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公开(公告)号：CN101078875A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710109169.0
申请日：2003-10-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/67115 , G03F7/0042 , G03F7/0392 , G03F7/38 , H01L21/0273 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的课题是抑制PEB处理中的酸对于抗蚀剂膜的再次附着。包含：在衬底上形成化学放大型抗蚀剂膜的工序；对上述化学放大型抗蚀剂膜照射能量线以形成潜像的工序；以及对上述化学放大型抗蚀剂膜进行加热处理的工序，一边使加热上述化学放大型抗蚀剂膜的加热部和上述衬底相对地移动，一边在上述加热部下表面与上述化学放大型抗蚀剂膜之间形成相对于上述加热部的相对的移动方向在反方向上流动的气流来进行上述加热处理。
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公开(公告)号：CN100573320C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510117520.1
申请日：2005-11-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , G03F7/38 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/38 , G03F7/2004 , G03F7/2006 , G03F7/2008 , G03F7/3021 , G03F7/70425 , G03F7/70558 , G03F7/70783
Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，其包括在被处理基板上形成感光性树脂膜，对所述感光性树脂膜有选择地照射能量线，在多个曝光区域各自上形成预期的潜像图形，在形成所述潜像图形后，在设在热板上的衬垫上载置所述被处理基板，采用所述热板加热所述感光性树脂膜，为形成与所述潜像图形对应的感光性树脂膜图形而对所述感光性树脂膜显影，所述图形形成方法，在所述能量线的照射时，以使在所述被处理基板背面和所述热板表面的距离大的曝光区域的所述能量线的照射量，相对大于在所述被处理基板背面和所述热板表面的距离小的曝光区域的所述能量线的照射量的方式，设定所述能量线的照射量。
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公开(公告)号：CN100541330C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200510082468.0
申请日：2001-12-26
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 为了提高涂布膜或光刻胶的均匀性，本发明提供了一种涂布膜加热装置和光刻胶的处理装置。本发明的涂布膜的加热装置具有内部空间的腔室；上述腔室内具有支撑被处理衬底的载置面并用于加热上述被处理衬底的加热板，所述被处理衬底具有涂布膜；以及对着上述载置面配置于上述腔室内的、用于吸附由上述被处理衬底产生的蒸发物的吸附板。
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公开(公告)号：CN1217234C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN01145768.6
申请日：2001-12-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/16
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C5/0254 , B05C11/08 , G03F7/168 , G03F7/3021 , G03F7/38 , G03F7/70358 , G03F7/70558 , H01L21/67109 , H01L21/67115
Abstract: 具有光刻胶膜的被处理衬底的加热装置。该加热装置具有：具有内部空间的腔室、腔室内用于加热被处理衬底的加热板、及隔壁部件。加热板具有在腔室内支承被处理衬底的载置面。隔壁部件跟载置面对向地配置在腔室内。并且，隔壁部件将内部空间分隔成第1和第2空间，同时具有连通第1和第2空间的多个孔。加热板的载置面配置于第1空间内。第2空间配置有用于形成气体流的气体流形成机构，用该机构排出由光刻胶膜产生的蒸发物。
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公开(公告)号：CN1632916A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200510002715.1
申请日：2003-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03F7/70675 , H01J2237/30438
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。
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公开(公告)号：CN100385610C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200310100255.7
申请日：2003-10-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67115 , G03F7/0042 , G03F7/0392 , G03F7/38 , H01L21/0273 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的课题是抑制PEB处理中的酸对于抗蚀剂膜的再次附着。包含：在衬底上形成化学放大型抗蚀剂膜的工序；对上述化学放大型抗蚀剂膜照射能量线以形成潜像的工序；以及对上述化学放大型抗蚀剂膜进行加热处理的工序，一边使加热上述化学放大型抗蚀剂膜的加热部和上述衬底相对地移动，一边在上述加热部下表面与上述化学放大型抗蚀剂膜之间形成相对于上述加热部的相对的移动方向在反方向上流动的气流来进行上述加热处理。
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公开(公告)号：CN1963995A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610162953.3
申请日：2004-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/321 , G03F7/00 , B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其特征在于具有：向基板上供给含有溶剂的涂敷膜形成用药液以在上述基板主面上形成液膜的工序；采用除去含于液膜中的溶剂的一部分的办法形成被加工膜的工序；向上述被加工膜的加工区域选择照射加工光以选择除去上述被加工膜的工序；在照射上述加工光后，进行几乎完全除去含于被加工膜中的溶剂的真正意义的加热处理的工序。
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公开(公告)号：CN1770009A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510117520.1
申请日：2005-11-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , G03F7/38 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/38 , G03F7/2004 , G03F7/2006 , G03F7/2008 , G03F7/3021 , G03F7/70425 , G03F7/70558 , G03F7/70783
Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，其包括在被处理基板上形成感光性树脂膜，对所述感光性树脂膜有选择地照射能量线，在多个曝光区域各自上形成预期的潜像图形，在形成所述潜像图形后，在设在热板上的衬垫上载置所述被处理基板，采用所述热板加热所述感光性树脂膜，为形成与所述潜像图形对应的感光性树脂膜图形而对所述感光性树脂膜显影，所述图形形成方法，在所述能量线的照射时，以使在所述被处理基板背面和所述热板表面的距离大的曝光区域的所述能量线的照射量，相对大于在所述被处理基板背面和所述热板表面的距离小的曝光区域的所述能量线的照射量的方式，设定所述能量线的照射量。
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公开(公告)号：CN1460895A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03131416.3
申请日：2003-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L23/544 , B23K26/066 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , G03F7/2026 , G03F7/70341 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , G21K5/10 , H01J2237/30438 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/949 , H01L2924/00
Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。
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