CN111061129B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201811209082.5

申请日：2018-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅中其 ,  黄郁茹 ,  郑介任 ,  郭爵旗

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开部分实施例提供一种清洁光刻系统的方法。上述方法包括放置一光学元件至一光罩座。上述方法还包括自一光源产生一光束，并利用一第一光导件导引光束至光学元件，使光束在光学元件的一反射面的一有效区域反射并射入一第二光导件。反射面上的有效区域占反射面的比例约介于60％至100％之间。上述方法也包括供应一清洁气体至第二光导件周围，并将清洁气体自第二光导件周围抽除。

公开(公告)号：CN110824851B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201810915785.3

申请日：2018-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗彦 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  郭爵旗 ,  郑介任

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/52

Abstract: 一种光刻设备的洁净度的检测方法，包括：放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上，且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上；通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上；将反射式光掩模由曝光腔移动至一光学检测机台；以及通过光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。

公开(公告)号：CN111061129A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201811209082.5

申请日：2018-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅中其 ,  黄郁茹 ,  郑介任 ,  郭爵旗

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开部分实施例提供一种清洁光刻系统的方法。上述方法包括放置一光学元件至一光罩座。上述方法还包括自一光源产生一光束，并利用一第一光导件导引光束至光学元件，使光束在光学元件的一反射面的一有效区域反射并射入一第二光导件。反射面上的有效区域占反射面的比例约介于60％至100％之间。上述方法也包括供应一清洁气体至第二光导件周围，并将清洁气体自第二光导件周围抽除。