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公开(公告)号：CN1825209A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610058208.4
申请日：2006-02-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/2028 , G03F7/70341 , G03F7/7045
Abstract: 抗蚀剂图形形成方法，包括以下的工序：在衬底上形成抗蚀剂膜；通过以在后述的显影中足够使上述抗蚀剂膜溶解的曝光量向上述衬底的外缘部分的规定区域的上述抗蚀剂膜照射光，在外缘部分的抗蚀剂膜上形成潜像；清洗外缘部分被照射了光的抗蚀剂膜；对清洗后的抗蚀剂膜的所希望的曝光区域，在曝光区域与曝光装置的投影光学系统的最为靠近上述衬底侧的构成要素的上述衬底侧的面之间存在着折射率比空气更大的液体的状态下通过投影光学系统照射所希望的图形的光；对刻胶膜的曝光区域进行显影。
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公开(公告)号：CN100474119C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610058208.4
申请日：2006-02-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/2028 , G03F7/70341 , G03F7/7045
Abstract: 抗蚀剂图形形成方法，包括以下的工序：在衬底上形成抗蚀剂膜；通过以在后述的显影中足够使上述抗蚀剂膜溶解的曝光量向上述衬底的外缘部分的规定区域的上述抗蚀剂膜照射光，在外缘部分的抗蚀剂膜上形成潜像；清洗外缘部分被照射了光的抗蚀剂膜；对清洗后的抗蚀剂膜的所希望的曝光区域，在曝光区域与曝光装置的投影光学系统的最为靠近上述衬底侧的构成要素的上述衬底侧的面之间存在着折射率比空气更大的液体的状态下通过投影光学系统照射所希望的图形的光；对刻胶膜的曝光区域进行显影。
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公开(公告)号：CN1292457C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410062569.7
申请日：2004-06-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70683 , G03F7/40
Abstract: 本发明的温度校正方法可以抑制因装置间的温度不同而使得感光性树脂膜所得到的实效性的曝光量在装置间变动。包括：准备多个加热处理装置的工序；用所准备的各个加热处理装置，用多个设定温度，对已形成了曝光量监视图形的衬底进行加热处理的工序；在上述加热处理后进行冷却处理的工序；在上述冷却处理后进行显影处理的工序；在上述冷却处理后或上述显影处理后的任何一者中，测定曝光量监视图形的状态的工序；根据多个设定温度和所测定的曝光量监视图形的状态，对各个加热处理装置求设定温度与实效曝光量的关系的工序；根据所求得的关系，对各个加热处理装置进行修正，使得能够得到规定的实效性的曝光量的工序。
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公开(公告)号：CN1282219C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410034731.4
申请日：2004-05-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/302 , G03F7/00
Abstract: 在半导体基体之上的被加工层(13)之上，采用使光致抗蚀剂膜图形化的办法形成第1图形化层(14a)。在形成了光致抗蚀剂图形后，借助于附加处理使第1图形化层(14a)变小。其次，在用耐刻蚀性比较大的材料在第1图形化层(14a)之间形成了埋入膜(15)后，在进行了平坦化处理后，除去第1图形化层(14a)。借助于此，使第2图形化层(15a)剩下来。使用该第2图形化层，刻蚀基底的被加工层(13)。然后，以基底的被加工层(13)为掩模，刻蚀例如铝膜(12)。
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公开(公告)号：CN1577082A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062569.7
申请日：2004-06-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70683 , G03F7/40
Abstract: 本发明的温度校正方法可以抑制因装置间的温度不同而使得感光性树脂膜所得到的实效性的曝光量在装置间变动。包括：准备多个加热处理装置的工序；用所准备的各个加热处理装置，用多个设定温度，对已形成了曝光量监视图形的衬底进行加热处理的工序；在上述加热处理后进行冷却处理的工序；在上述冷却处理后进行显影处理的工序；在上述冷却处理后或上述显影处理后的任何一者中，测定曝光量监视图形的状态的工序；根据多个设定温度和所测定的曝光量监视图形的状态，对各个加热处理装置求设定温度与实效曝光量的关系的工序；根据所求得的关系，对各个加热处理装置进行修正，使得能够得到规定的实效性的曝光量的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1770009A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510117520.1
申请日：2005-11-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , G03F7/38 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/38 , G03F7/2004 , G03F7/2006 , G03F7/2008 , G03F7/3021 , G03F7/70425 , G03F7/70558 , G03F7/70783
Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，其包括在被处理基板上形成感光性树脂膜，对所述感光性树脂膜有选择地照射能量线，在多个曝光区域各自上形成预期的潜像图形，在形成所述潜像图形后，在设在热板上的衬垫上载置所述被处理基板，采用所述热板加热所述感光性树脂膜，为形成与所述潜像图形对应的感光性树脂膜图形而对所述感光性树脂膜显影，所述图形形成方法，在所述能量线的照射时，以使在所述被处理基板背面和所述热板表面的距离大的曝光区域的所述能量线的照射量，相对大于在所述被处理基板背面和所述热板表面的距离小的曝光区域的所述能量线的照射量的方式，设定所述能量线的照射量。
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公开(公告)号：CN100573320C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510117520.1
申请日：2005-11-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , G03F7/38 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/38 , G03F7/2004 , G03F7/2006 , G03F7/2008 , G03F7/3021 , G03F7/70425 , G03F7/70558 , G03F7/70783
Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，其包括在被处理基板上形成感光性树脂膜，对所述感光性树脂膜有选择地照射能量线，在多个曝光区域各自上形成预期的潜像图形，在形成所述潜像图形后，在设在热板上的衬垫上载置所述被处理基板，采用所述热板加热所述感光性树脂膜，为形成与所述潜像图形对应的感光性树脂膜图形而对所述感光性树脂膜显影，所述图形形成方法，在所述能量线的照射时，以使在所述被处理基板背面和所述热板表面的距离大的曝光区域的所述能量线的照射量，相对大于在所述被处理基板背面和所述热板表面的距离小的曝光区域的所述能量线的照射量的方式，设定所述能量线的照射量。
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公开(公告)号：CN1900820A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610108392.9
申请日：2004-05-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 在半导体基体之上的被加工层13之上，采用使光致抗蚀剂膜图形化的办法形成第1图形化层14a。在形成了光致抗蚀剂图形后，借助于附加处理使第1图形化层14a变小。其次，在用耐刻蚀性比较大的材料在第1图形化层14a之间形成了埋入膜15后，在进行了平坦化处理后，除去第1图形化层14a。借助于此，使第2图形化层15a剩下来。使用该第2图形化层，刻蚀基底的被加工层13。然后，以基底的被加工层13为掩模，刻蚀例如铝膜12。
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公开(公告)号：CN1854907A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610078614.7
申请日：2006-04-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/38 , H01L21/00 , H01L21/027
CPC classification number: F27B17/0025 , F27B5/04 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的一种实施方式基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，其中，在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给含有被包含在上述第1被处理基板的膜中的溶剂的气体。
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公开(公告)号：CN1551298A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410034731.4
申请日：2004-05-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/302 , G03F7/00
Abstract: 在半导体基体之上的被加工层13之上，采用使光致抗蚀剂膜图形化的办法形成第1图形化层14a。在形成了光致抗蚀剂图形后，借助于附加处理使第1图形化层14a变小。其次，在用耐刻蚀性比较大的材料在第1图形化层14a之间形成了埋入膜15后，在进行了平坦化处理后，除去第1图形化层14a。借助于此，使第2图形化层15a剩下来。使用该第2图形化层，刻蚀基底的被加工层13。然后，以基底的被加工层13为掩模，刻蚀例如铝膜12。
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