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公开(公告)号：CN115132649A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210173606.X
申请日：2022-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在设置在衬底之上的第一层间电介质(ILD)层之上形成第一导电层，在第一导电层之上形成第二ILD层，在第二ILD层中形成过孔以与第一导电层的上表面接触，在第二ILD层之上形成硬掩模图案，通过使用硬掩模图案作为蚀刻掩模来对第二ILD层和第一导电层进行图案化，从而形成图案化第二ILD层和第一布线图案，在图案化之后，去除硬掩模图案，并且在图案化第二ILD层和第一布线图案之间形成第三ILD层。
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公开(公告)号：CN118092077A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311092642.4
申请日：2023-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及在高NA EUV曝光的拼合区域引入明场成像的方法和系统。第一明场掩模板和第二明场掩模板用于双重曝光EUV光刻工艺，其中，第一和第二掩模板的曝光区域重叠。第一和第二掩模板各自分别包括：衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的吸收材料的主图案、黑色边界区域、以及黑色边界与主图案之间的吸收材料的附加吸收区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115206780A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210113800.9
申请日：2022-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括在基板上方形成第一阻剂层，及在第一阻剂层上方形成第二阻剂层。第二阻剂层经图案化以曝光第一阻剂层的一部分以形成第二阻剂层图案。第一阻剂层曝光于由第二阻剂层图案绕射的极紫外(XUV)辐射。移除曝光于由第二阻剂层绕射的XUV辐射的第一阻剂层的部分。
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公开(公告)号：CN116598255A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210948237.7
申请日：2022-08-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开总体涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在一种制造半导体器件的方法中，在电介质层的表面区域中形成导电图案，在电介质层之上形成包括在导电图案之上的开口的掩模图案，将导电图案的一部分转换为高电阻部分，该高电阻部分的电阻率高于穿过开口进行转换之前的导电图案的电阻率，以及去除掩模图案。
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公开(公告)号：CN116560175A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210925585.2
申请日：2022-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，该光掩模包括用于将光掩模与EUV光刻工具对准的掩模对准标记，以及设置在掩模对准标记周围的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。
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公开(公告)号：CN115346916A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210098928.2
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 互连结构包括介电层和位于介电层中的金属线。该金属线具有在金属线的纵长向方向上延伸的第一直边缘和第二直边缘。该第一直边缘与该第二直边缘彼此平行。通孔位于金属线下面并与之接合。该通孔具有位于第一直边缘下面并与第一直边缘垂直对准的第三直边缘，以及连接至第三直边缘的相对端的第一弯曲边缘和第二弯曲边缘。本申请的实施例还涉及形成互连结构的方法。
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