公开(公告)号：CN112748643B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202011081893.9

申请日：2020-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢艮轩 ,  张世明 ,  骆文 ,  苏伟硕 ,  林华泰

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/22

Abstract: 本揭露提供一种极紫外线微影装置及其使用方法。在范例中，一种极紫外线微影装置包含极紫外线光源和照明器。配置的极紫外线光源产生极紫外线光束以图案化基材上的光阻层。配置的照明器引导极紫外线光束至光罩表面上。在范例中，照明器包含场分面镜和光瞳分面镜。场分面镜包含第一组刻面的配置以分裂极紫外线光束成数个光通道。光瞳分面镜包含第二组刻面的配置以引导数个光通道至光罩表面上。第二组刻面在光瞳分面镜边缘处的分布密度高于在光瞳分面镜中心处。

公开(公告)号：CN109783838A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811288089.0

申请日：2018-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢艮轩 ,  苏伟硕 ,  刘如淦

IPC: G06F17/50 ,  G03F1/68

Abstract: 在一种制造用于半导体制程的光罩的方法中，获取当中排列有多个图案的光罩图案布局，并且这些图案会被转换为具有多个节点及多个连接线的图形。在N为等于或大于3的整数的情况下，决定多个节点是否能被N种颜色着色，且同时不会使由一连接线连接的邻近多个节点被相同颜色着色。当确定多个节点可被N种颜色着色后，以N种颜色为多个节点上色。基于被N种颜色着色的节点，将多个图案分类为N个集群并分配至N个光罩，为N个光罩输出N组数据。

公开(公告)号：CN116560175A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210925585.2

申请日：2022-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏伟硕 ,  赖昱泽 ,  王圣闵 ,  谢艮轩 ,  郑介任 ,  张雅惠

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/42 ,  G03F1/32

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，该光掩模包括用于将光掩模与EUV光刻工具对准的掩模对准标记，以及设置在掩模对准标记周围的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。

公开(公告)号：CN112748643A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011081893.9

申请日：2020-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢艮轩 ,  张世明 ,  骆文 ,  苏伟硕 ,  林华泰

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/22

Abstract: 本揭露提供一种极紫外线微影装置及其使用方法。在范例中，一种极紫外线微影装置包含极紫外线光源和照明器。配置的极紫外线光源产生极紫外线光束以图案化基材上的光阻层。配置的照明器引导极紫外线光束至光罩表面上。在范例中，照明器包含场分面镜和光瞳分面镜。场分面镜包含第一组刻面的配置以分裂极紫外线光束成数个光通道。光瞳分面镜包含第二组刻面的配置以引导数个光通道至光罩表面上。第二组刻面在光瞳分面镜边缘处的分布密度高于在光瞳分面镜中心处。

公开(公告)号：CN112447528A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010888477.3

申请日：2020-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧志民 ,  赖建文 ,  刘如淦 ,  赖志明 ,  苏伟硕 ,  张育祯

IPC: H01L21/48

Abstract: 一种集成电路的制作方法，利用极紫外光制程及单个或多个自对准沉积制程的组合在一个基材上制作一个具有四条信号线的集成电路单位晶胞。极紫外光制程及自对准沉积制程在一个位于基材上的硬遮罩上制作多个间隔物。这些间隔物定义了一个位于基材的单位晶胞上的多个信号线的微影图样。极紫外光制程及自对准沉积制程制作出具有相较于被极紫外光制程所定义的各种特征还微小的更精准被定位的多个信号线。